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首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

21克888 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友整合 ? 作者:Norris ? 2020-08-15 09:32 ? 次閱讀
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第八屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE 2020)于2020年8月14日至8月16日期間在深圳會(huì)展中心正式舉辦。此次參展企業(yè)包括紫光集團(tuán)、華為、維信諾、紫晶存儲(chǔ)、柔宇科技、TCL、創(chuàng)維等多家科技企業(yè)。

一、長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND首次亮相

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。


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長(zhǎng)江存儲(chǔ)還展示了64層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),其擁有同類(lèi)產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲(chǔ)密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。預(yù)計(jì)將在今年底至明年初量產(chǎn)。

二、128層QLC已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證

3D即三維閃存技術(shù)。過(guò)去,人們用到的存儲(chǔ)芯片是平面的,相當(dāng)于地面停車(chē)場(chǎng),而三維閃存芯片是立體的,就像是立體停車(chē)場(chǎng)。同樣的“占地面積”之下,立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。此次領(lǐng)先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”,擁有業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品最高的存儲(chǔ)密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量,擁有128層三維堆棧,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位(bit)的數(shù)據(jù),共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。

如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”,一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片,相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間,每個(gè)房間住4“人”,共可容納約14,660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

據(jù)業(yè)界分析,QLC芯片,更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì),更適用于AI計(jì)算,機(jī)器學(xué)習(xí),實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。

去年9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GbTLC3DNAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

今天長(zhǎng)江存儲(chǔ)展示了128層QLC閃存,基于Xtacking2.0架構(gòu)。按照長(zhǎng)存的說(shuō)法,這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3DNAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

此外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還展示了64層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),其擁有同類(lèi)產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲(chǔ)密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。預(yù)計(jì)將在今年底至明年初量產(chǎn)。

三、從64層到128層躍升僅相隔7個(gè)月

楊士寧介紹,“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功,僅相隔了7個(gè)月,還有一半時(shí)間是在疫情之中。”

長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前員工人數(shù)已突破5000人,研發(fā)人員約占50%。數(shù)千研發(fā)人員的生產(chǎn)研發(fā)在疫情中持續(xù),在返崗隔離觀察、核酸監(jiān)測(cè)、日常體溫檢測(cè)、口罩佩戴、用餐規(guī)范、辦公規(guī)范、洗手規(guī)范政策落實(shí)下,該企業(yè)提倡不熬夜,助力員工保持好的身體和精神狀態(tài),并不斷為員工打氣,對(duì)于堅(jiān)守在一線崗位的員工,給予鼓勵(lì)和褒獎(jiǎng),線上團(tuán)建和培訓(xùn)一直未斷。

此外,作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的英特爾目前的QLC閃存堆棧技術(shù)已達(dá)到了144層,預(yù)計(jì)年底或明年年初量產(chǎn);三星V-NAND閃存目前已達(dá)到136層堆疊,據(jù)此前消息稱(chēng),三星方面正在研發(fā)新一代的160層的第七代3D閃存堆疊技術(shù)。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自IT之家、CnBeta等,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。

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