電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議,從第10代V-NAND開始,將使用長江存儲的專利技術(shù),特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。
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W2W技術(shù)是指將兩片已經(jīng)加工完畢的晶圓直接鍵合在一起。這項技術(shù)通過直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點連接,從而縮短了電氣路徑,提高了性能和散熱能力,同時優(yōu)化了生產(chǎn)效率,是目前混合鍵合中最常用的技術(shù)。
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據(jù)ZDNet報道,三星之前在NAND生產(chǎn)中使用COP(外圍單元)方法,即將外圍電路置于一個晶圓上,并將單元堆疊在上面。當層數(shù)超過400層時,底層外圍電路的壓力會顯著增加,影響芯片的可靠性。
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根據(jù)三星的計劃,2025年下半年將量產(chǎn)下一代V10 NAND,預(yù)計堆疊層數(shù)將達到420至430層。因此引入W2W技術(shù)勢在必行。
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長江存儲的混合鍵合技術(shù)命名為“晶棧(Xtacking)”,于四年前推出并用于3D NAND制造,同時進行了全面的專利布局。
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據(jù)介紹,在晶棧Xtacking架構(gòu)推出前,市場上的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA(CMOS under Array)架構(gòu)。長江存儲通過創(chuàng)新布局和縝密驗證,經(jīng)過長達9年在3D IC領(lǐng)域的技術(shù)積累和4年的研發(fā)驗證后,終于將晶圓鍵合這一關(guān)鍵技術(shù)在3D NAND閃存上得以實現(xiàn)。
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在指甲蓋大小的面積上實現(xiàn)數(shù)十億根金屬通道的連接,合二為一成為一個整體,擁有與同一片晶圓上加工無異的優(yōu)質(zhì)可靠性表現(xiàn),這項技術(shù)為未來3D NAND帶來更多的技術(shù)優(yōu)勢和無限的發(fā)展可能。隨著層數(shù)的不斷增高,基于晶棧Xtacking所研發(fā)制造的3D NAND閃存將更具成本和創(chuàng)新優(yōu)勢。
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晶棧Xtacking可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,這樣有利于選擇更先進的邏輯工藝,從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的晶棧Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟即可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,合二為一。
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在傳統(tǒng)3DNAND架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積20~30%,晶棧?Xtacking技術(shù)創(chuàng)新的將外圍電路置于存儲單元之上,從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度,芯片面積可減少約25%。
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晶棧Xtacking 技術(shù)充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢,實現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計及制造,產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短三個月,生產(chǎn)周期可縮短20%。此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
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在長江存儲第三代系列產(chǎn)品中,晶棧 Xtacking已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能。晶棧 Xtacking2.0充分利用架構(gòu)優(yōu)勢為客戶帶來更多價值。其中包括:進一步提升閃存吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化閃存全新商業(yè)模式等。
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根據(jù)TechInsights技術(shù)分析,致態(tài)TiPro9000固態(tài)硬盤(ZTSS3CB08B34MC)采用了長江存儲的新型Xtacking4.x芯片。它由2yy 個有源層(除漏極選擇柵極SGD外,總柵極數(shù)為 294層)組成,下層擁有 150 個柵極,而上層則有 144 個柵極。其TLC NAND 的位密度增至20Gbit/mm^2以上,這在業(yè)界尚屬首次。
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目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司包括美國的Xperi、中國的長江存儲和中國臺灣的臺積電。Xperi是一家專利授權(quán)公司,臺積電是一家半導(dǎo)體代工企業(yè),而長江存儲的“Xtaking”技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定量產(chǎn),并演進到“4.x”版本。
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外媒報道稱,三星要開發(fā)下一代NAND幾乎不可能規(guī)避長江存儲的專利。同樣的,SK海力士也在開發(fā)400層以上NAND產(chǎn)品,一旦用到混合鍵合技術(shù)或?qū)⒉豢杀苊獾匦枰c長江存儲簽訂專利授權(quán)協(xié)議。
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閃存沖擊400層+,混合鍵合技術(shù)傳來消息
- 閃存(115237)
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表面清潔工藝對硅片與晶圓鍵合的影響
隨著產(chǎn)業(yè)和消費升級,電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展,對電子設(shè)備提出了更高的要求。可靠的封裝技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽極鍵合技術(shù)是晶圓封裝的有效手段,已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點是鍵合時間短、鍵合成本低。溫度更高,鍵合效率更高,鍵合連接更可靠。
2023-09-13 10:37:36
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3D Cu-Cu混合鍵合技術(shù)的優(yōu)點和未來發(fā)展
先進半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展,以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項突出進步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù),它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:29
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什么是引線鍵合?引線鍵合的演變
引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:13
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晶圓鍵合的種類和應(yīng)用
晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:24
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什么是混合鍵合?為什么要使用混合鍵合?
要了解混合鍵合,需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時,微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式,在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣,從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:42
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凸點鍵合技術(shù)的主要特征
中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展,凸點鍵合技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:00
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IGBT模塊銀燒結(jié)工藝引線鍵合工藝研究
方法,分別驗證并優(yōu)化了銀燒結(jié)和銅引線鍵合的工藝參數(shù),分析了襯板鍍層對燒結(jié)層和銅線鍵合界面強度的影響,最后對試制的模塊進行浪涌能力和功率循環(huán)壽命測試。結(jié)果顯示?,?與普通模塊相比?,?搭載銀燒結(jié)和銅線鍵合技術(shù)的模塊浪涌能力和功率
2023-12-20 08:41:09
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晶圓鍵合設(shè)備及工藝
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,晶圓鍵合設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓鍵合技術(shù)是一種將兩個或多個晶圓通過特定的工藝方法緊密地結(jié)合在一起的技術(shù),以實現(xiàn)更高性能、更小型化的電子元器件。本文將詳細介紹晶圓鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及晶圓鍵合工藝的流程、特點和應(yīng)用。
2023-12-27 10:56:38
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鋁質(zhì)焊盤的鍵合工藝
共讀好書 姚友誼 吳琪 陽微 胡蓉 姚遠建 (成都西科微波通訊有限公司) 摘要: 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過鍵合的故障現(xiàn)象著手,就鋁焊盤上幾種常見鍵合方式進行了探討,得出鍵合的優(yōu)先級為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:48
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金絲引線鍵合的影響因素探究
共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要: 鍵合對設(shè)備性能和人員技能的要求極高,屬于關(guān)鍵控制工序,鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對鍵合的影響因素進行整體把控,有針對性地控制
2024-02-02 17:07:18
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鍵合銅絲的研究及應(yīng)用現(xiàn)狀
共讀好書 周巖 劉勁松 王松偉 彭庶瑤 彭曉飛 (沈陽理工大學 中國科學院金屬研究所師昌緒先進材料創(chuàng)新中心江西藍微電子科技有限公司) 摘要: 目前,鍵合銅絲因其價格低廉、具有優(yōu)良的材料性能等特點
2024-02-22 10:41:43
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人工智能推動混合鍵合技術(shù)
領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Adeia戰(zhàn)略副總裁Seung Kang博士表示,對計算能力的需求正在加速增長,需求將超過當前支撐當今高性能基礎(chǔ)設(shè)施、平臺和設(shè)備的芯片組技術(shù)的能力。 全球數(shù)字經(jīng)濟的各個垂直領(lǐng)域幾乎都對人工智能的興趣日益濃厚,預(yù)計將推動整個半導(dǎo)體行業(yè)對混合鍵合技術(shù)的需求激增。 Ga
2024-02-01 14:42:50
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消息稱三星正在整合混合鍵合技術(shù)
據(jù)業(yè)界消息人士透露,為了進一步提升其芯片代工能力,三星正全力推進混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉,應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合鍵合設(shè)備,這些設(shè)備預(yù)計將用于三星的下一代封裝解決方案,如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23
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混合鍵合技術(shù)大揭秘:優(yōu)點、應(yīng)用與發(fā)展一網(wǎng)打盡
混合鍵合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同鍵合方法的優(yōu)點,實現(xiàn)了更高的封裝密度、更強的機械性能和更好的熱穩(wěn)定性,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:19
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晶圓到晶圓混合鍵合:將互連間距突破400納米
來源:IMEC Cu/SiCN鍵合技術(shù)的創(chuàng)新是由邏輯存儲器堆疊需求驅(qū)動的 晶圓到晶圓混合鍵合的前景 3D集成是實現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù),是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:29
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晶圓鍵合及后續(xù)工藝流程
芯片堆疊封裝存在著4項挑戰(zhàn),分別為晶圓級對準精度、鍵合完整性、晶圓減薄與均勻性控制以及層內(nèi)(層間)互聯(lián)。
2024-02-21 13:58:34
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先進封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進展
用于先進封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)進行了綜述,首先從工藝流程、連接機理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結(jié)了熱壓工藝、混合鍵合工藝實現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的研究進展與存在問題,進一步地闡述了新型納米材料燒結(jié)工藝在實現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)
2024-03-25 08:39:56
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引線鍵合技術(shù):微電子封裝的隱形力量,你了解多少?
引線鍵合是微電子封裝領(lǐng)域中的一項關(guān)鍵技術(shù),它負責實現(xiàn)芯片與封裝基板或其他芯片之間的電氣連接。隨著集成電路技術(shù)的不斷進步,引線鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展,以適應(yīng)更高性能、更小尺寸和更低成本的需求。本文將詳細介紹引線鍵合技術(shù)的發(fā)展歷程、現(xiàn)狀以及未來趨勢。
2024-04-28 10:14:33
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半導(dǎo)體芯片鍵合裝備綜述
發(fā)展空間較大。對半導(dǎo)體芯片鍵合裝備進行了綜述,具體包括主要組成機構(gòu)和工作原理、關(guān)鍵技術(shù)、發(fā)展現(xiàn)狀。半導(dǎo)體芯片鍵合裝備的主要組成機構(gòu)包括晶圓工作臺、芯片鍵合頭、框架輸送系統(tǒng)、機器視覺系統(tǒng)、點膠系統(tǒng)。半導(dǎo)體芯片鍵合裝備的關(guān)鍵技
2024-06-27 18:31:14
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混合鍵合能走多遠?
推動了這項技術(shù)的發(fā)展,這項技術(shù)對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要。這項技術(shù)被稱為混合鍵合,它將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中,使芯片制造商能夠增加處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量,盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管
2024-06-18 16:57:51
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三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)
內(nèi)存(HBM)中采用先進的混合鍵合(Hybrid Bonding)技術(shù),這一創(chuàng)新舉措無疑將推動DRAM技術(shù)邁向新的高度。
2024-06-25 10:01:36
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金絲鍵合強度測試儀試驗方法:鍵合拉脫、引線拉力、鍵合剪切力
金絲鍵合強度測試儀是測量引線鍵合強度,評估鍵合強度分布或測定鍵合強度是否符合有關(guān)的訂購文件的要求。鍵合強度試驗機可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:59
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鍵合點剪切力試驗步驟和檢查內(nèi)容
最近比較多客戶咨詢鍵合剪切力試驗儀器以及如何測試剪切力?抽空整理了一份鍵合點剪切力試驗步驟和已剪切的鍵合點如何檢查。鍵合點剪切試驗:在開始進行試驗前,鍵合剪切設(shè)備應(yīng)通過所有的自診斷測試。鍵合剪切設(shè)備
2024-07-12 15:11:04
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:19
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SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:11
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金絲鍵合工藝溫度研究:揭秘鍵合質(zhì)量的奧秘!
在微電子封裝領(lǐng)域,金絲鍵合(Wire Bonding)工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù),扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細金屬線(主要是金絲)將芯片上的焊點與封裝基板或另一芯片上的對應(yīng)焊點連接起來
2024-08-16 10:50:14
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混合鍵合技術(shù):開啟3D芯片封裝新篇章
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,技術(shù)的每一次革新都標志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來,隨著芯片性能需求的不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合鍵合(Hybrid
2024-08-26 10:41:54
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金剛石/GaN 異質(zhì)外延與鍵合技術(shù)研究進展
,主要包括GaN 功率器件的器件層散熱和襯底層散熱。器件層散熱主要有金剛石鈍化散熱技術(shù),其在GaN 器件層中異質(zhì)外延金剛石散熱層;襯底層散熱主要有鍵合技術(shù)、異質(zhì)外延技術(shù),其中鍵合技術(shù)通常需要在金剛石
2024-11-01 11:08:07
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電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵合的主要方法和工藝
DieBound芯片鍵合,是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導(dǎo)體工藝中,“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型,即
2024-09-20 08:04:29
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混合鍵合,成為“芯”寵
要求,傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔(TSV)鍵合等,正逐步顯露其局限。在這種背景下,混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力,正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:54
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晶圓鍵合技術(shù)的類型有哪些
晶圓鍵合技術(shù)是一種先進的半導(dǎo)體制造工藝,它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(微機電系統(tǒng))等領(lǐng)域,是實現(xiàn)高效封裝和集成的重要步驟。晶圓鍵合技術(shù)不僅能夠提高器件的性能和可靠性,還能滿足市場對半導(dǎo)體器件集成度日益提高的需求。
2024-10-21 16:51:40
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混合鍵合的基本原理和優(yōu)勢
混合鍵合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢,以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:51
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先進封裝技術(shù)激戰(zhàn)正酣:混合鍵合成新星,重塑芯片領(lǐng)域格局
隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限,半導(dǎo)體巨擘越來越依賴先進封裝技術(shù)推動性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進,芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競爭力的展現(xiàn)。而“混合鍵合
2024-11-08 11:00:54
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三維堆疊封裝新突破:混合鍵合技術(shù)揭秘!
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片的性能需求不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合鍵合(Hybrid Bonding)技術(shù)應(yīng)運而生,并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:32
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晶圓鍵合膠的鍵合與解鍵合方式
晶圓鍵合是十分重要的一步工藝,本文對其詳細介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓鍵合膠? 晶圓鍵合膠(wafer bonding adhesive)是一種用于
2024-11-14 17:04:44
985


混合鍵合:開創(chuàng)半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)新紀元
功能?在眾多關(guān)鍵技術(shù)中,晶圓鍵合技術(shù)雖然不像光刻技術(shù)那樣廣為人知,但它卻默默地在我們的手機圖像傳感器、重力加速傳感器、麥克風、4G和5G射頻前端,以及部分NAND閃存中發(fā)揮著重要作用。那么,這一技術(shù)中的新興領(lǐng)域——混合
2024-11-18 10:08:05
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微流控多層鍵合技術(shù)
一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù): 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中,有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對比了大量鍵合方法,認為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:00
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芯片倒裝與線鍵合相比有哪些優(yōu)勢
線鍵合與倒裝芯片作為封裝技術(shù)中兩大重要的連接技術(shù),各自承載著不同的使命與優(yōu)勢。那么,芯片倒裝(Flip Chip)相對于傳統(tǒng)線鍵合(Wire Bonding)究竟有哪些優(yōu)勢呢?倒裝芯片在封裝技術(shù)演進
2024-11-21 10:05:15
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從發(fā)展歷史、研究進展和前景預(yù)測三個方面對混合鍵合(HB)技術(shù)進行分析
摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合鍵合( HB) 技術(shù)是一種先進的3D 堆疊封裝技術(shù),可以實現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:46
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有什么方法可以去除晶圓鍵合邊緣缺陷?
去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種:
一、化學氣相淀積與平坦化工藝
方法概述:
提供待鍵合的晶圓。
利用化學氣相淀積的方法,在晶圓的鍵合面淀積一層沉積量大于一定閾值(如1.6TTV
2024-12-04 11:30:18
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帶你一文了解什么是引線鍵合(WireBonding)技術(shù)?
微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連,實現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下,金屬引線與基板之間的連接可以達到原子級別的鍵
2024-12-24 11:32:04
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微流控芯片鍵合技術(shù)
微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一,特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料:通常通過熱鍵合
2024-12-30 13:56:31
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引線鍵合的基礎(chǔ)知識
引線鍵合 引線鍵合,又稱壓焊,是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測試良率具有決定性影響。 以下是對引線鍵合的分述: 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:01
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什么是引線鍵合(WireBonding)
線鍵合(WireBonding)線鍵合是一種使用細金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合,實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下,引線和基板間會發(fā)
2025-01-06 12:24:10
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混合鍵合中的銅連接:或成摩爾定律救星
混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里,一項涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項技術(shù)被稱為“混合鍵合”,可以
2025-02-09 09:21:43
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