在連續(xù)三年創(chuàng)下銷售新高后，由于全球新冠疫情帶來的經(jīng)濟影響，導致了廣泛系統(tǒng)的需求下降，預計2020年功率晶體管市場將下降7%。根據(jù)IC Insights的《2020 O-S-D報告》，功率晶體管的復蘇預計將在2021年出現(xiàn)，其全球銷售額將增長7%，達到169億美元，出貨量將增長9%，達到590億美元。2020年版的O-S-D報告顯示，功率晶體管市場將在2022年重新回到歷史最高水平，屆時銷售額預計將增長5%，達到177億美元，這將超過2019年創(chuàng)下的171億美元的當前年度峰值。

由于第五代(5G)蜂窩網(wǎng)絡的建立，將使用一系列新的傳輸頻率，包括毫米波(mmWave)頻譜的頻率，因此射頻和微波功率晶體管的增長預計將引領2021年的市場復蘇。新的5G基站也在采用更多的天線和多個信號，以確保與智能手機和物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（如自動駕駛汽車）的高速連接，需要實時通信。預計到2024年，射頻/微波器件將引領功率晶體管市場的增長（圖1）。

IC Insights的2020 OSD報告預測，RF /微波產(chǎn)品（+ 9％至13億美元），低壓（<40V）功率場效應晶體管（+ 8％至37億美元）的增長將帶動2021年功率晶體管的復蘇，雙極電源模塊（增長8％，達到5400萬美元）。該報告還顯示，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊的銷售額將在2021年增長7％，達到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入將增長7％，達到當年的創(chuàng)紀錄的16億美元。OSD報告稱，電池驅(qū)動產(chǎn)品，更多移動系統(tǒng)的不斷普及，電源效率的提高以及電動/混合動力汽車的改進，將在未來四年中繼續(xù)推動功率FET和IGBT產(chǎn)品的增長。

2021年功率晶體管的復蘇將由RF/微波產(chǎn)品(增長9%至13億美元)、低壓(<40V)功率場效應晶體管(增長8%至37億美元)和雙極功率模塊(增長8%至5400萬美元)的增長引領。報告還顯示，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額在2021年增長7%，達到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入增長7%，達到創(chuàng)紀錄的16億美元。報告稱，電池驅(qū)動產(chǎn)品的不斷普及，更多的移動系統(tǒng)，電力供應效率的提高，以及電動/混合動力汽車的改進，將繼續(xù)推動電力FET和IGBT產(chǎn)品在未來四年的增長。

根據(jù)OSD報告的預測，2019年至2024年，預計功率晶體管的總銷售在2019年至2024年之間將以1.7％的復合年增長率（CAGR）增長，并在最后一年達到186億美元。這個預測的銷售增長率比過去五年（2014-2019）的5.3％的復合年增長率低3.6個百分點，這主要是由于新冠疫情大流行導致了2020年的下滑。