chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)可取代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED

牽手一起夢(mèng) ? 來源:集微網(wǎng) ? 作者:holly ? 2020-03-09 16:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)于日前宣布,一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物,可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍(lán)光LED

此前日本開發(fā)出一種制造高質(zhì)量氮化鎵的方法,用于生產(chǎn)藍(lán)光LED,這種藍(lán)光LED被用作智能手機(jī)、顯示器、電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備。

據(jù)悉,韓國(guó)研究小組使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物(CuI)來生產(chǎn)藍(lán)光LED。研究人員表示,“我們發(fā)現(xiàn),碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出藍(lán)光,其亮度是氮化鎵半導(dǎo)體的10倍以上,此外在光電效率和長(zhǎng)期設(shè)備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色?!?/p>

研究人員研發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長(zhǎng),因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300毫米)的優(yōu)勢(shì)。此外,碘化銅薄膜的生長(zhǎng)溫度與硅基工藝中使用的溫度(低于300攝氏度)相似,因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此,它可以應(yīng)用于低成本、簡(jiǎn)單的硅半導(dǎo)體工藝。

這些研究成果的意義在于,通過在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅,實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射,在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    243

    文章

    24329

    瀏覽量

    684088
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    63

    文章

    1834

    瀏覽量

    118942
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    解鎖化合物半導(dǎo)體制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位,但化合物半導(dǎo)體(由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料)正迅速崛起
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:19 ?250次閱讀
    解鎖<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局,揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下,化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:44 ?1014次閱讀
    【2025九峰山論壇】從<b class='flag-5'>材料</b>革命到制造工藝破局,揭秘<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    核芯聚變·鏈動(dòng)未來 | 2026中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開啟化合物半導(dǎo)體新紀(jì)元

    2026年4月23–25日,第三屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE 2026)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。 本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來”為主題聚焦化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 09-22 14:31 ?504次閱讀
    核芯聚變·鏈動(dòng)未來 | 2026中國(guó)光谷國(guó)際<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開啟<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新紀(jì)元

    什么是IMC(金屬間化合物

    什么是金屬間化合物(IMC)金屬間化合物(IMC)是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物,其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片封裝中,常見的IMC產(chǎn)生于如金與鋁、
    的頭像 發(fā)表于 09-11 14:42 ?940次閱讀
    什么是IMC(金屬間<b class='flag-5'>化合物</b>)

    化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

    化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s,本征電阻率達(dá)10?Ω·
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?1487次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的定義和制造工藝

    全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元!

    根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè),全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年的快速擴(kuò)張潛力,特別是在汽車和移動(dòng)出
    的頭像 發(fā)表于 03-04 11:42 ?873次閱讀
    全球<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元!

    LED芯片巨頭兆馳,全面進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體

    ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源:LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日,兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開,在盛典上,兆馳集團(tuán)明確了未來10到20年
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:49 ?1247次閱讀
    <b class='flag-5'>LED</b>芯片巨頭兆馳,全面進(jìn)軍<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>!

    英諾賽科香港上市,國(guó)內(nèi)氮化半導(dǎo)體第一股誕生

    專注于第三代半導(dǎo)體氮化研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),自成立以來,始終致力于推動(dòng)氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:36 ?1072次閱讀

    突破極限:化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路

    局限性。為了滿足這些高性能需求,化合物半導(dǎo)體材料氮化(GaN)和碳化硅(SiC)等應(yīng)運(yùn)而生,它們以其卓越的電學(xué)特性,為新一代電子設(shè)備提供
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:25 ?763次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2209次閱讀
    第三代寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>介紹

    銻化晶體在半導(dǎo)體技術(shù)中的應(yīng)用

    半導(dǎo)體材料因其在紅外探測(cè)、高速電子器件及新型能源技術(shù)中的潛在應(yīng)用,成為科研工作者和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。 銻化晶體的基本性質(zhì) 銻化(GaSb
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:34 ?2038次閱讀
    銻化<b class='flag-5'>鎵</b>晶體在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>中的應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體氮化(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 氮化是什么?氮化可以被看作是一種新型的半導(dǎo)體材料,它由
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?2497次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測(cè)試

    氮化(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1364次閱讀
    遠(yuǎn)山<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件的耐高壓測(cè)試

    日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺(tái)積電氮化合作,代工趨勢(shì)顯現(xiàn)

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作,其氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?1327次閱讀

    日本企業(yè)加速氮化半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)

    日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:10 ?1554次閱讀