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首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友整合 ? 作者:Norris ? 2020-08-15 09:32 ? 次閱讀
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第八屆中國電子信息博覽會(CITE 2020)于2020年8月14日至8月16日期間在深圳會展中心正式舉辦。此次參展企業(yè)包括紫光集團(tuán)、華為、維信諾、紫晶存儲、柔宇科技、TCL、創(chuàng)維等多家科技企業(yè)。

一、長江存儲128層3D NAND首次亮相

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。


來源:電子發(fā)燒友拍攝


長江存儲還展示了64層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗證。預(yù)計將在今年底至明年初量產(chǎn)。

二、128層QLC已獲得主流控制器廠商驗證

3D即三維閃存技術(shù)。過去,人們用到的存儲芯片是平面的,相當(dāng)于地面停車場,而三維閃存芯片是立體的,就像是立體停車場。同樣的“占地面積”之下,立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。此次領(lǐng)先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”,擁有業(yè)界同類產(chǎn)品最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量,擁有128層三維堆棧,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數(shù)據(jù),共提供1.33Tb的存儲容量。

如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”,一顆長江存儲128層QLC芯片,相當(dāng)于提供3,665億個房間,每個房間住4“人”,共可容納約14,660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

據(jù)業(yè)界分析,QLC芯片,更適合作為大容量存儲介質(zhì),更適用于AI計算,機(jī)器學(xué)習(xí),實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。

去年9月2日,長江存儲宣布,已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GbTLC3DNAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

今天長江存儲展示了128層QLC閃存,基于Xtacking2.0架構(gòu)。按照長存的說法,這款產(chǎn)品的獨特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3DNAND,且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

此外,長江存儲還展示了64層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗證。預(yù)計將在今年底至明年初量產(chǎn)。

三、從64層到128層躍升僅相隔7個月

楊士寧介紹,“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功,僅相隔了7個月,還有一半時間是在疫情之中?!?br />
長江存儲目前員工人數(shù)已突破5000人,研發(fā)人員約占50%。數(shù)千研發(fā)人員的生產(chǎn)研發(fā)在疫情中持續(xù),在返崗隔離觀察、核酸監(jiān)測、日常體溫檢測、口罩佩戴、用餐規(guī)范、辦公規(guī)范、洗手規(guī)范政策落實下,該企業(yè)提倡不熬夜,助力員工保持好的身體和精神狀態(tài),并不斷為員工打氣,對于堅守在一線崗位的員工,給予鼓勵和褒獎,線上團(tuán)建和培訓(xùn)一直未斷。

此外,作為長江存儲主要競爭對手之一的英特爾目前的QLC閃存堆棧技術(shù)已達(dá)到了144層,預(yù)計年底或明年年初量產(chǎn);三星V-NAND閃存目前已達(dá)到136層堆疊,據(jù)此前消息稱,三星方面正在研發(fā)新一代的160層的第七代3D閃存堆疊技術(shù)。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自IT之家、CnBeta等,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

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