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美光全球首創(chuàng)LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存,性能爆增

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Norris ? 2020-10-22 09:46 ? 次閱讀
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繼今年3月首次公開之后,美光今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。美光uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式,將LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一顆芯片內(nèi),可大大提升智能手機(jī)的存儲(chǔ)密度,節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。


據(jù)悉,美光在單顆芯片內(nèi),集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片、UFS 3.1控制器,TFBGA封裝格式,電壓1.8V,工作溫度從-25℃到+85℃。

美光 uMCP5 的主要特性包括:

續(xù)航時(shí)間大幅延長:在 uMCP4 的成功基礎(chǔ)上,美光將 LPDDR5 內(nèi)存用于 uMCP5,實(shí)現(xiàn)了 5G 網(wǎng)絡(luò)的完全利用;與 LPDDR4 相比,功耗降低了近 20%。此外,美光的 UFS 3.1 功耗比其前代產(chǎn)品 UFS 2.1 減少 40%。對(duì)于智能手機(jī)用戶而言,即使在使用耗電的多媒體應(yīng)用程序或數(shù)據(jù)密集型功能(如 AI、AR、圖像識(shí)別、游戲、沉浸式娛樂等)時(shí),也能有更長的續(xù)航時(shí)間。

下載速度快:與美光此前基于 UFS 2.1 的解決方案相比,美光 uMCP5 釋放了 5G 性能的全部潛力,持續(xù)下載速度可以加快 20%。

耐用度提升:美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了約 66%,可以允許 5,000 次擦寫,成倍增加了設(shè)備的可擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)量,而不會(huì)降低設(shè)備性能。即使對(duì)于重度手機(jī)用戶而言,也能有效延長智能手機(jī)的使用壽命。

業(yè)界領(lǐng)先的帶寬:采用 uMCP5 的設(shè)備最高將支持6,400 Mb/s 的 DRAM 帶寬,與上一代 LPDDR4x 的4,266 Mb/s 帶寬相比,增加了 50%。這使移動(dòng)用戶可以同時(shí)運(yùn)行多個(gè)應(yīng)用程序而不會(huì)影響體驗(yàn)。增加的帶寬也使智能手機(jī)中的 AI計(jì)算攝影獲得了更高質(zhì)量的圖像處理,為用戶帶來專業(yè)的攝影能力。美光是業(yè)界首家支持全速 LPDDR5 的供應(yīng)商。

最新閃存性能:美光 uMCP5 還采用了最快的 UFS 3.1 存儲(chǔ)接口,與其上一代 UFS 2.1 產(chǎn)品相比,順序讀取性能提高了一倍,寫入速度加快了 20%。

節(jié)省空間的緊湊設(shè)計(jì):美光利用其多芯片封裝專業(yè)知識(shí)以及所掌握的制造和封裝技術(shù),以最緊湊的尺寸設(shè)計(jì) uMCP5,從而實(shí)現(xiàn)了更纖薄、更靈活的智能手機(jī)設(shè)計(jì)。與獨(dú)立版本的 LPDDR5 和 UFS 解決方案相比,美光 uMCP5 多芯片封裝可節(jié)約 55% 的印刷電路板空間。節(jié)省的空間使手機(jī)制造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能,例如攝像頭、手勢元件或傳感器。美光可提供高達(dá) 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多個(gè)容量配置選擇。

美光uMCP5提供四種容量組合,分別為8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自美光、CnBeta,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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