據(jù)報道，意法半導體日前宣布，將收購總部位于法國Marly-le-Roy的SOMOS Semiconductor（“ SOMOS”。據(jù)意法半導體方面介紹，這是一家成立于2018年的無晶圓廠半導體公司，專門研究基于硅的功率放大器和RF前端模塊（FEM）產(chǎn)品。

意法半導體方面指出，通過此次收購，公司能夠引入物聯(lián)網(wǎng)和5G市場的專業(yè)人員、前端模塊的IP和路線圖。公司第一個產(chǎn)品-NB-IoT / CAT-M1模塊-已通過認證，并將成為連接RF FEM產(chǎn)品新路線圖的開始，此外，SOMOS的技術和資產(chǎn)還將支持意法半導體現(xiàn)有的5G基礎設施RF前端模塊路線圖的開發(fā)。

從SOMOS的官網(wǎng)我們可以看到，該公司能提供業(yè)界領先的RF功率放大器，RF前端和RF開關產(chǎn)品，并為4G和5G IoT和智能手機應用提供設計。SOMOS指出，利用其獨特的IP和專業(yè)知識來實施和交付具有前所未有性能的CMOS功率放大器，具有極低諧波的開關以及業(yè)界最小尺寸的RF前端。他們向客戶提供最先進的組件和IP，并提供定制設計服務。

無獨有偶，在ST推進射頻產(chǎn)品線的同時，NXP也在加緊他們在這個領域的布局。

恩智浦啟用全新6吋氮化鎵晶圓

半導體大廠恩智浦（NXP Semiconductors）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6吋射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，此為美國境內(nèi)專注于5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠，現(xiàn)已通過認證，首批產(chǎn)品將持續(xù)推出上市，預計至2020年底達到產(chǎn)能滿載。

恩智浦透過全新6吋晶圓廠以及其在功率密度、增益和線性化效率方面的20年氮化鎵（GaN）開發(fā)專業(yè)知識，引領5G蜂巢基礎建設的擴展，恩智浦預期，該最先進的晶圓廠將成為樞紐，將與同地點的研發(fā)團隊緊密合作，加速推動創(chuàng)新，且有助于支援5G基站和先進通訊基礎設施在工業(yè)、航空航太和國防市場的擴展。

恩智浦半導體總裁暨執(zhí)行長Kurt Sievers在主題演講中表示，今日象征著恩智浦的重要里程碑。透過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才，讓我們能夠更聚焦于發(fā)展氮化鎵技術，將其作為推動下一代5G基站基礎建設的一部分。

隨著5G的發(fā)展，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數(shù)級增長，但仍需保持相同的主機殼尺寸，并降低功耗。氮化鎵功率電晶體已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準，能夠大幅提高功率密度和效率。

恩智浦擁有近20年的氮化鎵開發(fā)專業(yè)知識和廣泛的無線通訊產(chǎn)業(yè)知識，將使其引領下一波5G蜂巢擴展浪潮。恩智浦已針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱（electron trapping）問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益，致力為恩智浦的客戶生產(chǎn)最高品質(zhì)的氮化鎵裝置。

恩智浦長期客戶愛立信（Ericsson）網(wǎng)路開發(fā)部主管Joakim Sorelius表示，在功率放大器在無線電技術中發(fā)揮重要的作用，與愛立信近期在美投資類似，很高興看到恩智浦在半導體制程開發(fā)方面進行投資，并將繼續(xù)致力為未來的高要求無線電網(wǎng)路提升射頻系統(tǒng)效能。

恩智浦半導體執(zhí)行副總裁暨無線電功率業(yè)務部總經(jīng)理Paul Hart表示，恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。

前景遠大的射頻生意

ST和NXP之所以一直在加強在RFFE方面的布局，這與這個市場巨大的商機有關。根據(jù)Yole Développement（Yole公司）預測，從 2020 年至 2025 年間，射頻前端將以保持11%的 CAGR增長，截至 2025 年市場規(guī)模將達到 254 億美元。而其中五家主要公司：村田制作所、思佳訊、博通、Qorvo 和高通占據(jù)了市場業(yè)務總量的近 80%。由此可以看到ST和NXP的發(fā)力背后的誘因。
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