chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:IT之家 ? 作者:孤城 ? 2020-01-17 15:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。

▲國(guó)科微SSD

據(jù)介紹,自長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布研發(fā)3D NAND閃存以來(lái),國(guó)科微便積極與其開(kāi)展深入合作,致力于為客戶(hù)提供更加可靠、更加出色的存儲(chǔ)解決方案。目前,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試,更加嚴(yán)格的可靠性測(cè)試正在進(jìn)行中。同時(shí),這一SSD產(chǎn)品已向多家客戶(hù)送樣,開(kāi)始早期使用計(jì)劃。

國(guó)科微還表示,從測(cè)試結(jié)果來(lái)看,長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存在順序讀寫(xiě)、隨機(jī)讀寫(xiě)以及編程時(shí)延等方面的表現(xiàn)令人十分滿(mǎn)意,搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的國(guó)科微SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1747

    瀏覽量

    140411
  • SSD
    SSD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    3061

    瀏覽量

    121724
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

    關(guān)注

    5

    文章

    330

    瀏覽量

    38721
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100s PCIe 4.0 SSD性能測(cè)評(píng)

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)的上一代消費(fèi)級(jí)PCIe 4.0 SSD產(chǎn)品TiPlus7100憑借著優(yōu)秀的品質(zhì)得到了廣大用戶(hù)的認(rèn)可,獲得了良好的市場(chǎng)表現(xiàn)。時(shí)隔兩年,長(zhǎng)江
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:50 ?1579次閱讀
    <b class='flag-5'>長(zhǎng)江</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>致態(tài)TiPlus7100s PCIe 4.0 <b class='flag-5'>SSD</b>的<b class='flag-5'>性能</b>測(cè)評(píng)

    云知聲三項(xiàng)技術(shù)成果達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

    2025年10月28日,由中國(guó)人工智能學(xué)會(huì)組織的“多模態(tài)數(shù)字專(zhuān)家關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用”科技成果鑒定會(huì)在北京舉行。經(jīng)專(zhuān)家委員會(huì)嚴(yán)格評(píng)審,云知聲研發(fā)的“多模態(tài)醫(yī)療垂類(lèi)大模型”“芯上端側(cè)小模型精煉化”和“多模態(tài)情智兼?zhèn)鋽?shù)字人”三項(xiàng)技術(shù)成果,均達(dá)到國(guó)際
    的頭像 發(fā)表于 11-04 10:26 ?576次閱讀

    杰理科技關(guān)鍵技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

    2025年9月4日,廣東省高新技術(shù)企業(yè)協(xié)會(huì)組織召開(kāi)“自適應(yīng)ANC低延時(shí)無(wú)線(xiàn)通信端側(cè)AI芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用”科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。經(jīng)評(píng)審,專(zhuān)家組一致認(rèn)定杰理科技該技術(shù)成果在綜合技術(shù)領(lǐng)域已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平
    的頭像 發(fā)表于 09-10 13:53 ?764次閱讀

    季豐電子邀您相約2025國(guó)際3D視覺(jué)感知與應(yīng)用大會(huì)

    9月20日 - 21日,國(guó)際3D視覺(jué)感知與應(yīng)用大會(huì)將在蘇州太湖國(guó)際會(huì)議中心盛大啟幕,大會(huì)議題涵蓋3D成像與測(cè)量、3D視覺(jué)、
    的頭像 發(fā)表于 09-08 15:03 ?791次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過(guò) 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當(dāng)普遍, NAND 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。 特點(diǎn) 性能 f
    發(fā)表于 07-03 14:33

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    (FTL,磨損均衡,糾錯(cuò)等),存在讀寫(xiě)干擾問(wèn)題。 結(jié)構(gòu)演進(jìn): 平面 NAND:傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu),工藝微縮遇到瓶頸。 3D NAND:將存儲(chǔ)單元垂直堆疊(幾十層到幾百層),突破密度限制,降
    發(fā)表于 06-24 09:09

    曙光存儲(chǔ)斬獲3800萬(wàn)大單 曙光存儲(chǔ)FlashNexus中標(biāo)中國(guó)移動(dòng)全閃存集采

    風(fēng)向標(biāo),中國(guó)移動(dòng)全閃存儲(chǔ)集采以嚴(yán)苛測(cè)試聞名業(yè)內(nèi),覆蓋功能、性能、可靠性及功耗等核心指標(biāo)。曙光存儲(chǔ)集中式全閃FlashNexus通過(guò)全部考核,在高并發(fā)負(fù)載穩(wěn)定性、跨數(shù)據(jù)中心雙活等核心能力達(dá)到
    的頭像 發(fā)表于 05-26 15:39 ?873次閱讀

    3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì),本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?1791次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的制造工藝與挑戰(zhàn)

    鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:31 ?782次閱讀
    鎧俠與閃迪發(fā)布下一代<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s <b class='flag-5'>NAND</b>接口速度

    不再是HBM,AI推理流行,HBF存儲(chǔ)的機(jī)會(huì)來(lái)了?

    NAND閃存和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的特性,能更好地滿(mǎn)足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設(shè)計(jì)類(lèi)似于HBM,通過(guò)硅通孔(TSVs)將多個(gè)高性能閃存
    的頭像 發(fā)表于 02-19 00:51 ?4277次閱讀
    不再是HBM,AI推理流行,HBF<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>的機(jī)會(huì)來(lái)了?

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.   NAND
    發(fā)表于 01-15 18:15

    突破存儲(chǔ)形態(tài)與邊界!佰維全新Mini SSD震撼發(fā)布,引領(lǐng)端側(cè)智能時(shí)代存儲(chǔ)新范式!

    Mini SSD在小巧機(jī)身中實(shí)現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議,采用3D TLC NAND介質(zhì),讀
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:37 ?746次閱讀

    EMMC和NAND閃存的區(qū)別

    智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中都有應(yīng)用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:37 ?4364次閱讀

    3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

    芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿(mǎn)足對(duì)各種類(lèi)型內(nèi)存的無(wú)休止需求。 這些額外的層將帶來(lái)新的可靠性
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:00 ?1293次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的發(fā)展方向是500到1000層

    【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

    技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類(lèi)   NAND閃存卡的主要分類(lèi)以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,
    發(fā)表于 12-17 17:34