三星宣布大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片 讀寫(xiě)速度較上一代更快
智能手機(jī)的運(yùn)算能力越來(lái)越高，下載速度也越來(lái)越快，儲(chǔ)存芯片的讀寫(xiě)速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個(gè)環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片，它的特點(diǎn)就是其讀寫(xiě)速度較上一代更快。
三星表示512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片，連續(xù)寫(xiě)入速度將超過(guò)1，200MB/s，比起現(xiàn)在相同容量eUFS 3.0儲(chǔ)存芯片的400MB/s，速度快達(dá)3倍。
同時(shí)512GB eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片的隨機(jī)讀寫(xiě)表現(xiàn)為100，000/70，000 IOPS，亦較eUFS 3.0的產(chǎn)品快60%。三星指新儲(chǔ)存芯片只需90秒就能完成100GB的檔案?jìng)鬏?，舊款要4分鐘以上，特別適合用于儲(chǔ)存8K高分辨率影片。
有消息指三星可能會(huì)將512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片，率先應(yīng)用于下半年的旗艦手機(jī)Galaxy Note 20系列；之后三星還會(huì)陸續(xù)生產(chǎn)和供應(yīng)128GB和256GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182876 -
儲(chǔ)存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
12瀏覽量
7564
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，
三星最新消息：三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅
給大家?guī)?lái)三星的最新消息： 三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋(píng)果公司的下
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來(lái)看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲(chǔ)器開(kāi)始送樣
融合現(xiàn)有存儲(chǔ)單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣 （1
發(fā)表于 07-28 15:30
?466次閱讀
外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。
三星推出抗量子芯片 正在準(zhǔn)備發(fā)貨
三星半導(dǎo)體部門(mén)宣布已成功開(kāi)發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門(mén)設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用
三星宣布大規(guī)模汽車召回計(jì)劃
近日，三星宣布了一項(xiàng)大規(guī)模的汽車召回計(jì)劃，此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計(jì)180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風(fēng)險(xiǎn)的
三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GP
三星或無(wú)緣代工新一代高通驍龍8至尊版芯片
近期，關(guān)于三星是否能夠?yàn)榻酉聛?lái)的高通驍龍8系列旗艦芯片進(jìn)行代工的消息層出不窮。據(jù)最新爆料顯示，新一代高通驍龍8系列旗艦芯片或?qū)⒂瓉?lái)新的命名——第二代
科技先鋒聯(lián)動(dòng)！三星與世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戲存儲(chǔ)卡
經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達(dá) 1TB，將索尼克的獨(dú)特元素融入三星 microSD 存儲(chǔ)卡上，該卡擁有出色的讀寫(xiě)速度、良好的耐用性能以及廣泛的設(shè)備兼容性。 ? 近日，
下一代FOPLP基板，三星續(xù)用塑料，臺(tái)積青睞玻璃
近期Digitimes報(bào)道指出，在下一代扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）解決方案所使用的材料方面，三星和臺(tái)積電走上了一條明顯的分歧之路。 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星堅(jiān)持使用塑料，而臺(tái)積電則
三星電子獲美47.45億美元芯片補(bǔ)貼
近日，美國(guó)商務(wù)部正式宣布，將依據(jù)芯片激勵(lì)計(jì)劃向三星電子提供高達(dá)47.45億美元的直接資助。這一舉措旨在助力三星電子在美國(guó)進(jìn)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論