chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>閃存沖擊400層+,混合鍵合技術(shù)傳來消息

閃存沖擊400層+,混合鍵合技術(shù)傳來消息

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

鋁帶點根部損傷研究

潘明東 朱悅 楊陽 徐一飛 陳益新 (長電科技宿遷股份公司) 摘要: 鋁帶合作為粗鋁線的延伸和發(fā)展,焊點根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣,該文簡述了鋁帶工藝過程,分析了導(dǎo)致鋁帶
2024-11-01 11:08:071673

半導(dǎo)體晶片的對準方法

多年來,半導(dǎo)體晶片合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片與傳統(tǒng)的晶片技術(shù)相比具有許多優(yōu)點,例如相對較低的溫度、沒有電壓或電流、與標準互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:043971

晶圓中使用的主要技術(shù)

晶片是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學過程。晶片合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓中有兩種主要的,臨時和永久,兩者都是在促進三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:433291

介紹芯片(die bonding)工藝

作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:3713706

IGBT芯片互連常用線材料特性

鋁線是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線技術(shù)工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁線被稱為細鋁線,直徑大于100um小于500um的鋁線被稱為粗鋁線。粗鋁線實物如圖1所示。
2023-03-27 11:15:574867

銅線設(shè)備焊接一致性探索

相對于傳統(tǒng)金線,銅線設(shè)備焊接過程工藝窗口更小,對焊接的一致性要求更高。通過對銅線工藝窗口的影響因素進行分析,探索了設(shè)備焊接過程的影響和提升辦法,為銅線技術(shù)的推廣應(yīng)用提供技術(shù)指導(dǎo)。
2023-10-31 14:10:16917

鋁硅絲超聲鍵合引線失效分析與解決

在微電子封裝中,引線鍵合是實現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號輸入輸出的重要方式,的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針對電路實際生產(chǎn)中遇到的測試短路、內(nèi)部絲脫落
2023-11-02 09:34:051093

金線工藝技術(shù)詳解(69頁PPT)

金線工藝技術(shù)詳解(69頁PPT)
2024-11-01 11:08:072132

全球首臺光學拆設(shè)備發(fā)布,和激光拆有什么不同?

晶圓與載板分離。 當前,激光拆是主要的拆技術(shù)發(fā)展方向。激光拆技術(shù)是將臨時膠通過旋涂的方式涂在器件晶圓上,并配有激光響應(yīng),當減薄、TSV加工和金屬化等后面工藝完成之后,再通過激光掃描的方式,分離
2024-03-26 00:23:003133

3D NAND閃存來到290400+不遠了

V-NAND 1Tb TLC達290,已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃,2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進入300+,甚至400以上。至于遠期,到2030年閃存有望突破1000。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:004135

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

。使用軟焊可以消除應(yīng)力,卻要以熱疲勞和低強度為代價,而硬焊具有高強度卻無法消除應(yīng)力。瞬態(tài)液相技術(shù)要求使用一個擴散勢壘,以防止Si3N4襯底上的銅金屬化與用來SiC芯片的Au之間的互擴散
2018-09-11 16:12:04

臨時有人做過這個嗎?

目前在做砷化鎵和磷化銦,在研究bongder和debonder工藝, 主要是超薄片很難處理,so暫定臨時和薄片清洗流程,因為正面有保護可以做背面工藝,這里有前輩做過這個嗎?
2018-12-17 13:55:06

什么是

請教:最近在書上講解電感時提到一個名詞——線,望大家能給出通俗詳細解釋
2014-06-22 13:21:45

優(yōu)化封裝之線封裝中的兩個主要不連續(xù)區(qū)

的物理包括一個連接到子卡的線封裝或倒裝芯片封裝的發(fā)射器件。子卡通過一個連接器插在背板上。背板上的路由通過插入的子卡連接到一個或一組連接器。采用線或倒裝芯片封裝的接收芯片也位于這些子卡上
2018-09-12 15:29:27

國內(nèi)有做晶圓工藝的擁有自主技術(shù)的廠家嗎?

找了一圈,發(fā)現(xiàn)做線機的比較多,想知道做晶圓wafer bonding的中國廠家。
2021-04-28 14:34:57

有償求助本科畢業(yè)設(shè)計指導(dǎo)|引線鍵合|封裝工藝

任務(wù)要求: 了解微電子封裝中的引線鍵合工藝,學習金絲引線鍵合原理,開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法,通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析和仿真結(jié)果,分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口,并給出工藝參數(shù)和質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51

求助??!有懂面技術(shù)的嗎

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯 急求關(guān)于面技術(shù)的相關(guān)資料,面?。?/div>
2012-12-11 22:25:48

硅-直接技術(shù)的應(yīng)用

硅-硅直接技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件,按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類:一類是襯底材料,包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水N+-N-或
2018-11-23 11:05:56

硅片碎片問題

硅襯底和砷化鎵襯底金金后,晶圓粉碎是什么原因,偶發(fā)性異常,找不出規(guī)律,有大佬清楚嗎,求助!
2023-03-01 14:54:11

芯片封裝技術(shù)各種微互連方式簡介教程

芯片封裝技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義:將芯片凸點電極與載帶的引線連接,經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶:即帶狀載體,是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架,而且芯片
2012-01-13 14:58:34

新型銅線技術(shù)

銅線以其良好的電器機械性能和低成本特點已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在過程中容易帶來新的失效問題,文中對這種
2009-03-07 10:30:5716

陽極工藝進展及其在微傳感器中的應(yīng)用

分析了陽極技術(shù)的原理和當前陽極技術(shù)的研究進展,綜述了微傳感器對陽極的新需求,展望了陽極技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽極; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4926

混合電路內(nèi)引線鍵合可靠性研究

摘要:本文簡述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理,分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素,重點分析了最常見的幾種失效模式:強度下降、點脫落等,并提
2010-05-31 09:38:0430

原子間的

原子間的 1.2.1 金屬???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成合稱為金屬。金屬的基本特點是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:315157

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射設(shè)計

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射設(shè)計 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231014

大功率IGBT模塊封裝中的超聲引線鍵合技術(shù)

從超聲引線鍵合的機理入手,對大功率IGBT 模塊引線的材料和界面特性進行了分析,探討了參數(shù)對強度的影響。最后介紹了幾種用于檢測點強度的方法,利用檢測結(jié)果
2011-10-26 16:31:3366

集成電路封裝中的引線鍵合技術(shù)

在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝中引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢,因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
2011-10-26 17:13:5686

Ziptronix授權(quán)索尼DBI混合專利技術(shù)

美國北卡羅來納州研究三角園消息—2015年3月28日—三維集成電路低溫直接專利技術(shù)開發(fā)商和供應(yīng)商Ziptronix公司今天宣布與索尼公司簽署了一份用于高級圖像傳感器應(yīng)用的專利許可協(xié)議。
2015-04-01 11:55:381771

線等效電阻的IGBT模塊老化失效研究

已有研究表明,線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性,分析線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145

長江存儲計劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊
2019-04-01 16:53:121806

SK海力士全球首個量產(chǎn)128堆疊4D閃存沖擊176

SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功,并批量生產(chǎn)128堆疊的4D NAND閃存芯片,此時距離去年量產(chǎn)964D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283287

長江存儲宣布將跳過96堆疊閃存技術(shù)直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96堆疊閃存技術(shù),直接投入128閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211058

陽極技術(shù)廣泛應(yīng)用于MEMS器件的制備過程中

1969年,美國的Wallis和Pomerantz兩位研究人員首次提出了陽極技術(shù),其方法如圖1所示。陽極目前在硅片與玻璃中得到了較為廣泛的應(yīng)用,技術(shù)發(fā)展相對較為成熟。其基本原理如圖2
2020-06-17 11:33:1413167

研發(fā)的銅混合工藝正推動下一代2.5D和3D封裝技術(shù)

代工廠、設(shè)備供應(yīng)商、研發(fā)機構(gòu)等都在研發(fā)一種稱之為銅混合(Hybrid bonding)工藝,這項技術(shù)正在推動下一代2.5D和3D封裝技術(shù)
2020-10-10 15:24:327366

銀線二焊點剝離失效分析

銀線二焊點剝離LED死燈的案子時常發(fā)生,大家通常爭論是鍍銀結(jié)合力差的問題,還是線工藝問題,而本案例,金鑒從百格實驗和FIB截面觀察的角度來判定為工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:122623

晶片技術(shù)和薄膜傳輸技術(shù)

結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲,晶片技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片技術(shù)在電子、光學器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:292871

三大引線材料、工藝助力陶瓷封裝工藝

引線鍵合技術(shù)是一種固相方法,其基本原理是:在過程中,采用超聲、加壓和加熱等方式破壞被焊接表面的氧化和污染物,產(chǎn)生塑性變形,使得引線與被焊接面親密接觸,達到原子間的引力范圍并導(dǎo)致界面間原子擴散而形成有效焊接。
2022-03-21 10:45:316911

MEMS工藝中的技術(shù)

技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一,是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學反應(yīng)機制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)
2022-10-11 09:59:575184

電鍍創(chuàng)新實現(xiàn)超精細銦

)至關(guān)重要,混合集成是將來自不同技術(shù)的芯片組合成高性能模塊的過程,例如激光雷達和其他成像應(yīng)用中的混合像素探測器。曾經(jīng)用于倒裝芯片接合的錫焊料正在被包括銦在內(nèi)的無鉛替代品所取代。然而,使用傳統(tǒng)方法制備對于形成必不可少的銦
2022-11-11 17:11:011282

半導(dǎo)體封裝:銅絲的性能優(yōu)勢與主要應(yīng)用問題

為解決銅絲硬度大帶來的難度,半導(dǎo)體封裝企業(yè)通常選擇應(yīng)用超聲工藝或壓力工藝提升效果,這也導(dǎo)致焊接期間需要耗費更多的時間完成工作。
2022-12-15 15:44:463597

引線鍵合點剪切試驗的目的及過程分析

本試驗提供了確定芯片面上的金絲球點的強度測定方法,可在元器件封裝前或封裝后進行測定。
2022-12-20 10:17:043414

陶瓷基板上自動各參數(shù)對形貌的影響研究

通過控制單一變量的試驗方法,研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時間和壓力等參數(shù)對自動合一致性和可靠性的影響,分析了每個參數(shù)對自動的影響規(guī)律,給出了自動參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:312136

半導(dǎo)體集成電路銅線性能有哪些?

,不斷創(chuàng)造新的技術(shù)極限。傳統(tǒng)的金線、鋁線與封裝技術(shù)的要求不相匹配。銅線合在成本和材料特性方面有很多優(yōu)于金、鋁的地方,但是銅線技術(shù)還面臨一些挑戰(zhàn)和問題。如果這些問題能夠得到很好的解決,銅線技術(shù)
2023-02-07 11:58:352159

極小焊盤的金絲方案

金絲質(zhì)量的好壞受劈刀、參數(shù)、鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形和球形分別在不同情況下可以得到最佳效果。工藝人員針對不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:255396

混合的發(fā)展與應(yīng)用

兩片晶圓面對面合時是銅金屬對銅金屬、介電值對介電質(zhì),兩邊介面的形狀、位置完全相同,晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合先進封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計、線路設(shè)計時就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:301455

金絲推拉力測試機應(yīng)用

金絲推拉力測試機應(yīng)用
2023-05-16 14:32:55978

?晶圓直接及室溫技術(shù)研究進展

晶圓直接技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:271951

先進封裝中銅-銅低溫技術(shù)研究進展

Cu-Cu 低溫技術(shù)是先進封裝的核心技術(shù),相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝,其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強、可靠性更優(yōu). 文中對應(yīng)用于先進封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫技術(shù)進行了
2023-06-20 10:58:482941

Chiplet混合難題取得新突破

小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機遇,但當前的技術(shù)帶來了許多挑戰(zhàn)。
2023-06-20 16:45:13700

混合的發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)

在本文中,我們將討論混合的趨勢、混合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:081971

半導(dǎo)體器件失效模式及機理分析

本文通過對典型案例的介紹,分析了工藝不當,以及器件封裝因素對器件失效造成的影響。通過對工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結(jié),闡述了工藝不當及封裝不良,造成本質(zhì)失效的機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:152102

引線鍵合是什么?引線鍵合的具體方法

的傳輸路徑)的方法被稱為引線鍵合(Wire Bonding)。其實,使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了,現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來,加裝芯片(Flip Chip Bonding)和硅穿孔
2023-08-09 09:49:474845

表面清潔工藝對硅片與晶圓的影響

隨著產(chǎn)業(yè)和消費升級,電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展,對電子設(shè)備提出了更高的要求。可靠的封裝技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽極技術(shù)是晶圓封裝的有效手段,已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點是合時間短、合成本低。溫度更高,效率更高,連接更可靠。
2023-09-13 10:37:36684

3D Cu-Cu混合技術(shù)的優(yōu)點和未來發(fā)展

先進半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展,以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項突出進步是 3D Cu-Cu 混合技術(shù),它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:291534

什么是引線鍵合?引線鍵合的演變

引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細線從器件上的焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:132493

晶圓的種類和應(yīng)用

晶圓技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:241685

什么是混合?為什么要使用混合?

 要了解混合,需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時,微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式,在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣,從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:425272

凸點技術(shù)的主要特征

中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展,凸點技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片及封裝體的3D疊封裝。
2023-12-05 09:40:001923

IGBT模塊銀燒結(jié)工藝引線鍵合工藝研究

方法,分別驗證并優(yōu)化了銀燒結(jié)和銅引線鍵合的工藝參數(shù),分析了襯板鍍層對燒結(jié)和銅線界面強度的影響,最后對試制的模塊進行浪涌能力和功率循環(huán)壽命測試。結(jié)果顯示?,?與普通模塊相比?,?搭載銀燒結(jié)和銅線技術(shù)的模塊浪涌能力和功率
2023-12-20 08:41:092114

晶圓設(shè)備及工藝

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,晶圓設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓技術(shù)是一種將兩個或多個晶圓通過特定的工藝方法緊密地結(jié)合在一起的技術(shù),以實現(xiàn)更高性能、更小型化的電子元器件。本文將詳細介紹晶圓設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及晶圓工藝的流程、特點和應(yīng)用。
2023-12-27 10:56:381756

鋁質(zhì)焊盤的工藝

共讀好書 姚友誼 吳琪 陽微 胡蓉 姚遠建 (成都西科微波通訊有限公司) 摘要: 從鋁質(zhì)焊盤后易發(fā)生欠和過的故障現(xiàn)象著手,就鋁焊盤上幾種常見方式進行了探討,得出的優(yōu)先級為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:481089

金絲引線鍵合的影響因素探究

共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要: 對設(shè)備性能和人員技能的要求極高,屬于關(guān)鍵控制工序,質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對的影響因素進行整體把控,有針對性地控制
2024-02-02 17:07:18944

銅絲的研究及應(yīng)用現(xiàn)狀

共讀好書 周巖 劉勁松 王松偉 彭庶瑤 彭曉飛 (沈陽理工大學 中國科學院金屬研究所師昌緒先進材料創(chuàng)新中心江西藍微電子科技有限公司) 摘要: 目前,銅絲因其價格低廉、具有優(yōu)良的材料性能等特點
2024-02-22 10:41:431417

人工智能推動混合技術(shù)

領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Adeia戰(zhàn)略副總裁Seung Kang博士表示,對計算能力的需求正在加速增長,需求將超過當前支撐當今高性能基礎(chǔ)設(shè)施、平臺和設(shè)備的芯片組技術(shù)的能力。 全球數(shù)字經(jīng)濟的各個垂直領(lǐng)域幾乎都對人工智能的興趣日益濃厚,預(yù)計將推動整個半導(dǎo)體行業(yè)對混合技術(shù)的需求激增。 Ga
2024-02-01 14:42:50391

消息稱三星正在整合混合技術(shù)

據(jù)業(yè)界消息人士透露,為了進一步提升其芯片代工能力,三星正全力推進混合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉,應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合設(shè)備,這些設(shè)備預(yù)計將用于三星的下一代封裝解決方案,如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23832

混合技術(shù)大揭秘:優(yōu)點、應(yīng)用與發(fā)展一網(wǎng)打盡

混合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同方法的優(yōu)點,實現(xiàn)了更高的封裝密度、更強的機械性能和更好的熱穩(wěn)定性,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:193209

晶圓到晶圓混合:將互連間距突破400納米

來源:IMEC Cu/SiCN技術(shù)的創(chuàng)新是由邏輯存儲器堆疊需求驅(qū)動的 晶圓到晶圓混合的前景 3D集成是實現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù),是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:29703

晶圓及后續(xù)工藝流程

芯片堆疊封裝存在著4項挑戰(zhàn),分別為晶圓級對準精度、完整性、晶圓減薄與均勻性控制以及內(nèi)(間)互聯(lián)。
2024-02-21 13:58:346197

先進封裝中銅-銅低溫技術(shù)研究進展

用于先進封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫技術(shù)進行了綜述,首先從工藝流程、連接機理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結(jié)了熱壓工藝、混合工藝實現(xiàn) Cu-Cu 低溫的研究進展與存在問題,進一步地闡述了新型納米材料燒結(jié)工藝在實現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)
2024-03-25 08:39:56976

引線鍵合技術(shù):微電子封裝的隱形力量,你了解多少?

引線鍵合是微電子封裝領(lǐng)域中的一項關(guān)鍵技術(shù),它負責實現(xiàn)芯片與封裝基板或其他芯片之間的電氣連接。隨著集成電路技術(shù)的不斷進步,引線鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展,以適應(yīng)更高性能、更小尺寸和更低成本的需求。本文將詳細介紹引線鍵合技術(shù)的發(fā)展歷程、現(xiàn)狀以及未來趨勢。
2024-04-28 10:14:331404

半導(dǎo)體芯片裝備綜述

發(fā)展空間較大。對半導(dǎo)體芯片裝備進行了綜述,具體包括主要組成機構(gòu)和工作原理、關(guān)鍵技術(shù)、發(fā)展現(xiàn)狀。半導(dǎo)體芯片裝備的主要組成機構(gòu)包括晶圓工作臺、芯片頭、框架輸送系統(tǒng)、機器視覺系統(tǒng)、點膠系統(tǒng)。半導(dǎo)體芯片裝備的關(guān)鍵技
2024-06-27 18:31:141670

混合能走多遠?

推動了這項技術(shù)的發(fā)展,這項技術(shù)對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要。這項技術(shù)被稱為混合,它將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中,使芯片制造商能夠增加處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量,盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管
2024-06-18 16:57:511690

三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合技術(shù)

內(nèi)存(HBM)中采用先進的混合(Hybrid Bonding)技術(shù),這一創(chuàng)新舉措無疑將推動DRAM技術(shù)邁向新的高度。
2024-06-25 10:01:36849

金絲強度測試儀試驗方法:拉脫、引線拉力、剪切力

金絲強度測試儀是測量引線鍵合強度,評估強度分布或測定強度是否符合有關(guān)的訂購文件的要求。強度試驗機可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:59808

點剪切力試驗步驟和檢查內(nèi)容

最近比較多客戶咨詢剪切力試驗儀器以及如何測試剪切力?抽空整理了一份點剪切力試驗步驟和已剪切的點如何檢查。點剪切試驗:在開始進行試驗前,剪切設(shè)備應(yīng)通過所有的自診斷測試。剪切設(shè)備
2024-07-12 15:11:04764

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合技術(shù),這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:19871

SK海力士加速NAND研發(fā),400+閃存量產(chǎn)在即

韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111200

金絲工藝溫度研究:揭秘質(zhì)量的奧秘!

在微電子封裝領(lǐng)域,金絲(Wire Bonding)工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù),扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細金屬線(主要是金絲)將芯片上的焊點與封裝基板或另一芯片上的對應(yīng)焊點連接起來
2024-08-16 10:50:142170

混合技術(shù):開啟3D芯片封裝新篇章

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,技術(shù)的每一次革新都標志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來,隨著芯片性能需求的不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合(Hybrid
2024-08-26 10:41:541177

金剛石/GaN 異質(zhì)外延與技術(shù)研究進展

,主要包括GaN 功率器件的器件散熱和襯底層散熱。器件散熱主要有金剛石鈍化散熱技術(shù),其在GaN 器件中異質(zhì)外延金剛石散熱;襯底層散熱主要有技術(shù)、異質(zhì)外延技術(shù),其中鍵技術(shù)通常需要在金剛石
2024-11-01 11:08:07585

電子封裝 | Die Bonding 芯片的主要方法和工藝

DieBound芯片,是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹一下幾種主要的芯片的方法和工藝。什么是芯片合在半導(dǎo)體工藝中,“”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型,即
2024-09-20 08:04:291129

混合,成為“芯”寵

要求,傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片和硅通孔(TSV)等,正逐步顯露其局限。在這種背景下,混合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力,正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:54661

晶圓技術(shù)的類型有哪些

晶圓技術(shù)是一種先進的半導(dǎo)體制造工藝,它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(微機電系統(tǒng))等領(lǐng)域,是實現(xiàn)高效封裝和集成的重要步驟。晶圓技術(shù)不僅能夠提高器件的性能和可靠性,還能滿足市場對半導(dǎo)體器件集成度日益提高的需求。
2024-10-21 16:51:40808

混合的基本原理和優(yōu)勢

混合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢,以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:511275

先進封裝技術(shù)激戰(zhàn)正酣:混合合成新星,重塑芯片領(lǐng)域格局

隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限,半導(dǎo)體巨擘越來越依賴先進封裝技術(shù)推動性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進,芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競爭力的展現(xiàn)。而“混合
2024-11-08 11:00:54789

三維堆疊封裝新突破:混合技術(shù)揭秘!

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片的性能需求不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合(Hybrid Bonding)技術(shù)應(yīng)運而生,并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:321343

晶圓膠的與解方式

晶圓是十分重要的一步工藝,本文對其詳細介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓膠? 晶圓膠(wafer bonding adhesive)是一種用于
2024-11-14 17:04:44985

混合:開創(chuàng)半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)新紀元

功能?在眾多關(guān)鍵技術(shù)中,晶圓技術(shù)雖然不像光刻技術(shù)那樣廣為人知,但它卻默默地在我們的手機圖像傳感器、重力加速傳感器、麥克風、4G和5G射頻前端,以及部分NAND閃存中發(fā)揮著重要作用。那么,這一技術(shù)中的新興領(lǐng)域——混合
2024-11-18 10:08:05556

微流控多層技術(shù)

一、超聲鍵合輔助的多層技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層技術(shù): 在超聲鍵合微流控芯片多層研究中,有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對比了大量方法,認為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:00275

芯片倒裝與線相比有哪些優(yōu)勢

與倒裝芯片作為封裝技術(shù)中兩大重要的連接技術(shù),各自承載著不同的使命與優(yōu)勢。那么,芯片倒裝(Flip Chip)相對于傳統(tǒng)線(Wire Bonding)究竟有哪些優(yōu)勢呢?倒裝芯片在封裝技術(shù)演進
2024-11-21 10:05:15909

從發(fā)展歷史、研究進展和前景預(yù)測三個方面對混合(HB)技術(shù)進行分析

摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合( HB) 技術(shù)是一種先進的3D 堆疊封裝技術(shù),可以實現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:461767

有什么方法可以去除晶圓邊緣缺陷?

去除晶圓邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種: 一、化學氣相淀積與平坦化工藝 方法概述: 提供待的晶圓。 利用化學氣相淀積的方法,在晶圓的面淀積一沉積量大于一定閾值(如1.6TTV
2024-12-04 11:30:18374

帶你一文了解什么是引線鍵合(WireBonding)技術(shù)

微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連,實現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下,金屬引線與基板之間的連接可以達到原子級別的
2024-12-24 11:32:04857

微流控芯片技術(shù)

微流控芯片技術(shù)的重要性 微流控芯片的技術(shù)是實現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一,特別是在密封技術(shù)方面。技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的方式 玻璃材料:通常通過熱鍵
2024-12-30 13:56:31192

引線鍵合的基礎(chǔ)知識

引線鍵合 引線鍵合,又稱壓焊,是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測試良率具有決定性影響。 以下是對引線鍵合的分述: 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:01407

什么是引線鍵合(WireBonding)

(WireBonding)線是一種使用細金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊,實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下,引線和基板間會發(fā)
2025-01-06 12:24:10356

混合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里,一項涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項技術(shù)被稱為“混合”,可以
2025-02-09 09:21:43195

Cu-Cu混合的原理是什么

本文介紹了Cu-Cu混合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:1185

已全部加載完成