7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導(dǎo)體（Navitas）宣布，其650V元件產(chǎn)品將在未來(lái)1到2年內(nèi)，從當(dāng)前供應(yīng)商臺(tái)積電（TSMC）逐步過(guò)渡至力積電半導(dǎo)體（PSMC）。臺(tái)積電回應(yīng)稱，經(jīng)全面評(píng)估，考慮到市場(chǎng)條件和長(zhǎng)期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，決定在未來(lái)2年內(nèi)逐步退出GaN業(yè)務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，這一決定不會(huì)影響先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。

據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電決定退出第三類半導(dǎo)體之一的氮化鎵市場(chǎng)，其位于竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線已停止生產(chǎn)。臺(tái)積電已向DIGITIMES證實(shí)這一消息，并表示正與客戶緊密合作，確保過(guò)渡期間的順利銜接，致力于滿足客戶需求。

事實(shí)上，納微半導(dǎo)體已與力積電擴(kuò)大合作，將生產(chǎn)100V至650V的GaN產(chǎn)品組合。其中，650V相關(guān)產(chǎn)品將在未來(lái)12至24個(gè)月內(nèi)，從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工，這也間接證實(shí)了臺(tái)積電退場(chǎng)的消息。

臺(tái)積電投入矽基氮化鎵（GaN-on-Si）研發(fā)多年，并提供6寸晶圓代工服務(wù)。除與意法半導(dǎo)體（STM）合作加速GaN制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，還將分離式與整合式GaN元件導(dǎo)入市場(chǎng)。Navitas及GaN Systems等公司也在臺(tái)積電投片生產(chǎn)高壓功率元件，而臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)則專注于8寸矽基氮化鎵相關(guān)研發(fā)。

面對(duì)產(chǎn)業(yè)市況的劇烈變動(dòng)，臺(tái)積電自2025年初以來(lái)持續(xù)調(diào)整晶圓廠和先進(jìn)封裝廠的藍(lán)圖。在各廠區(qū)，迅速進(jìn)行各產(chǎn)線所投入的制程技術(shù)、產(chǎn)能規(guī)模與人力的重新規(guī)劃。供應(yīng)鏈業(yè)者解讀，臺(tái)積電退出GaN市場(chǎng)，凸顯了中國(guó)低價(jià)戰(zhàn)對(duì)第三類半導(dǎo)體發(fā)展造成的巨大競(jìng)爭(zhēng)壓力。臺(tái)積電不愿降價(jià)接單，且投片、出貨規(guī)模不大，因此決定逐步淡出這一競(jìng)爭(zhēng)格局。

對(duì)于退出GaN業(yè)務(wù)，臺(tái)積電提出了相關(guān)影響與解決方案。在生產(chǎn)方面，將提供「最后下單」（Last Time Buy；LTB）選項(xiàng)，客戶須于2025年第3季前，確認(rèn)LTB的數(shù)量與時(shí)程。若有試產(chǎn)（New Tape-Out；NTO）需要，臺(tái)積電會(huì)恢復(fù)6寸產(chǎn)線的新產(chǎn)品導(dǎo)入服務(wù)。

Navitas表示，力積電具備0.18微米制程的CMOS制程能力，在0.18微米制程節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行8寸矽基氮化鎵的生產(chǎn)，將能實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時(shí)提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸省?/p>

臺(tái)積電逐步退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，不僅反映了其自身業(yè)務(wù)戰(zhàn)略的調(diào)整，也將對(duì)整個(gè)氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。未來(lái)，隨著力積電等廠商承接相關(guān)業(yè)務(wù)，氮化鎵市場(chǎng)的格局可能會(huì)發(fā)生新的變化。

來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技

審核編輯 黃宇