英特爾665p固態(tài)硬盤有什么亮點(diǎn)
近日，英特爾發(fā)布了665p固態(tài)硬盤，這是基于其2018年發(fā)布的英特爾660p之后的第二款QLC NAND閃存NVMe固態(tài)硬盤。據(jù)悉，此次英特爾采用了最新的QLC技術(shù)，并表示665p對比660p的運(yùn)行速度會更快，壽命會更長。
相較于660p，此次的665p最大亮點(diǎn)是從原來的64層3D QLC NAND轉(zhuǎn)換到更新的96層3D QLC NAND，此次更新后，固態(tài)硬盤的基礎(chǔ)性能提升13.6%，壽命耐用性提高了50%。
主控方面，此次665p繼續(xù)使用慧榮的SM2263，輔以小型的DRAM緩存和較大的可調(diào)整SLC緩存。在順序讀取速度和寫入速度上，英特爾宣稱，665p讀取速度提高了11.1%，寫入速度提高了6.9%，順序讀寫速度均能夠達(dá)到最大2000MB/s。
據(jù)悉，對于即將推出的SSD，英特爾僅推出1TB和2TB容量，不再提供512GB的版本。英特爾SSD 665p 1TB版應(yīng)該會在2019年末上市，而2TB版本預(yù)計(jì)將要等到2020年第一季度上市。另外，英特爾還透露可能將于明年下半年推出采用144層堆疊的3D QLC固態(tài)盤。
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