chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)可取代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED

牽手一起夢(mèng) ? 來源:集微網(wǎng) ? 作者:holly ? 2020-03-09 16:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)于日前宣布,一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物,可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍(lán)光LED。

此前日本開發(fā)出一種制造高質(zhì)量氮化鎵的方法,用于生產(chǎn)藍(lán)光LED,這種藍(lán)光LED被用作智能手機(jī)、顯示器、電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備。

據(jù)悉,韓國(guó)研究小組使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物(CuI)來生產(chǎn)藍(lán)光LED。研究人員表示,“我們發(fā)現(xiàn),碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出藍(lán)光,其亮度是氮化鎵半導(dǎo)體的10倍以上,此外在光電效率和長(zhǎng)期設(shè)備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色。”

研究人員研發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長(zhǎng),因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300毫米)的優(yōu)勢(shì)。此外,碘化銅薄膜的生長(zhǎng)溫度與硅基工藝中使用的溫度(低于300攝氏度)相似,因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此,它可以應(yīng)用于低成本、簡(jiǎn)單的硅半導(dǎo)體工藝。

這些研究成果的意義在于,通過在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅,實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射,在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    244

    文章

    24731

    瀏覽量

    692630
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1916

    瀏覽量

    120169
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    光谷芯材與昌龍智芯聯(lián)合發(fā)布化合物半導(dǎo)體新品,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高壓功率器件空白

    近日,在2026年九峰山論壇期間,光谷芯材聯(lián)合(武漢)科技有限公司與北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導(dǎo)體新品——RF及Power GaN外延片與氧化功率器件(覆蓋650
    的頭像 發(fā)表于 04-29 09:51 ?534次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)

    半導(dǎo)體材料按其化學(xué)組分,可分為無機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體。目前應(yīng)用于微電子和光電子產(chǎn)業(yè)的大多數(shù)都是無機(jī)半導(dǎo)體。無機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 04-13 16:04 ?198次閱讀
    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的晶體結(jié)構(gòu)

    意法半導(dǎo)體氮化方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?841次閱讀

    請(qǐng)問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料
    發(fā)表于 11-14 07:25

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    GaN-on-GaN 功率半導(dǎo)體能夠使電流垂直流過化合物半導(dǎo)體,能實(shí)現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關(guān)頻率,助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源,以及航空航天等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。?? 要點(diǎn): 專有的GaN
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2374次閱讀

    機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)賦能化合物半導(dǎo)體制造:從源頭破局良率難題,Exensio平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全流程精準(zhǔn)預(yù)測(cè)

    在5G/6G通信、電動(dòng)汽車(EV)功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域,化合物半導(dǎo)體(SiC、GaN、GaAs等)已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而,其制造流程中——晶體生長(zhǎng)與外延階段的隱性缺陷
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:05 ?1159次閱讀
    機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)賦能<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造:從源頭破局良率難題,Exensio平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全流程精準(zhǔn)預(yù)測(cè)

    解鎖化合物半導(dǎo)體制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位,但化合物半導(dǎo)體(由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料)正迅速崛起
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:19 ?1058次閱讀
    解鎖<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局,揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下,化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:44 ?1893次閱讀
    【2025九峰山論壇】從<b class='flag-5'>材料</b>革命到制造工藝破局,揭秘<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    核芯聚變·鏈動(dòng)未來 | 2026中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開啟化合物半導(dǎo)體新紀(jì)元

    2026年4月23–25日,第三屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE 2026)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。 本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來”為主題聚焦化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 09-22 14:31 ?1845次閱讀
    核芯聚變·鏈動(dòng)未來 | 2026中國(guó)光谷國(guó)際<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開啟<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新紀(jì)元

    什么是IMC(金屬間化合物

    什么是金屬間化合物(IMC)金屬間化合物(IMC)是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物,其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片封裝中,常見的IMC產(chǎn)生于如金與鋁、
    的頭像 發(fā)表于 09-11 14:42 ?3644次閱讀
    什么是IMC(金屬間<b class='flag-5'>化合物</b>)

    三安光電第一屆第三次化合物半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

    近日,由三安學(xué)院主辦,人資中心、技術(shù)中心、總經(jīng)辦協(xié)辦的三安光電第一屆第三次化合物半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)在廈門香格里拉酒店隆重舉辦,邀請(qǐng)18位來自各事業(yè)部的專家發(fā)表演講,股份、各事業(yè)部/板塊領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 06-27 17:09 ?1175次閱讀

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?3180次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

    化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s,本征電阻率達(dá)10?Ω·
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?2972次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的定義和制造工藝

    氮氧化材料的基本性質(zhì)和制備方法

    氮氧化(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化(GaN)與氧化
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:33 ?1982次閱讀
    氮氧化<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>材料</b>的基本性質(zhì)和制備方法

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍
    發(fā)表于 05-19 10:16