三星雖然一直在卯足了勁在代工領(lǐng)域追趕臺(tái)積電，但面對(duì)臺(tái)積電的攻城掠地、一騎絕塵，三星難免有些黯然神傷。

為能突破這一困境，根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，三星借由旗下所成立的兩檔新創(chuàng)基金積極投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)新創(chuàng)公司，期望未來能聯(lián)合這些半導(dǎo)體新創(chuàng)公司的產(chǎn)品及技術(shù)，以“集團(tuán)軍”的方式對(duì)抗臺(tái)積電。

據(jù)科技新報(bào)報(bào)道，TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)資料顯示，預(yù)計(jì)2019年第三季度全球晶圓代工總產(chǎn)值將較第三季度增長(zhǎng)6%。市場(chǎng)占有率前三的廠商分別為臺(tái)積電52.7%、三星17.8% 與格芯8%。臺(tái)積電由第三季度的市占率 50.5% 增長(zhǎng)至 52.7%，三星則由第三季度的18.5%減至17.8%，顯示臺(tái)積電正在擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

對(duì)此，韓媒《KoreaBusiness》報(bào)導(dǎo)指出，為了填補(bǔ)本身在晶圓代工上的劣勢(shì)，三星已經(jīng)開始培育韓國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新創(chuàng)公司，并且聯(lián)合韓國(guó)政府開始投資韓國(guó)國(guó)內(nèi)在半導(dǎo)體材料及設(shè)備上的新創(chuàng)公司。

以生產(chǎn)功率器件和5G通信半導(dǎo)體核心材料為主，包括8英寸氮化鎵（GaN）晶圓、以及4吋的氮化鎵與碳化硅（SiC）晶圓的新創(chuàng)公司 IVworks，日前就宣布獲得三星投資部門的 80億韓元投資。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料逐漸無法滿足性能需求，以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件芯片已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高爭(zhēng)奪點(diǎn)。隨著5G時(shí)代到來，將推動(dòng)半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)革命性變化，GaN、SiC等市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。因而，三星此舉亦是為未來投資。

而且，三星日前還宣布將啟動(dòng) C-Lab 外部計(jì)劃，預(yù)計(jì)到2023年時(shí)將培養(yǎng)300家外部創(chuàng)業(yè)公司。而通過這種與外部新創(chuàng)公司的合作，加上該公司預(yù)計(jì)將斥資 133 兆韓元的計(jì)劃，期望實(shí)現(xiàn)到2030年成為全球系統(tǒng)半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭的目標(biāo)。