日前，Digitiems Research發(fā)表報告指出，2nm有望在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)。他們指出，2022~2025年主要晶圓代工業(yè)者亦有新產(chǎn)能開出規(guī)劃，先進工藝如3納米產(chǎn)能將在2022年底前實現(xiàn)量產(chǎn)，DIGITIMES Research強調(diào)，若維持2年推進一個世代工藝，最快2024年可實現(xiàn)2納米量產(chǎn)。

臺積電2nm工藝進展順利

據(jù)國外媒體報道上月報道，今年一季度順利量產(chǎn)5nm工藝的臺積電，正在研發(fā)更先進的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計劃在明年風險試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。3nm工藝投產(chǎn)之后，臺積電下一步將投產(chǎn)的就將是2nm工藝，在2019年的年報中，臺積電首次披露他們在研發(fā)2nm工藝。

外媒稱臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展，研發(fā)進入了高級階段，先于他們的計劃。

在量產(chǎn)時間方面，外媒在報道中指出，臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產(chǎn)良品率達到90%非常樂觀。外媒根據(jù)目前的研發(fā)進展推測，臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產(chǎn)，2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

臺積電的2nm工藝若如外媒報道的那樣在2023年風險試產(chǎn)、隨后一年大規(guī)模投產(chǎn)，也就意味著他們?nèi)詫⒈３謨赡晖懂a(chǎn)一代新工藝的節(jié)奏。臺積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規(guī)模投產(chǎn)的，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)，中間相隔約兩年；5nm之后的3nm工藝，計劃在2021年風險試產(chǎn)、2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)，雖然距5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)的時間間隔超過兩年，但量產(chǎn)時間大概率會提前，屆時間隔預計也在兩年左右。

對于臺積電的2nm工藝，外媒此前曾報道稱將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術（GAA），不會繼續(xù)采用鰭式場效應晶體管技術。來自Digitimes的最新報道稱，臺積電2nm GAA工藝研發(fā)進度提前，目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索階段。

2nm工藝在2023年開始風險試產(chǎn)，也就意味著臺積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產(chǎn)芯片的工廠。對于工廠，外媒在上周的報道中曾提到，臺積電負責營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛，透露他們計劃在新竹建設2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設工廠所需的土地已經(jīng)獲得。臺積電董事長劉德音目前也透露，他們可能會擴建位于臺中的晶圓十五廠，以增加2nm工藝的產(chǎn)能。

三星能彎道超車嗎？

不同于臺積電，三星提早在3 納米就打算采用GAA ，意圖在此技術上彎道超車臺積電，但臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及EUV 運用經(jīng)驗，將能使良率提升更順利。

所以不少法人預期，若2 納米在2023 年即能投產(chǎn)，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺積電所公布的制程推進現(xiàn)況來看，采用EUV 的5 納米良率已快速追上7 納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊，甚至有業(yè)界人士預期風險試產(chǎn)良率即可到9 成。三星雖提前量產(chǎn)3 納米GAA，但在性能上未必能壓過臺積電，而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯，且據(jù)傳2 納米背后還有蘋果的研發(fā)能量支持。

不過未來半導體制程將會更加競爭，不僅是三星，英特爾的SuperFin 技術也不可小覷，雖然納米節(jié)點時程落后，但實際性能并不真的多差。早有輿論認為，臺積電及三星的制程競逐，很多只是數(shù)字游戲，而英特爾其實相對踏實，就實際電晶體密度等指標來看，新的英特爾10 納米強化版已接近臺積電5 納米，是非常大的單一節(jié)點升級。

只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階市場的競爭力，就如同三星8 納米已打出成績一般，臺積電雖然還占有優(yōu)勢，但仍不能輕敵。
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