據(jù)businessKorea報(bào)道，自去年7月日本開始限制對韓國的出口以來，三星仍沒有找到為EUV技術(shù)提供足夠光刻膠的替代供應(yīng)商。到2030年成為全球代工行業(yè)老大的目標(biāo)恐遇阻。

據(jù)韓國科學(xué)技術(shù)研究院11月27日公布的數(shù)據(jù)顯示，韓國企業(yè)93.2%的光刻膠需求依賴于日本供應(yīng)商，EUV光刻膠對日本的依賴程度幾乎相同。

日本限制EUV光刻膠的出口，韓國公司迅速做出反應(yīng)，增加了比利時(shí)產(chǎn)材料的進(jìn)口。據(jù)韓國海關(guān)(KCS)稱，從比利時(shí)進(jìn)口的光刻膠在今年第三季度達(dá)到了459萬美元，是上一季度(約25萬美元)的20倍。其中大多數(shù)是EUV的光刻膠。

三星開始大規(guī)模生產(chǎn)基于7納米EUV工藝的移動(dòng)應(yīng)用處理器Exynos 9825，但產(chǎn)量只占其總產(chǎn)量的一小部分。真正的問題將在幾年后出現(xiàn)，那時(shí)EUV制程工藝將成為主流。自今年4月以來，三星一直在向全球芯片設(shè)計(jì)公司推廣其5納米EUV工藝，并計(jì)劃明年在其華城市的工廠開一條獨(dú)家EUV生產(chǎn)線。

市場研究公司也預(yù)測了EUV工藝的推進(jìn)。根據(jù)IC Insights的報(bào)告，到2023年，10nm以下的半導(dǎo)體產(chǎn)量將從今年的105萬張/月增加到627萬張/月。同期，10納米以下半導(dǎo)體工藝的比例將從5%增長到25%。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，在未來幾年內(nèi)，EUV技術(shù)將占到大部分7納米以下的工藝。

EUV技術(shù)的不斷推進(jìn)將導(dǎo)致EUV中光刻膠使用的增加。據(jù)韓國芯片制造商預(yù)測，EUV光刻膠的本土化無法在幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)，因此他們計(jì)劃脫離日本，尋求多樣化供應(yīng)商。然而，由于他們與日本供應(yīng)商對EUV光刻膠進(jìn)行了優(yōu)化，如果脫離日本，收益率或直接下降。

這種情況將有利于臺(tái)積電。臺(tái)積電推出EUV工藝的時(shí)間比三星晚，但臺(tái)積電最近從EUV光刻機(jī)龍頭企業(yè)ASML手中購置了EUV光刻設(shè)備，此外，臺(tái)積電對光刻膠供應(yīng)沒有任何顧慮。

無晶圓廠產(chǎn)業(yè)顯示出相互矛盾的觀點(diǎn)。盡管一些fables公司覺得有必要阻止臺(tái)積電的統(tǒng)治地位，但也有一些公司認(rèn)為有必要阻礙三星在代工業(yè)的腳步，因?yàn)槿鞘且患壹稍O(shè)備制造商IDM。然而，如今有越來越多的fables企業(yè)開始向臺(tái)積電下訂單。

根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電第三季在晶圓代工市場的占有率為50.5%，較年初上升2.4%，而三星同期則下滑0.6個(gè)百分點(diǎn)，至18.5%。臺(tái)積電今年股價(jià)大漲40%，并計(jì)劃在年內(nèi)增加投資至150億美元，以擴(kuò)大與競爭對手的差距。