安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。

文件下載：NTH4L0113N120M3S.pdf

器件概述

關(guān)鍵特性剖析

低導(dǎo)通電阻

在VGS = 18V時(shí)，典型的RDS(on)僅為13mΩ。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗更低，能夠有效提高系統(tǒng)效率。這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作的應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等，尤為重要。想象一下，如果在一個(gè)大型太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中，使用導(dǎo)通電阻較高的器件，那么在長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行過(guò)程中，會(huì)有大量的能量以熱量的形式損耗掉，而低導(dǎo)通電阻的NTH4L013N120M3S則可以大大減少這種能量損耗。

超低柵極電荷

總柵極電荷QG(TOT)僅為254nC。低柵極電荷使得器件在開關(guān)過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電路所需提供的電荷量減少，從而降低了驅(qū)動(dòng)損耗，同時(shí)也有助于實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。在高速開關(guān)應(yīng)用中，快速的開關(guān)速度可以減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的工作頻率，進(jìn)而減小系統(tǒng)的體積和重量。

低電容特性

輸出電容Coss為262pF，較低的電容值使得器件在開關(guān)過(guò)程中的充放電時(shí)間更短，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。而且，低電容還能減少開關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

雪崩測(cè)試

該器件經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，這意味著它在承受雪崩能量時(shí)具有較高的可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)電路中出現(xiàn)電壓尖峰或浪涌時(shí)，器件能夠承受這些異常能量而不損壞，保障了系統(tǒng)的安全性。

環(huán)保特性

此器件無(wú)鹵化物，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（豁免條款7a），并且在二級(jí)互連（2LI）上無(wú)鉛，滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保的要求。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

太陽(yáng)能逆變器

太陽(yáng)能逆變器需要高效地將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。NTH4L013N120M3S的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，能夠降低逆變器的功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，從而增加太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)電量。同時(shí)，其高可靠性也保證了逆變器在復(fù)雜的戶外環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

電動(dòng)汽車充電站

隨著電動(dòng)汽車的普及，對(duì)快速、高效的充電站需求日益增加。NTH4L013N120M3S的低損耗和高速開關(guān)能力，使得充電站能夠更快速地為電動(dòng)汽車充電，并且減少充電過(guò)程中的能量損耗，提高充電效率。

不間斷電源（UPS）

UPS在電力中斷時(shí)為關(guān)鍵設(shè)備提供應(yīng)急電源。NTH4L013N120M3S的高可靠性和低損耗特性，能夠確保UPS在關(guān)鍵時(shí)刻穩(wěn)定工作，為設(shè)備提供可靠的電力保障。

儲(chǔ)能系統(tǒng)

儲(chǔ)能系統(tǒng)用于儲(chǔ)存電能，并在需要時(shí)釋放。NTH4L013N120M3S的高效性能有助于提高儲(chǔ)能系統(tǒng)的充放電效率，減少能量損耗，延長(zhǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)的使用壽命。

開關(guān)模式電源（SMPS）

SMPS廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如電腦、通信設(shè)備等。NTH4L013N120M3S的高速開關(guān)和低損耗特性，能夠提高SMPS的效率和功率密度，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化、高效化的需求。

電氣特性詳解

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，并且器件的熱阻會(huì)受到整個(gè)應(yīng)用環(huán)境的影響，并非恒定值。

熱特性

熱特性對(duì)于器件的可靠性和性能至關(guān)重要。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況，合理考慮散熱措施，確保器件的結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。

電氣特性

關(guān)態(tài)特性

• 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：在VGS = 0V，ID = 1mA時(shí)，為1200V。其溫度系數(shù)為 - 0.3V/℃，這意味著隨著溫度的升高，擊穿電壓會(huì)略有下降。
• 零柵壓漏極電流（IDSS）：在VGS = 0V，VDS = 1200V，TJ = 25℃時(shí)，最大值為100μA。
• 柵源泄漏電流（IGSS）：在VGS = +22/ - 10V，VDS = 0V時(shí)，最大值為±1μA。

開態(tài)特性

• 柵極閾值電壓（VGS(TH)）：在VGs = Vos，ID = 37mA時(shí)，典型值為2.8V。
• 推薦柵極電壓（VGOP）：范圍為 - 3V到 +18V。
• 漏源導(dǎo)通電阻（Rps(on)）：在VGs = 18V，ID = 75A，TJ = 25℃時(shí)，典型值為13mΩ；在TJ = 175℃時(shí)，典型值為29mΩ。隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻會(huì)增大，這是碳化硅MOSFET的一個(gè)重要特性，在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮到這一點(diǎn)。
• 正向跨導(dǎo)（gFS）：在Vos = 10V，Ip = 75A時(shí)，典型值為57S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容（Ciss）：在VGs = 0V，f = 1MHz，Vps = 800V時(shí)，為5813pF。
• 輸出電容（Coss）：典型值為262pF。
• 反向傳輸電容（CRss）：為21pF。
• 總柵極電荷（QG(TOT)）：在VGs = - 3/18V，Vos = 800V，ID = 75A時(shí)，為254nC。
• 柵極電阻（RG）：在f = 1MHz時(shí)，為1.4Ω。

開關(guān)特性

• 開通延遲時(shí)間（td(ON)）：為22ns。
• 上升時(shí)間（tr）：為23ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間（ta(OFF)）：為56ns。
• 下降時(shí)間（tf）：為10ns。
• 開通開關(guān)損耗（EON）：為563mJ。
• 關(guān)斷開關(guān)損耗（EOFF）：為390mJ。
• 總開關(guān)損耗（Etot）：為953mJ。

源 - 漏二極管特性

• 連續(xù)源 - 漏二極管正向電流（IsD）：在VGs = - 3V，Tc = 25℃時(shí)，最大值為151A。
• 脈沖源 - 漏二極管正向電流（ISDM）：最大值為505A。
• 正向二極管電壓（VsD）：在VGs = - 3V，Isp = 75A，TJ = 25℃時(shí)，為4.7V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間（tRR）：為29ns。
• 反向恢復(fù)電荷（QRR）：為252nC。
• 反向恢復(fù)能量（EREC）：為26mJ。
• 峰值反向恢復(fù)電流（IRRM）：為18A。
• 充電時(shí)間（TA）：為17ns。
• 放電時(shí)間（TB）：為12ns。

機(jī)械封裝與尺寸

該器件采用TO - 247 - 4L封裝（CASE 340CJ），詳細(xì)的封裝尺寸如下：

在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí)，需要根據(jù)這些尺寸合理布局器件，確保引腳間距和散熱空間等符合要求。

總結(jié)

安森美NTH4L013N120M3S碳化硅MOSFET以其卓越的性能和豐富的特性，在眾多電力電子應(yīng)用中具有廣闊的前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，需要充分考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件。同時(shí)，也要注意器件的最大額定值和熱特性等因素，確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用碳化硅MOSFET時(shí)，遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。