據(jù)外媒報道，目前中國內(nèi)地最大的芯片代工企業(yè)中芯國際（SMIC）已經(jīng)計劃在今年第四季度開始7nm芯片的生產(chǎn)。

中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官梁夢松博士曾表示：7nm作為14nm工藝的繼承者，性能提高了20%，功耗降低了57%。7nm工藝可以減少63%的邏輯電路面積和55%的SoC芯片面積，其晶體管密度是14nm工藝的兩倍以上。梁夢松博士先后任職臺積電和三星電子，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域可謂是經(jīng)驗豐富。

中芯國際在2019年才開始了14nm工藝的量產(chǎn)，這是其首次涉足FinFET工藝，當(dāng)時被認為落后國際一流水平兩代。如果中芯國際如預(yù)測在今年第四季度實現(xiàn)7nm工藝的量產(chǎn)（哪怕是小規(guī)模的），那么也就意味著其正式追上了國際一流水平。雖然此時距離臺積電量產(chǎn)7nm已經(jīng)過去了兩年時間，但是二者之間的差距正在逐漸縮小。而隨著中芯國際工藝的提升，華為海思半導(dǎo)體已經(jīng)將部分芯片代工業(yè)務(wù)交給了中芯國際。

當(dāng)然，中芯國際在追趕的過程中依然面臨著很多問題。首先就是國際先進制造設(shè)備的限制，之前中芯國際花費1.5億美元訂購的荷蘭ASML光刻機，就因為美國向荷蘭施加壓力而遲遲無法拿到出口許可。而在前幾天運抵中國的光刻機，其實并非最先進的EUV光刻機，而只是已經(jīng)成熟的DUV設(shè)備。中芯國際7nm工藝量產(chǎn)所采用的設(shè)備，目前還不確定其來源。

第二就是更加劇烈的國際半導(dǎo)體制造行業(yè)競爭。在去年，三星電子宣布計劃在2030年之前投資1160億美元用于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。而臺積電則計劃在2020年投資160億美元用于新工藝的研發(fā)，目前已經(jīng)規(guī)劃到了2nm，同時5nm EUV工藝也將在今年上半年量產(chǎn)。

競爭對手加速投資升級工藝，也給中芯國際帶來了巨大的壓力。為了升級先進的制造能力，中芯國際今年的資本支出預(yù)計將達到31億美元，而其年收入也僅為30億美元左右。作為一名追趕者，中芯國際顯然還有很長的路要走。不過有了京東方的成功榜樣，我相信以中芯國際為代表的內(nèi)地半導(dǎo)體制造能力將會持續(xù)進步。

等到中芯國際能站到國際一流水平的時候，也許像美國限制華為這樣的事情就不會發(fā)生了。