近日三星宣布，他們將在2021年正式開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，并且使用EUV工藝，制作將會在韓國平澤的新工廠進(jìn)行。

EUV光刻和現(xiàn)在常用的DUV光刻不同，它使用波長短得多的極紫外光，這就讓更精細(xì)的光刻成為可能，允許制作更小的晶體管，提升工藝水平，并提升生產(chǎn)效率；三星預(yù)計(jì)，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍，讓產(chǎn)能不再是問題。

此外，三星還宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬了，而旗下第四代10nm級（D1a）DRAM或高端14nm級DRAM在未來也會全面導(dǎo)入EUV技術(shù)，明年會使用D1a工藝大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5芯片，預(yù)計(jì)會使12英寸晶圓廠的生產(chǎn)效率翻倍。

DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)是在2019年發(fā)布的，標(biāo)準(zhǔn)帶寬是32 GBps，此前Micron則展示了一個(gè)DDR5 DRAM的原型，這塊DDR5演示模型速率達(dá)到了4400 MT/s，根據(jù)JEDEC組織的roadmap顯示，未來DDR5內(nèi)存的最高頻率可以達(dá)到6400 MT/s。

根據(jù)英特爾和AMD的路線圖，各自下一代服務(wù)器產(chǎn)品Ice Lake-SP Xeon和EPYC Milan（Zen3）還都是只支持DDR4內(nèi)存了，在往后的Sapphire Rapids Xeon和EPYC Genova才會獲得對DDR5內(nèi)存的支持，但全都要道2021年以后。至于民用消費(fèi)級平臺何時(shí)能夠普及DDR5，那是更有的等了。

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