以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。

據(jù)意法半導體介紹，Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉(zhuǎn)變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉(zhuǎn)換器。Exagan的GaN功率開關(guān)是為標準200毫米晶圓設(shè)計。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規(guī)批準后即可完成交易。據(jù)披露，現(xiàn)已簽署的并購協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權(quán)收購交易完成24個月后，意法半導體有權(quán)收購剩余的Exagan少數(shù)股權(quán)。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導體表示，Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應用經(jīng)驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃，意法半導體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數(shù)股權(quán)是對意法半導體目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。

據(jù)了解，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。前不久，意法半導體宣布與臺積電攜手合作加速氮化鎵（GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。

意法半導體汽車產(chǎn)品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導體在氮化鎵制程技術(shù)的加速開發(fā)與交付看到了龐大的商機，將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品導入市場。
責任編輯：wv