6月20日，紫光集團(tuán)發(fā)布消息，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開(kāi)工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，達(dá)產(chǎn)后與一期項(xiàng)目合計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片。

不容忽視的是，行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。6月1日，其宣布將在韓國(guó)平澤工廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存芯片，同時(shí)該公司在西安的閃存項(xiàng)目也在持續(xù)擴(kuò)大投資，計(jì)劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。

觀察者網(wǎng)注意到，受上述消息影響，A股早盤(pán)，光刻膠、半導(dǎo)體、國(guó)產(chǎn)芯片等板塊紛紛走強(qiáng)。個(gè)股方面，瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測(cè)控等集成電路概念股均大幅上漲。

一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破

紫光集團(tuán)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠(chǎng)，總投資240億美元。

其中，項(xiàng)目一期于2016年底開(kāi)工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。

在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

在64層3D NAND閃存量產(chǎn)7個(gè)月后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年4月宣布新的研發(fā)進(jìn)展，其跳過(guò)96層，成功研制出業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量產(chǎn)時(shí)間，長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)時(shí)向觀察者網(wǎng)表示，配合前述產(chǎn)能，128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產(chǎn)。

西南證券6月21日分析指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬(wàn)片月產(chǎn)能，計(jì)劃將于2020年底滿(mǎn)產(chǎn)，考慮到國(guó)外廠(chǎng)商擴(kuò)產(chǎn)情況，屆時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市全球占率將達(dá)5%左右。

“2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)突破32層3D閃存，與國(guó)外差距3-4年；2019年其實(shí)現(xiàn)64層技術(shù)量產(chǎn)，與國(guó)外差距縮小至2年；今年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D閃存研制成功，若128層年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，則與三星、海力士、美光等國(guó)外廠(chǎng)商技術(shù)差距縮小至1年，一期的技術(shù)突破任務(wù)已基本完成?！痹撊谭治龇Q(chēng)。

華創(chuàng)證券分析指出，存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，也是中國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。近些年內(nèi)存、固態(tài)硬盤(pán)、顯卡價(jià)格屢現(xiàn)上漲，根源在于存儲(chǔ)芯片掌握在少數(shù)國(guó)外廠(chǎng)家手中。國(guó)產(chǎn)化將降低國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品成本，并提升上游設(shè)備公司訂單。

6月9日，基于二季度數(shù)據(jù)，SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）調(diào)整2021年全球晶圓廠(chǎng)設(shè)備開(kāi)支規(guī)模的預(yù)測(cè)值，由此前預(yù)估的657億美元上調(diào)至創(chuàng)紀(jì)錄的677億美元，預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)率為24%。其中，存儲(chǔ)器工廠(chǎng)的設(shè)備開(kāi)支規(guī)模最大，預(yù)計(jì)達(dá)到300億美元。

前述券商統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至今年6月20日，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)商在長(zhǎng)江存儲(chǔ)中標(biāo)數(shù)量排名依次為：北方華創(chuàng)（中標(biāo)56臺(tái)）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導(dǎo)體（18）、華海清科（11）、精測(cè)電子（8）、沈陽(yáng)拓荊（5）、中科飛測(cè)（3）、睿勵(lì)（2），覆蓋刻蝕、沉積、檢測(cè)、清洗、CMP多個(gè)領(lǐng)域。

三星、海力士紛紛擴(kuò)產(chǎn)

事實(shí)上，目前全球閃存市場(chǎng)仍高度集中且被國(guó)外廠(chǎng)商壟斷。2020年一季度，三星、鎧俠（東芝）、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場(chǎng)合計(jì)占有率超99%。

3月底，集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）的調(diào)查顯示，雖然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在閃存（NAND Flash）領(lǐng)域，由于2020年全年供給收縮，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。

展望第二季度，該機(jī)構(gòu)指出，北美及中國(guó)市場(chǎng)數(shù)據(jù)中心的買(mǎi)方態(tài)度仍相當(dāng)積極，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（Enterprise SSD）也成為所有應(yīng)用類(lèi)別中缺貨態(tài)勢(shì)最為明顯的產(chǎn)品。由于Enterprise SSD占整體NAND Flash出貨比重持續(xù)提升，因此價(jià)格的強(qiáng)勁表現(xiàn)也帶動(dòng)第二季整體NAND Flash均價(jià)將上漲至少5%。

而隨著“宅經(jīng)濟(jì)”推動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)需求的增加，加之價(jià)格上漲，龍頭廠(chǎng)商也紛紛開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)。

6月1日，路透社報(bào)道，三星電子宣布，將擴(kuò)大其在韓國(guó)平澤市（Pyeongtaek）的NAND閃存芯片生產(chǎn)能力，以押注未來(lái)對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)和服務(wù)器的需求，因?yàn)樾鹿诓《敬偈垢嗳嗽诩夜ぷ鳌?/p>

報(bào)道指出，三星計(jì)劃在明年下半年大規(guī)模生產(chǎn)該芯片，新增的產(chǎn)能將有助于滿(mǎn)足對(duì)5G手機(jī)和其他設(shè)備的需求。分析師預(yù)計(jì)，三星此次投資額將在7萬(wàn)億韓元至8萬(wàn)億韓元（約合65億美元）之間。

7個(gè)月前，三星宣布啟動(dòng)西安閃存芯片（NAND）項(xiàng)目二期第二階段80億美元（約合人民幣563億元）投資。項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬(wàn)片，使西安成為全球規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

與此同時(shí)，據(jù)DIGITIMES今年4月報(bào)道，SK海力士將在韓國(guó)M15工廠(chǎng)增加NAND Flash產(chǎn)能。

報(bào)道指出，之前因?yàn)槭袌?chǎng)供過(guò)于求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上，這也導(dǎo)致其產(chǎn)能爬坡速度有所減緩，不過(guò)在三星投資加速刺激下，SK海力士或也在考慮提高增產(chǎn)速度。

觀察者網(wǎng)專(zhuān)欄作者鐵流此前分析，由于中國(guó)企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠(chǎng)所壟斷，特別是韓國(guó)企業(yè)擁有非常高的市場(chǎng)份額，這直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響……長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層NAND上取得突破，未來(lái)將有效緩解了在NAND上單一依賴(lài)進(jìn)口供應(yīng)的局面。