臺(tái)積電第六代CoWoS晶圓級(jí)芯片封裝量產(chǎn)，單封裝內(nèi)集成多達(dá)12顆HBM內(nèi)存
據(jù)媒體報(bào)道，作為全球一號(hào)代工廠，臺(tái)積電已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)第六代CoWoS晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)，集成度大大提高。
我們知道，如今的高端半導(dǎo)體芯片越來越復(fù)雜，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)無法滿足，Intel、臺(tái)積電、三星等紛紛研發(fā)了各種2.5D、3D封裝技術(shù)，將不同IP模塊以不同方式，整合封裝在一顆芯片內(nèi)，從而減低制造難度和成本。
CoWoS的全稱為Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一種將芯片、基底都封裝在一起的技術(shù)，并且是在晶圓層級(jí)上進(jìn)行，目前只有臺(tái)積電掌握，技術(shù)細(xì)節(jié)屬于商業(yè)機(jī)密。
它屬于2.5D封裝技術(shù)，常用于HBM高帶寬內(nèi)存的整合封裝，比如AMD Radeon VII游戲卡、NVIDIA V100計(jì)算卡都屬于此類。
CoWoS封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖
臺(tái)積電當(dāng)然也不會(huì)披露第六代CoWoS的細(xì)節(jié)，只是說可以在單個(gè)封裝內(nèi)，集成多達(dá)12顆HBM內(nèi)存。
最新的HBM2E已經(jīng)可以做到單顆容量16GB，12顆封裝在一起那就是海量的192GB！
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
462文章
53221瀏覽量
454772 -
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5780瀏覽量
173736 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5303瀏覽量
131257 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9013瀏覽量
147372
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用
HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，
化圓為方，臺(tái)積電整合推出最先進(jìn)CoPoS半導(dǎo)體封裝
成熟技術(shù)基礎(chǔ)上的創(chuàng)新升級(jí)。長(zhǎng)期以來，CoWoS作為臺(tái)積電的主力封裝技術(shù)，憑借在高性能計(jì)算芯片領(lǐng)域
什么是晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)
晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I
臺(tái)積電最大先進(jìn)封裝廠AP8進(jìn)機(jī)
。改造完成后AP8 廠將是臺(tái)積電目前最大的先進(jìn)封裝廠，面積約是此前 AP5 廠的四倍，無塵室面積達(dá) 10 萬平方米。 臺(tái)
深入探索：晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
臺(tái)積電超大版CoWoS封裝技術(shù)：重塑高性能計(jì)算與AI芯片架構(gòu)
一、技術(shù)前沿探索：從微小到宏大的CoWoS封裝技術(shù)演進(jìn) 在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，每一次技術(shù)的革新都如同星辰般璀璨奪目。去年臺(tái)積電在歐洲開放
先進(jìn)封裝行業(yè)：CoWoS五問五答
（Substrate）連接整合而成。其核心在于將不同芯片堆疊在同一硅中介層上，實(shí)現(xiàn)多芯片互聯(lián)，從而提高芯片的集成度和性能。 發(fā)展歷程： 2011 年：
臺(tái)積電先進(jìn)封裝大擴(kuò)產(chǎn)，CoWoS制程成擴(kuò)充主力
的進(jìn)一步擴(kuò)充，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的布局正加速推進(jìn)。 據(jù)悉，CoWoS制程是臺(tái)
臺(tái)積電CoWoS封裝A1技術(shù)介紹
WoW 的 Graphcore IPU BOW。 2.5D = 有源硅堆疊在無源硅上——最著名的形式是使用臺(tái)積電 CoWoS-S 的帶有 HBM
聯(lián)電獲得高通高性能計(jì)算先進(jìn)封裝大單
半客制化的Oryon架構(gòu)核心，委托臺(tái)積電進(jìn)行先進(jìn)制程的量產(chǎn)。然而，在晶圓
臺(tái)積電推出“超大版”CoWoS封裝，達(dá)9個(gè)掩模尺寸
圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧。新的
臺(tái)積電計(jì)劃2027年推出超大版CoWoS封裝
在11月的歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電宣布了一項(xiàng)重要的技術(shù)進(jìn)展。據(jù)透露，該公司有望在2027年推出超大版本的CoWoS（晶
明年全球CoWoS產(chǎn)能需求將增長(zhǎng)113% 臺(tái)積電月產(chǎn)能將增至6.5萬片晶圓
、SPIL）和安靠（Amkor）正在擴(kuò)大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMES Research最新關(guān)注全球CoWoS封裝技術(shù)和產(chǎn)能的報(bào)告，到2025年第四季度末，臺(tái)積
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論