（文章來源：電氣新科技）

近年來，隨著晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，主流硅基材料與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點(diǎn)而難以突破。2019年，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司完成了14納米芯片的量產(chǎn)， 并以“N+1”制程沖擊7納米工藝。

從晶體管誕生之初，人類就千方百計(jì)地想將其縮到最小，目前全球最頂尖的7納米工藝已經(jīng)接近物理極限。一旦低于5納米，晶體管中電子的行為將受制于量子不確定性，很容易產(chǎn)生隧穿效應(yīng)，晶體管變得不再可靠，芯片制造面臨巨大挑戰(zhàn)。

各國(guó)科學(xué)家積極探索各種新技術(shù)、新工藝、新材料，二維材料是這些新興研究領(lǐng)域中的佼佼者。二維材料是指電子僅可在兩個(gè)維度的非納米尺度（1～100nm）上自由運(yùn)動(dòng)（平面運(yùn)動(dòng)）的材料。例如，目前備受矚目的“石墨烯”就是一種典型的二維材料，此外還有六方氮化硼（hBN）、二硫化鉬、黑磷等。

根據(jù)摩爾定律表述，當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。二維半導(dǎo)體層狀材料為摩爾定律在集成電路的繼續(xù)發(fā)展提供了巨大潛力，而二維半導(dǎo)體的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是避免從相鄰的電介質(zhì)形成電荷散射和陷阱位點(diǎn)。其中，六方氮化硼的絕緣范德華層提供了出色的界面電介質(zhì)，可有效地減少電荷的散射。

研究表明，在熔融金表面或塊狀銅箔上可以生長(zhǎng)出單晶hBN膜。然而，由于熔融金的高成本，交叉污染以及過程控制和可擴(kuò)展性的潛在問題，導(dǎo)致其并不被工業(yè)界所青睞。銅箔可能適用于卷對(duì)卷工藝，但不太可能與晶圓上的先進(jìn)微電子工藝兼容。因此，尋求一種可靠的在晶圓上直接生長(zhǎng)單晶hBN膜的方法將有助于二維材料在工業(yè)中的廣泛應(yīng)用。

近日，臺(tái)積電、臺(tái)灣交通大學(xué)的研究人員，成功研制出了一種全球最薄、厚度只有0.7納米的基于氮化硼（BN）的超薄二維半導(dǎo)體絕緣材料，可望借此進(jìn)一步開發(fā)出2納米甚至1納米制程的芯片，相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然》期刊。

此前，在Cu（111）金屬上生長(zhǎng)hBN單層的嘗試未能實(shí)現(xiàn)單向性，當(dāng)這些層合并成膜時(shí)會(huì)產(chǎn)生不理想的晶界。理論上，學(xué)者們也普遍認(rèn)為在諸如Cu（111）這樣的高對(duì)稱性表面上生長(zhǎng)單晶hBN是不可能的。盡管如此，臺(tái)積電及臺(tái)灣交通大學(xué)的研究者們?cè)趦捎⒋鏲-plane藍(lán)寶石晶圓上的Cu（111）薄膜上實(shí)現(xiàn)了單晶hBN單層的外延生長(zhǎng)。

他們?cè)谥苽渚A的單晶Cu（111）薄膜過程中，發(fā)現(xiàn)在高溫（1040～1070 ℃）下，在氫氣的存在下進(jìn)行后退火是去除孿晶的關(guān)鍵；而對(duì)于單晶hBN的生長(zhǎng)，則存在著最佳的Cu厚度（約500納米）。他們認(rèn)為，實(shí)現(xiàn)單取向hBN三角形薄片的生長(zhǎng)是獲得晶圓級(jí)單晶hBN的重要步驟，因此他們?cè)跓岜诨瘜W(xué)氣相沉積（CVD）爐中將氨硼烷前體流到1英寸單晶Cu（111）薄膜/藍(lán)寶石上來進(jìn)行hBN單層的生長(zhǎng)，而消除Cu（111）中的孿晶晶粒將確保在其上生長(zhǎng)出單晶hBN。

同時(shí)，他們采用更高的溫度（通常為1050 ℃）來確保高質(zhì)量的單晶hBN生長(zhǎng)。接下來，通過進(jìn)一步的模擬及實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Cu（111）表面具有臺(tái)階邊緣是實(shí)現(xiàn)單晶hBN生長(zhǎng)的關(guān)鍵。這表明通過hBN側(cè)向?qū)覥u（111）步驟可增強(qiáng)外延生長(zhǎng)，從而確保hBN單層的單向性。所獲得的單晶hBN以底柵配置作為二硫化鉬和二氧化鉿之間的界面層并入，提高了晶體管的電性能。

成功地在1英寸Cu（111）薄膜上生長(zhǎng)單晶hBN之后，該團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步將生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大到了兩英寸c-plane藍(lán)寶石晶圓上。鑒于完全生長(zhǎng)的hBN層與Cu（111）之間的相互作用僅限于弱范德華力，因此可以借助電化學(xué)過程進(jìn)行聚合物輔助轉(zhuǎn)移來實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)hBN的分離。

該團(tuán)隊(duì)表示，與使用厚銅箔或其他金屬相比，單晶晶圓級(jí)hBN在Cu（111）薄膜上的生長(zhǎng)具有可擴(kuò)展性，并且更具成本效益，對(duì)未來芯片制程的縮小具有十分重要的意義，對(duì)于微電子行業(yè)而言亦可能是一種首選方法。同時(shí)，晶圓級(jí)單晶hBN的可用性將刺激并實(shí)現(xiàn)未來二維電子學(xué)的進(jìn)一步研究和開發(fā)。
（責(zé)任編輯：fqj）