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如何設(shè)計超低壓差的BOOST變換器

工程師 ? 來源:21ic電子網(wǎng) ? 作者:21ic電子網(wǎng) ? 2020-09-15 15:50 ? 次閱讀
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在實際的應(yīng)用中,電子系統(tǒng)會遇到一些超低壓差的BOOST變換器,如基于USB供電的系統(tǒng),由于考慮到USB線上的壓降,會采用一個升壓的BOOST變換器,將電壓升到5V以上,如5.15V,5.2V或5.25V。通常USB口由于輸出負載的影響以及主機USB電源管理功能的差異,其電壓會在4.75V到5.1V之間波動,對于從4.5-5.1V的輸入升到輸出為5.15V的BOOST變換器,當輸入為最高的5.1V而輸出5.15V時,設(shè)計就會有遇到一些問題。在本文中將討論這種變換器設(shè)計的問題,并給出相應(yīng)的方案,從而為電子工程師提供一些設(shè)計的指導(dǎo)。

1 超低壓差Boost變換器的設(shè)計問題

基本常規(guī)的Boost變換器的結(jié)構(gòu)見圖1所示,功率MOSFET為主開關(guān)管,D為輸出升壓二極管,如果把二級管換為功率MOSFET,則為同步Boost變換器。

圖1:Boost變換器

在開關(guān)管導(dǎo)通時,電感激磁,電感電流線性增加存儲能量,輸出電容提供全部的輸出負載電流。

(1)

開關(guān)管關(guān)斷時,電感去磁,電感電流線性降低加,輸入電源和電感向輸出負載提供能量。

(2)

由(1)、(2)上兩式可以得到:

(3)

若Vin=5.1V,Vo=5.15V,VF=0.4V,可以得到:D=8.1%。

電流模式的BOOST變換器,電流檢測信號有一定的延時,同時為了消除開通前沿的電流尖峰導(dǎo)致內(nèi)部信號誤動作,電流檢測信號通常都設(shè)有前沿消隱時間LEB,這也是PWM控制器固定的最小導(dǎo)通時間 [1] ,一般在50-250nS的范圍。

若BOOST變換器的開關(guān)頻率為1MHz,LEB=100nS,從5.1V升到5.15V的導(dǎo)通時間為=81nS,小于系統(tǒng)的100nS值,這時候,在每個導(dǎo)通的周期,輸出電壓會沖到很大的值,PWM控制區(qū)器將進入跳脈沖的工作狀態(tài)[2] ,輸出電壓紋波很大,如果BOOST變換器沒有輸出過壓保護功能或這個功能保護時間慢,輸出電壓的過沖有可能會損壞后面的芯片。

2 解決方案

由于PWM的最小導(dǎo)通時間是系統(tǒng)固有的值,不可以改變,從公式(3)可以得出:增大占空比或減小開關(guān)頻率,可以提高在最高輸入電壓時導(dǎo)通時間Ton,從而使實際的最小Ton的大于系統(tǒng)固有的最小導(dǎo)通時間Ton(min),這樣輸出電壓就一直處于調(diào)節(jié)的范圍,系統(tǒng)不會進入跳脈沖模式。

如果Boost變換器的開關(guān)頻率可以從外面來設(shè)定,那么就可以調(diào)整開關(guān)頻率。在一些手持式系統(tǒng)中,一般會采用盡可能高的開關(guān)頻率,以減小相應(yīng)的電感和輸出電容的體積,從而降低系統(tǒng)的體積并降低系統(tǒng)的成本。因此工程師一般不會采用低的開關(guān)頻率。

同時,目前許多單芯片集成MOSFET 的Boost變換器的開關(guān)頻率是固定的,以去掉外置的電容和IC的一個管腳。這樣一來,開關(guān)頻率無法從外面進行調(diào)整,只有想方法增大占空比。

從公式(3)可以看出,提高VF的值可以增大占空比,那么就可以采用圖2的方法,輸出串聯(lián)一個二極管,從而提高最小的占空比值。

圖2:增大BOOST變換器最小占空比

此時,占空比為:。

同樣,若Vin=5.1V,Vo=5.15V,VF=0.4V,可以得到:D=14.3%。串聯(lián)一個二極管后,占空比從8.1提高到14.3,導(dǎo)通時間為143nS,大于系統(tǒng)的100nS值。這種方法的缺點是額外的增加一個元件,同時系統(tǒng)效率降低。

3 結(jié)論

通過在輸出額外的串聯(lián)一個二極管可以提高系統(tǒng)的最小占空比,避免系統(tǒng)進入跳脈沖的工作狀態(tài),產(chǎn)生大的紋波,適合于開關(guān)頻率固定,超低壓差的BOOST變換器。額外串聯(lián)的二極管降低系統(tǒng)的效率。

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