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      MOS管的發(fā)熱如何解決

      h1654155282.3538 ? 來源：今日頭條 ? 作者：玩轉(zhuǎn)嵌入式 ? 2020-02-12 14:16 ? 次閱讀

      功率MOS管在過較大的電流時(shí)會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，電子元器件對(duì)溫度比較敏感，長期工作在高溫狀態(tài)下，會(huì)縮短使用壽命，所以要加快熱量的散發(fā)。針對(duì)MOS管的發(fā)熱情況可以考慮三個(gè)方面去解決。

      1、加裝散熱片，擴(kuò)大散熱面積

      功率電子元器件過大電流發(fā)熱比較嚴(yán)重，為了提高散熱效率，需要加裝散熱片，將熱量盡快散掉。在設(shè)計(jì)之初會(huì)，結(jié)構(gòu)工程師根據(jù)過電流情況，估算發(fā)熱情況，并結(jié)算使用多大的散熱片。以BLDC為例，所用的6個(gè)MOS管都是加裝散熱片的，甚至將整個(gè)外殼做成鋁殼，將MOS管固定在外殼上加快散熱。

      2、選用導(dǎo)通內(nèi)阻較小、過電流大的MOS管

      MOS管的源極S和漏極D導(dǎo)通后，會(huì)有一個(gè)導(dǎo)通電阻Rds（ON），這個(gè)導(dǎo)通電阻差異較大，從幾mΩ到幾百mΩ不等。在設(shè)計(jì)選型時(shí)，要根據(jù)電路情況選擇過電流較大、導(dǎo)通電阻較小的MOS管。例如，工作電流為1A，則盡量選擇過電流能力大于5A的MOS管，在設(shè)計(jì)上留夠余量。

      3、盡量選用NMOS，而不是PMOS

      從生產(chǎn)工藝上來講，NMOS比PMOS更占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)橥?guī)格的NMOS和PMOS而言，NMOS能做到更小的內(nèi)阻，且價(jià)格略便宜。也正是因?yàn)檫@個(gè)原因，NMOS比PMOS使用更加廣泛。

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