9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也標(biāo)志著中國半導(dǎo)體創(chuàng)新史步入一個新紀(jì)元。

該項(xiàng)目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無人駕駛、手機(jī)快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。

英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬平方米，屬于江蘇省重點(diǎn)項(xiàng)目，一期投資總額超60億元人民幣。項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底進(jìn)入試生產(chǎn)階段。英諾賽科相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時(shí)也意味著制約我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸得到突破。

關(guān)于英諾賽科

英諾賽科于2015年底成立，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片開發(fā)與制造的企業(yè)，成立至今先后引進(jìn)了近百名國際一流知名半導(dǎo)體企業(yè)的頂尖人才，組建國際一流半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開展自主研發(fā)工作，形成了自主可控核心技術(shù)，并已申請290余項(xiàng)國內(nèi)外核心專利。作為全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵功率器件制造商，英諾賽科采用集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造和測試為一體的IDM模式，全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)自主可控。商業(yè)模式具有明顯高效低成本優(yōu)勢，優(yōu)于國際友商，同時(shí)實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)自主可控，為公司產(chǎn)品的快速迭代創(chuàng)新提供了一個最好的平臺。

英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等，產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件量產(chǎn)線，使公司產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優(yōu)勢。

英諾賽科積極建立完善基于硅基氮化鎵的第三代半導(dǎo)體的生態(tài)體系，與眾多國際、國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司、磁材料公司、先進(jìn)封裝廠等廠商深度合作，開發(fā)針對硅基氮化鎵的配套系統(tǒng)，建立自主可控的生態(tài)系統(tǒng)。尤其在快充領(lǐng)域，英諾賽科“InnoGaN”氮化鎵功率器件已被魅族、努比亞、ROCK、飛頻、Lapo等多個品牌的采用，并實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)品性能獲得市場一致認(rèn)可。

接下來，英諾賽科將借助長三角的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，與區(qū)域內(nèi)更多企業(yè)開展合作，以進(jìn)一步形成產(chǎn)業(yè)鏈集群，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)“芯”突破。
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