（文章來源：比特網）

長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。

此前，1月初，長江存儲在市場合作伙伴年會上就透露過，他們將會跳過96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產。長江存儲市場與高級副總裁龔翊表示：“作為閃存行業(yè)新人，長江存儲用3年時間實現了32層、64層再到128層的跨越。”

據悉，長江存儲的128層QLC?3D?NAND閃存產品將會在最晚明年第二季度量產，而達到滿產時將會有月均10萬片的產能。

長江存儲在2019年9月在IC?China?2019紫光集團展臺推出了64層3D?NAND閃存，并開始量產，對于此產品，龔翊表示，長江存儲的64層閃存絕不是低端產品，在保證質量的同時，也能保證盈利。現在，隨著5G、人工智能等高新技術的快速發(fā)展，為了滿足它們的需求，128層QLC閃存將會率先應用到消費級SSD產品中，并且逐步進入到企業(yè)級服務器、數據中心等領域。

目前，受到疫情的影響，今年半導體市場將會很艱難，根據Gartner給出的報道顯示，2020年全球半導體收入預計將會下降0.9%，不過，僅就存儲器市場而言，由于需求增大，NAND閃存全年收入預計將會增加40%。

所以，對于研發(fā)出128層QLC?NAND閃存的長江存儲來說，2020年有望是實現突破的一年，而且，進入到100+層數之后，他們與三星、Intel等國際巨頭的距離進一步縮小，對于長江存儲的未來，我們還是非?？春玫?。
（責任編輯：fqj）