SiC器件市場(chǎng)有望快速增長(zhǎng)

中國(guó)SiC器件生產(chǎn)企業(yè)情況

第三代半導(dǎo)體論壇將于2020年9月8-9日廈門(mén)召開(kāi)，將安排參觀(guān)第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)。與會(huì)代表將獲贈(zèng)亞化咨詢(xún)“中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展”相關(guān)報(bào)告。

全球SiC和GaN器件市場(chǎng)正處于高速增長(zhǎng)的狀態(tài)，在有更高要求的功率和射頻等領(lǐng)域，SiC和GaN材料大放光彩，與傳統(tǒng)硅材料不斷搶奪市場(chǎng)份額。亞化咨詢(xún)預(yù)計(jì)，未來(lái)幾年內(nèi)全球SiC和GaN器件市場(chǎng)將保持25%-40%的高增速。

SiC器件正被廣泛的應(yīng)用于電子電力領(lǐng)域。耐高溫、高頻、大功率、高壓等特性，使得SiC器件在軌道交通、電網(wǎng)、光伏逆變器、新能源汽車(chē)、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域扮演著積極后進(jìn)者的角色。2019年，SiC功率器件市場(chǎng)約為5億美元。亞化咨詢(xún)預(yù)計(jì)，到2025年，SiC功率器件市場(chǎng)將逼近35億美元。

由于GaN在高頻下具有較高的功率輸出和較小的面積，GaN已被射頻行業(yè)廣泛采用。隨著5G到來(lái)，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。而5G基站的大規(guī)模建設(shè)帶來(lái)了巨大的GaN射頻器件市場(chǎng)需求。2019年，GaN射頻市場(chǎng)約為6.42億美元。亞化咨詢(xún)預(yù)計(jì)，到2025年GaN射頻器件市場(chǎng)將超過(guò)30億美元。

此外，GaN技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出等應(yīng)用。目前GaN功率市場(chǎng)主要由快充帶動(dòng)。2020年，小米、OPPO、雷柏、omthing、柚能等相繼發(fā)布了氮化鎵充電器產(chǎn)品。GaN功率器件領(lǐng)域一直由EPC，GaN Systems，Transphorm和Navitas等純GaN初創(chuàng)公司主導(dǎo)，他們的產(chǎn)品主要是TSMC、Episil或X-FAB代工生產(chǎn)。2019年，GaN功率器件市場(chǎng)約為0.9億美元，亞化咨詢(xún)預(yù)測(cè)，到2025年，GaN功率器件市場(chǎng)將達(dá)到4億美元左右。

中國(guó)企業(yè)近年來(lái)快速布局第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。中國(guó)目前第三代半導(dǎo)體器件/模塊生產(chǎn)企業(yè)有IDM同時(shí)也有代工，布局的項(xiàng)目約為30個(gè)，主要集中于江蘇省、廣東省、山東省等地，目前主要產(chǎn)品主要為SiC二極管、GaN功率器件、SiC功率模塊等

亞化咨詢(xún)整理了國(guó)內(nèi)主要的進(jìn)行碳化硅器件生產(chǎn)企業(yè)的相關(guān)情況，如下所示：

三安光電

2020年6月，三安光電發(fā)布公告，擬在長(zhǎng)沙成立子公司投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

根據(jù)公告顯示，項(xiàng)目投資總額160億元，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET，以甲方認(rèn)可的乙方項(xiàng)目實(shí)施主體最終可研報(bào)告為準(zhǔn)。

公司在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。公司與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)于2020年6月15日簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。項(xiàng)目已于7月開(kāi)工。

世紀(jì)金光

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)。公司成立于2010年12月，位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)。

世紀(jì)金光在北京建設(shè)了“寬禁帶半導(dǎo)體功能材料與功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，建設(shè)內(nèi)容為：5條產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)計(jì)配套設(shè)施，包括年產(chǎn)4英寸SiC單晶片13800片、6英寸SiC單晶片20700片生產(chǎn)線(xiàn)；相應(yīng)規(guī)模的SiC和GaN外延片；SiC功率器件SBD 900萬(wàn)只、SiC MOSFET 300萬(wàn)只生產(chǎn)線(xiàn)；SiC功率模塊30萬(wàn)套生產(chǎn)線(xiàn)；GaN功率器件323萬(wàn)只生產(chǎn)線(xiàn)。

世紀(jì)金光碳化硅6英寸單晶已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

華潤(rùn)微電子

2020年7月4日，華潤(rùn)微發(fā)布消息，正式向市場(chǎng)投放1200V 和650V工業(yè)級(jí)碳化硅（SiC）肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列。同時(shí)，華潤(rùn)微還宣布，其6英寸商用碳化硅（SiC）晶圓生產(chǎn)線(xiàn)正式量產(chǎn)。這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。

中科鋼研

2019年2月23日，位于南通的中科鋼研產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目開(kāi)工，該項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)4英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬(wàn)片、6英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬(wàn)片、4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片1萬(wàn)片以及4/6英寸碳化硅電子電力芯片6萬(wàn)片。

泰科天潤(rùn)

泰科天潤(rùn)致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專(zhuān)業(yè)服務(wù)。泰科天潤(rùn)總部坐落于中國(guó)北京中關(guān)村東升科技園北領(lǐng)地內(nèi)，園區(qū)環(huán)境優(yōu)雅。泰科天潤(rùn)在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠(chǎng)，可在4/6英寸SiC晶圓上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。

2019年，泰科天潤(rùn)6英寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目正式簽約落戶(hù)湖南長(zhǎng)沙瀏陽(yáng)，項(xiàng)目目前處于建設(shè)中。

目前泰科天潤(rùn)的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量完全可以比肩國(guó)際同行業(yè)的先進(jìn)水平。泰科天潤(rùn)通過(guò)與產(chǎn)業(yè)同行、科研院所、國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家共同探索與開(kāi)發(fā)，正在將SiC功率器件推廣到更多更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。

積塔半導(dǎo)體

積塔半導(dǎo)體是上海市政府與中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)合作協(xié)議的重要內(nèi)容。該項(xiàng)目位于浦東新區(qū)臨港裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)，占地面積23萬(wàn)平方米，目前已經(jīng)投產(chǎn)。

項(xiàng)目一期規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)能6萬(wàn)片8英寸晶圓的0.11μm/0.13μm/0.18μm（微米）工藝生產(chǎn)線(xiàn)，月產(chǎn)能3000片12英寸特色工藝晶圓的55nm/65nm（納米）工藝先導(dǎo)生產(chǎn)線(xiàn)，以及月產(chǎn)能5000片6英寸晶圓的SiC化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)，并將在2020年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體

中車(chē)時(shí)代電氣在湖南省株洲市建設(shè)了功率半導(dǎo)體重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室暨碳化硅基地產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，購(gòu)置了工藝生產(chǎn)設(shè)備組建4-6英寸SiC芯片模塊封裝及功率器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，并購(gòu)置了碳化硅電子電力器件核心芯片的生產(chǎn)線(xiàn)等。

項(xiàng)目年產(chǎn)1萬(wàn)片4-6英寸SiC芯片，并建成雙極型燒結(jié)器件的生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)每年60萬(wàn)只的生產(chǎn)能力。2017年產(chǎn)線(xiàn)完成調(diào)試并試運(yùn)行，2018年SiC SBD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2019年8月，中車(chē)時(shí)代電氣發(fā)布公告，以非公開(kāi)協(xié)議轉(zhuǎn)讓方式將公司半導(dǎo)體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負(fù)債及業(yè)務(wù)以約人民幣17億元（視乎專(zhuān)項(xiàng)審計(jì)的資產(chǎn)凈值而定）的代價(jià)轉(zhuǎn)讓予中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體。

基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳南山、深圳坪山、南京浦口、瑞典斯德哥爾摩、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員由劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、清華大學(xué)等知名高校博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)全鏈條，先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、首款國(guó)產(chǎn)通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

國(guó)基南方

中電國(guó)基南方于2014年研制出600-4500V SiC SBD和SiC JFET樣品（3英寸碳化硅晶圓），2016年發(fā)布G1 600-1700V SiC SBD產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)了SiC MOSFET關(guān)鍵工藝并研制出產(chǎn)品（4英寸碳化硅晶圓），2018年發(fā)布G3 SiC MPS二極管系列產(chǎn)品，并建立G1 SiC DMOSFET產(chǎn)品技術(shù)。

目前國(guó)基南方擁有一條完整、集中的4/6英寸SiC工藝線(xiàn)，主要產(chǎn)品為SiC SBD系列產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)1200V SiC MOSFET小批量省婦產(chǎn)，年供貨約為1000萬(wàn)只。

中電國(guó)基南方集團(tuán)子公司揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子專(zhuān)業(yè)從事SiC半導(dǎo)體功率模塊的研制和批量生產(chǎn)，在揚(yáng)州建設(shè)了1條年產(chǎn)SiC模塊工藝線(xiàn)。

揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子產(chǎn)品方案

2020年6月，國(guó)基南方表示，國(guó)基南方SiC G1DMOS技術(shù)初步建立，正在開(kāi)展1200V產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。下一步，國(guó)基南方SiC MOSFET產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展規(guī)劃布局，將在2025年實(shí)現(xiàn)高壓SiC DMOSFET 6.5kV-15kV。

揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技于2015年4月28日與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、上海凡實(shí)投資有限公司、北京吉泰科源科技有限公司、揚(yáng)州國(guó)宇電子有限公司簽訂《意向協(xié)議》，各方同意揚(yáng)杰科技通過(guò)增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓方式取得國(guó)宇電子38.87%股權(quán)?！兑庀騾f(xié)議》的主要內(nèi)容之一就是開(kāi)展五十五所和揚(yáng)杰科技碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品方面的合作。

2015年7月，揚(yáng)杰科技公告將募集資金擬用于SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、技能型功率器件芯片建設(shè)項(xiàng)目、智慧型電源芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目位于揚(yáng)杰科技荷葉西路廠(chǎng)區(qū)，項(xiàng)目投資約1.5億元，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為4/6英寸SiC晶圓1萬(wàn)片/年。對(duì)于切割好的SiC芯片，在進(jìn)行性能測(cè)試后，測(cè)試合格的SiC芯片送至公司其他部門(mén)進(jìn)行封裝，形成SiC大功率器件。

目前揚(yáng)杰科技碳化硅器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，可批量供應(yīng)650V/1200V 碳化硅SBD、JBS器件。

中鴻新晶

4月8日，濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行2020年重點(diǎn)招商引資項(xiàng)目簽約儀式，中鴻新晶第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目落地濟(jì)南。

中鴻項(xiàng)目計(jì)劃總建設(shè)周期5年，項(xiàng)目總投資111億元，可實(shí)現(xiàn)6-8英寸碳化硅單晶生產(chǎn)、加工、碳化硅外延、器件、模塊、封測(cè)生產(chǎn)線(xiàn)各1條，氮化鎵中試線(xiàn)1條，完成并購(gòu)瑞典ASCATRON公司，致力于打造全球領(lǐng)先的“國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略新興半導(dǎo)體研究院”。

富能半導(dǎo)體

富能半導(dǎo)體高功率芯片項(xiàng)目由濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)、高新控股集團(tuán)、富杰基金及富能技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同參與實(shí)施。項(xiàng)目總投資額60億元，規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩個(gè)8英寸廠(chǎng)及一個(gè)月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠(chǎng)，一期占地318畝，主要建設(shè)月產(chǎn)3萬(wàn)片的8英寸硅基功率器件和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車(chē)的應(yīng)用。

瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體源自恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部，公司較早就推出了第三代半導(dǎo)體材料的功率器件，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包括：碳化硅二極管，可控硅整流器和三端雙向可控硅、功率二極管、高壓晶體管等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、智能家電、照明、汽車(chē)和電源管理應(yīng)用等市場(chǎng)領(lǐng)域。