在連續(xù)三年創(chuàng)下銷售新高后，由于全球新冠疫情帶來的經(jīng)濟(jì)影響，導(dǎo)致了廣泛系統(tǒng)的需求下降，預(yù)計(jì)2020年功率晶體管市場將下降7%。根據(jù)IC Insights的《2020 O-S-D報(bào)告》，功率晶體管的復(fù)蘇預(yù)計(jì)將在2021年出現(xiàn)，其全球銷售額將增長7%，達(dá)到169億美元，出貨量將增長9%，達(dá)到590億美元。2020年版的O-S-D報(bào)告顯示，功率晶體管市場將在2022年重新回到歷史最高水平，屆時(shí)銷售額預(yù)計(jì)將增長5%，達(dá)到177億美元，這將超過2019年創(chuàng)下的171億美元的當(dāng)前年度峰值。

由于第五代(5G)蜂窩網(wǎng)絡(luò)的建立，將使用一系列新的傳輸頻率，包括毫米波(mmWave)頻譜的頻率，因此射頻和微波功率晶體管的增長預(yù)計(jì)將引領(lǐng)2021年的市場復(fù)蘇。新的5G基站也在采用更多的天線和多個(gè)信號，以確保與智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（如自動駕駛汽車）的高速連接，需要實(shí)時(shí)通信。預(yù)計(jì)到2024年，射頻/微波器件將引領(lǐng)功率晶體管市場的增長（圖1）。

IC Insights的2020 OSD報(bào)告預(yù)測，RF /微波產(chǎn)品（+ 9％至13億美元），低壓（<40V）功率場效應(yīng)晶體管（+ 8％至37億美元）的增長將帶動2021年功率晶體管的復(fù)蘇，雙極電源模塊（增長8％，達(dá)到5400萬美元）。該報(bào)告還顯示，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊的銷售額將在2021年增長7％，達(dá)到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入將增長7％，達(dá)到當(dāng)年的創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。OSD報(bào)告稱，電池驅(qū)動產(chǎn)品，更多移動系統(tǒng)的不斷普及，電源效率的提高以及電動/混合動力汽車的改進(jìn)，將在未來四年中繼續(xù)推動功率FET和IGBT產(chǎn)品的增長。

2021年功率晶體管的復(fù)蘇將由RF/微波產(chǎn)品(增長9%至13億美元)、低壓(<40V)功率場效應(yīng)晶體管(增長8%至37億美元)和雙極功率模塊(增長8%至5400萬美元)的增長引領(lǐng)。報(bào)告還顯示，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額在2021年增長7%，達(dá)到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入增長7%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。報(bào)告稱，電池驅(qū)動產(chǎn)品的不斷普及，更多的移動系統(tǒng)，電力供應(yīng)效率的提高，以及電動/混合動力汽車的改進(jìn)，將繼續(xù)推動電力FET和IGBT產(chǎn)品在未來四年的增長。

根據(jù)OSD報(bào)告的預(yù)測，2019年至2024年，預(yù)計(jì)功率晶體管的總銷售在2019年至2024年之間將以1.7％的復(fù)合年增長率（CAGR）增長，并在最后一年達(dá)到186億美元。這個(gè)預(yù)測的銷售增長率比過去五年（2014-2019）的5.3％的復(fù)合年增長率低3.6個(gè)百分點(diǎn)，這主要是由于新冠疫情大流行導(dǎo)致了2020年的下滑。