濃度升高,不僅降低對新硅片的清洗效果,還可能因飽和而析出沉淀,造成二次污染。例如,溶解的銅離子若達(dá)到一定濃度后,反而可能重新附著在晶圓表面形成缺陷。過氧化氫分解產(chǎn)物
發(fā)表于 10-20 11:21
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選擇合適的SC1溶液清洗硅片需要綜合考慮多個(gè)因素,以下是具體的方法和要點(diǎn):明確污染物類型與污染程度有機(jī)物污染為主時(shí):如果硅片表面主要是光刻膠、油脂等有機(jī)污染物,應(yīng)適當(dāng)增加過氧化氫(H?O?)的比例
發(fā)表于 10-20 11:18
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SC-1和SC-2可以一起使用,但需遵循特定的順序和工藝條件。以下是其協(xié)同應(yīng)用的具體說明:分步實(shí)施的邏輯基礎(chǔ)SC-1的核心作用:由氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和水組成,主要去除硅片表面
發(fā)表于 10-13 10:57
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半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種,每種均針對特定類型的污染物設(shè)計(jì),并通過化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔:SC-1(堿性清洗液)成分組成:由氫氧化銨(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水
發(fā)表于 09-11 11:19
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溶液體系。隨后用去離子水(DIW)噴淋沖洗,配合氮?dú)鈽尨祾弑砻嬉匀コ軇┖圹E,完成基礎(chǔ)脫脂操作。標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗協(xié)議實(shí)施第一步:堿性過氧化氫混合液處理(SC-1)配
發(fā)表于 09-03 10:05
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過氧化氫(H2O2)是重要大宗化學(xué)品,在化工、醫(yī)療、能源、半導(dǎo)體和環(huán)保等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,但其工業(yè)主要生產(chǎn)方法為蒽醌法,安全風(fēng)險(xiǎn)和環(huán)保壓力大,開發(fā)綠色安全的H2O2綠色生產(chǎn)工藝是工業(yè)亟需,針對以上困局,作者前期提出了無催化劑光合成H2O2新方案,即室溫條件下光子激發(fā)有機(jī)物,有機(jī)物
發(fā)表于 09-02 09:30
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通過電化學(xué)作用使顆粒與基底脫離;同時(shí)增強(qiáng)對有機(jī)物的溶解能力124。過氧化氫(H?O?):一種強(qiáng)氧化劑,可將碳化硅表面的顆粒和有機(jī)物氧化為水溶性化合物,便于后續(xù)沖洗
發(fā)表于 08-26 13:34
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),避免引入二次污染。 適用場景:用于RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗(SC1/SC2配方)、去除硅片表面金屬離子和顆粒。 典型應(yīng)用: SC1溶液(H?SO?/H?O?):去除有機(jī)物和金屬污染; SC2溶液(HCl/H?O?):去除重金屬殘留。 技術(shù)限制: 傳統(tǒng)SPM(硫酸+過氧化氫)清洗中,過氧
發(fā)表于 06-04 15:15
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在食品加工廠中,臭氧滅菌作為一種高效的清潔手段得到廣泛使用,具備覆蓋性好、滅菌效果好、無殘留等優(yōu)勢,但同時(shí)具備一定毒性和強(qiáng)氧化性。因此臭氧滅菌設(shè)備通常需要與空調(diào)風(fēng)機(jī)系統(tǒng)、環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)等
發(fā)表于 06-03 18:01
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半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)
發(fā)表于 04-28 17:22
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下的潛在影響。 SPM清洗的化學(xué)特性 SPM成分:硫酸(H?SO?)與過氧化氫(H?O?)的混合液,通常比例為2:1至4:1(體積比),溫度控制在80-120℃35。 主要作用: 強(qiáng)氧化性:分解有機(jī)物(如光刻膠殘留)、氧化金屬污
發(fā)表于 04-27 11:31
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法) RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝,分為兩個(gè)核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學(xué)配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離子水(H?O)的比例為1:1:5。 溫度與時(shí)
發(fā)表于 04-22 09:01
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在半導(dǎo)體制造過程中,SPM(Sulfuric Peroxide Mixture,硫酸過氧化氫混合液)清洗和HF(Hydrofluoric Acid,氫氟酸)清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點(diǎn)
發(fā)表于 04-07 09:47
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可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機(jī)械刷洗等物理方法,結(jié)合化學(xué)溶液(如酸性過氧化氫溶液)進(jìn)行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經(jīng)過刻蝕工藝后,表面會(huì)殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì),需要通過清洗去除。此步驟通常
發(fā)表于 01-07 16:12
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一應(yīng)用原理當(dāng)產(chǎn)品在大氣中使用時(shí),大氣環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品金屬表面形成水膜,而大氣中存在的硫化氫、二氧化硫、二氧化氮、氯氣等有害氣體會(huì)溶入金屬表面的水膜中,產(chǎn)生腐蝕性離子加速腐蝕的發(fā)生。近年來,環(huán)境的不斷
發(fā)表于 11-18 17:56
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