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超低壓差穩(wěn)壓器TPS7A14的技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-09-25 10:11 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS7A14 1A超低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器是一款小型超低壓差穩(wěn)壓器 (LDO),具有出色的瞬態(tài)響應。該器件具有1A拉電流和出色的交流性能(負載和線路瞬態(tài)響應)。輸入電壓范圍為0.7V至2.2V,輸出電壓范圍為0.5V至2.05V,在整個負載、線路和溫度范圍內準確度高達1%。

數據手冊:*附件:Texas Instruments TPS7A14 1A超低壓差穩(wěn)壓器數據手冊.pdf

電源路徑通過IN引腳,可連接至電壓至少高于輸出電壓50mV的電源所有電氣特性(包括出色的輸出電壓容差、瞬態(tài)響應和PSRR)均針對輸入電壓(比輸出電壓高100mV)進行規(guī)定,因此可實現高實用效率。該穩(wěn)壓器支持極低的輸入電壓,使用較高的外部供電VBIAS 電壓軌為LDO的內部電路供電。例如,IN引腳的電源電壓可以是高效直流/直流降壓式穩(wěn)壓器的輸出,而BIAS引腳的電源電壓可來自可充電電池。

Texas Instruments TPS7A14配有有源下拉電路,可在快速禁用時為輸出放電,并提供已知的啟動狀態(tài)。TPS7A14采用超小型0.71mm × 1.16mm、6焊球DSBGA封裝,適合用于空間受限的應用。

特性

  • 超低輸入電壓范圍:0.7V至2.2V
  • 高效率
    • 壓差(1A時):70mV(最大值)
    • 指定VIN = VOUT +100mV
  • 出色的負載瞬態(tài)響應
    • 20mV ILOAD = 3mA至600mA,20μs時
  • 在整個負載、線路和溫度范圍內精度為1%
  • 高PSRR
    • 80dB,在1kHz時(VOUT = 0.8V,IOUT = 500mA)
  • 可提供固定輸出電壓
    • 0.5 V至2.05 V(每檔25 mV)
  • VBIAS 范圍
    • 2.2 V 至 5.5 V
  • 封裝
    • 6引腳DSBGA:0.71mm × 1.16mm
  • 有源輸出放電

功能框圖

1.png

超低壓差穩(wěn)壓器TPS7A14的技術解析與應用指南?


?一、產品概述?

Texas Instruments推出的TPS7A14是一款1A超低壓差(Ultra-LDO)穩(wěn)壓器,專為低輸入/輸出電壓場景優(yōu)化。其核心特點包括:

  • ?超低工作電壓?:輸入范圍0.7V至2.2V,輸出可調節(jié)至0.5V~2.0V(25mV步進),適合電池供電設備。
  • ?高效能?:典型壓差僅70mV(1A負載),支持VIN低至VOUT+100mV仍保持穩(wěn)定輸出。
  • ?高精度?:負載/線性/溫度變化下精度達±1%。
  • ?優(yōu)異動態(tài)性能?:PSRR高達80dB@1kHz,負載瞬態(tài)響應僅20mV(3mA→600mA/20μs)。

?典型應用?:
無線耳機、智能手表、攝像頭模塊、便攜醫(yī)療設備及固態(tài)硬盤(SSD)等低功耗場景。


?二、關鍵特性詳解?

?1. 雙電源路徑設計?

  • ? 主電源路徑(IN引腳) ?:支持低至0.7V輸入,直接為負載供電。
  • ? 偏置電源(BIAS引腳) ?:2.2V~5.5V供電,為內部電路提供穩(wěn)定電壓,確保低輸入電壓下的高效運行。
    應用建議 :BIAS可由電池或DC/DC轉換器提供,搭配0.47μF以上陶瓷電容以優(yōu)化瞬態(tài)響應。

?2. 動態(tài)性能優(yōu)化?

  • ?快速瞬態(tài)響應?:通過低阻抗陶瓷電容(CIN≥0.75μF,COUT≥2.2μF)實現,建議布局時貼近引腳。
  • ?PSRR增強?:1kHz頻點下PSRR達80dB,有效抑制電源噪聲。

?3. 保護機制?

  • ?折返式限流?:短路時電流降至600mA,減少熱應力。
  • ?熱關斷?:觸發(fā)閾值165°C(滯后25°C),冷卻后自動恢復。
  • ?主動放電?:禁用時通過36Ω下拉電阻快速釋放輸出電荷。

?三、設計注意事項?

?1. 電容選型?

電容類型最小值推薦值作用
輸入電容(CIN)0.75μF1μF抑制輸入瞬變
輸出電容(COUT)2.2μF8μF優(yōu)化瞬態(tài)響應
偏置電容(CBIAS)0.1μF0.47μF提升PSRR

?注意?:優(yōu)先選用X7R/X5R材質陶瓷電容,避免Y5V因溫漂導致容值驟降。

?2. 壓差管理?

  • ?IN壓差?:VDO(IN)≤70mV(1A負載),需滿足VIN≥VOUT+100mV。
  • ?BIAS壓差?:VDO(BIAS)≥1.1V,需VBIAS≥VOUT+1.4V。

?3. 布局要點?

  • 縮短IN/OUT電容的走線長度,降低寄生電感。
  • 散熱設計:WSON封裝θJA為72.7°C/W,需通過GND焊盤增強散熱。
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