三星宣布全面導(dǎo)入EUV 預(yù)計(jì)12英寸晶圓生產(chǎn)率將翻番
當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。
三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
不過，目前支持DDR5的PC平臺(tái)尚未亮相，LPDDR5倒是已經(jīng)逐漸鋪開。三星量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點(diǎn)是平澤市的V2線。
根據(jù)三星此前的預(yù)判，EUV將幫助公司至少推進(jìn)到3nm尺度。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182713 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5296瀏覽量
131166 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
613瀏覽量
88173
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
重大突破！12 英寸碳化硅晶圓剝離成功，打破國外壟斷！
了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白，更為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力，同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前，該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸
晶圓清洗機(jī)怎么做晶圓夾持
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona
在SEMICON China 2025展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶
三星平澤晶圓代工產(chǎn)線恢復(fù)運(yùn)營，6月沖刺最大產(chǎn)能利用率
據(jù)媒體最新報(bào)道，韓國三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機(jī)狀態(tài)，并計(jì)
三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)設(shè)備投資預(yù)算大幅縮減
據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計(jì)劃顯示，該部門今年的設(shè)備投資預(yù)算將大幅縮減至5萬億韓元(約合253.55億元人民幣)。與2024年的10萬億韓元相比，今年的投資預(yù)算直接砍半，顯示出
三星大幅削減2025年晶圓代工投資
近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策，將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露，與上一年相比，此次削減幅度
三星2025年晶圓代工投資減半
近日，據(jù)最新報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元，削減幅度高達(dá)50%。 此次投資削減主要集中在韓國的兩大工廠：平澤P2
正式投產(chǎn)！天成先進(jìn)12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線
來源：天成先進(jìn) 2024年12月30日，天成先進(jìn)12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本
環(huán)球晶獲4.06億美元補(bǔ)助，用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓等擴(kuò)產(chǎn)
的直接補(bǔ)助。 這筆資金將用于支持環(huán)球晶在美國德州謝爾曼市及密蘇里州圣彼得斯市的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)總投資額將達(dá)到40億美元。環(huán)球晶表示，此次補(bǔ)助將對其在美國的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃起到至關(guān)
今日看點(diǎn)丨美商務(wù)部將中國兩大AIoT龍頭列入實(shí)體清單；三星計(jì)劃將5.5代線改造為玻璃基微型OLED產(chǎn)線
。Micro OLED主要使用硅晶圓，但考慮到生產(chǎn)率和經(jīng)濟(jì)性，三星顯示器似乎正在嘗試使用玻璃基板。 ? Micro OLED是一種在1英寸左
發(fā)表于 12-11 11:35
?774次閱讀
三星計(jì)劃關(guān)閉半數(shù)晶圓代工產(chǎn)能以應(yīng)對虧損
據(jù)報(bào)道，三星電子半導(dǎo)體部門正面臨巨大的財(cái)務(wù)壓力，第三季度代工業(yè)務(wù)虧損預(yù)計(jì)高達(dá)1萬億韓元（約合7.24億美元）。為了降低成本，三星已決定暫時(shí)關(guān)閉部分晶
工商網(wǎng)監(jiān)
評論