（文章來源：半導體投資聯(lián)盟）
JEDEC已經發(fā)布了UFS 3.1標準(又名JESD220E)，其中增加了一些新特性。這些新功能有望提高設備的性能，減少能耗，降低高容量存儲設備的成本，并改善用戶體驗。

符合UFS 3.1標準的設備繼續(xù)使用MIPI的M-PHY 4.1物理層和8b/10b線編碼，MIPI基于UniPro 1.8協(xié)議的互連層（IL），每通道數據速率為HS-G4（11.6 Gbps）。與此同時，新版本的標準支持三個新特性: Write Booster、Deep Sleep和Performance Throttling Notification。此外，JEDEC還發(fā)布了主機性能增強技術規(guī)范。現代SSD已經支持所有這些特性，因此UFS 3.1標準和HP在功能上使UFS存儲設備更接近SSD。

Write Booster旨在通過使用pseudo-SLC緩存來提高寫入速度。類似的技術已經在固態(tài)硬盤和各種小型NVME存儲設備上得到了應用，比如蘋果iPhone/iPad上所使用的。另外，SD 6.0標準支持緩存，以達到寫入性能目標。

Deep Sleep，使設備進入低功耗狀態(tài)，降低設備功耗，專為廉價UFS設備設計。Performance Throttling Notification，它允許UFS設備在過熱時通知系統(tǒng)限制性能。

Host Performance Booster，它可以將UFS中的LTP地址映射緩存在設備DRAM中，以提高性能。移動設備的APP使用大量的隨機讀取操作，因此經常訪問LTP地址映射，與此同時，由于UFS設備的存儲容量在增長，LTP的大小也在增長，這使得將它保存在控制器的內存中變得更困難(也更昂貴)。通過在DRAM中托管LTP并在發(fā)送I/O請求時提供LTP尋址，可以提高隨機讀取性能并降低UFS控制器的成本。

幾年前，三星就開發(fā)了HPB功能，并聲稱可以將隨機讀取性能提高67%。在SSD中，HMB功能用于降低成本，因此HPB將防止UFS設備在容量增加時變得過于昂貴。需要注意的是，HPB目前不是強制的，而是可選的。

總體而言，UFS 3.1將提供高達23.2Gbps的理論最大帶寬，隨著Write Booster及HPB的實現，新UFS設備在提高速度的同時還能做到，電池壽命延長及成本降低。
（責任編輯：fqj）