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全球首個(gè),西數(shù)發(fā)布UFS3.1閃存芯片

汽車玩家 ? 來(lái)源:PCEVA ? 作者:PCEVA ? 2020-02-20 20:10 ? 次閱讀
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幾周前JEDEC宣布了UFS3.1標(biāo)準(zhǔn),針對(duì)高性能、低功耗移動(dòng)應(yīng)用提供一系列增強(qiáng)特性。昨日西數(shù)搶先發(fā)布全球首個(gè)UFS3.1閃存芯片iNAND EU521,瞄準(zhǔn)5G智能手機(jī),提供128GB和256GB兩種容量。

根據(jù)西數(shù)的調(diào)研結(jié)果,UFS3.0以上規(guī)格才能實(shí)現(xiàn)5G時(shí)代所需數(shù)據(jù)吞吐量。UFS3.1標(biāo)準(zhǔn)在UFS3.0標(biāo)準(zhǔn)之上增加了寫入加速(SLC Cache)、深度睡眠(增強(qiáng)節(jié)能)和性能限制通知(讓CPU了解UFS閃存當(dāng)前是否處于過(guò)熱狀態(tài))三種新特性。

在UFS閃存芯片中使用模擬SLC緩存提升寫入效能的方法已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,UFS3.1實(shí)現(xiàn)了寫入加速的標(biāo)準(zhǔn)化。iNAND EU512使用了西數(shù)與鎧俠合作研發(fā)

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