IGBT應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)主要影響IGBT開(kāi)關(guān)的表現(xiàn)和短路保護(hù)的安全性,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)影響了雜散電感和均流性,而熱設(shè)計(jì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)是決定性的,它決定了變流器能否達(dá)到要求的輸出功率等性能指標(biāo),而熱設(shè)計(jì)恰恰是剛?cè)胄械腎GBT應(yīng)用工程師最容易忽視的問(wèn)題。
熱設(shè)計(jì)是個(gè)統(tǒng)稱(chēng),其中包含了發(fā)熱功率的計(jì)算和修正、散熱系統(tǒng)的測(cè)量驗(yàn)證。我們就從這兩個(gè)方面展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)說(shuō)。
1- IGBT發(fā)熱功率的計(jì)算和修正
上一期我視頻中介紹的IPOSIM就是發(fā)熱功率的計(jì)算工具,IPOSIM是基于PLECS軟件基礎(chǔ)之上做的應(yīng)用開(kāi)發(fā),用戶(hù)選擇拓?fù)漭斎霔l件參數(shù)后,網(wǎng)頁(yè)會(huì)把信息發(fā)送到后臺(tái)服務(wù)器用PLECS進(jìn)行運(yùn)算,然后再把運(yùn)算結(jié)果返回到用戶(hù)界面,IPOSIM可以覆蓋大部分的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),因此省去了客戶(hù)自己用PLECS編程建模的工作,而且是免費(fèi)開(kāi)放使用的,省去了客戶(hù)自己付錢(qián)購(gòu)買(mǎi)PLECS軟件,所以真的很感謝英飛凌能提供這樣免費(fèi)優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
當(dāng)然如果你系統(tǒng)的拓?fù)浔容^復(fù)雜或不常見(jiàn),IPOSIM無(wú)法提供相應(yīng)的選項(xiàng),你也可以自己用PLECS或其他仿真工具編程計(jì)算。當(dāng)然,還有最原始的方法,拿支筆在紙上算。怎么算?波老師來(lái)告訴你:
發(fā)熱功率分為兩部分:導(dǎo)通損耗功率,和開(kāi)關(guān)損耗功率。
不同的拓?fù)溆?jì)算的簡(jiǎn)化公式是不一樣的,當(dāng)然如果不簡(jiǎn)化那都是一樣的,就是把開(kāi)關(guān)過(guò)程的每次開(kāi)關(guān)損耗都累加起來(lái),然后再把導(dǎo)通過(guò)程中的電壓電流相乘積分后累加起來(lái)。但是這事基本人沒(méi)法干只能讓計(jì)算機(jī)干,PLECS軟件就是用這個(gè)方法。
對(duì)于開(kāi)關(guān)電源類(lèi)拓?fù)涞膿p耗計(jì)算相對(duì)簡(jiǎn)單,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源基本工作在穩(wěn)態(tài),每次開(kāi)關(guān)的電流電壓是固定的,所以每次的Eon、Eoff也是一定的。
開(kāi)關(guān)損耗功率 Psw = fsw (Eon + Eoff),fsw為開(kāi)關(guān)頻率,Eon、Eoff為實(shí)際開(kāi)關(guān)時(shí)刻的電壓電流對(duì)應(yīng)的損耗。二極管同理Psw = fsw * Erec。
導(dǎo)通損耗功率 Pcond = d * Vcesat(@Ic) * Ic,其中d為IGBT的導(dǎo)通占空比,Ic為實(shí)際流過(guò)IGBT的電流值,可能是個(gè)線(xiàn)性(硬開(kāi)關(guān))或非線(xiàn)性(LLC)的變化值,如果你追求精確可以用Ic(t)來(lái)表示,即隨時(shí)間變化的Ic方程式。如果你嫌麻煩,可以用一次導(dǎo)通過(guò)程中的平均電流作為Ic,雖然有點(diǎn)誤差,但是方便很多。Vcesat也是要用此實(shí)際導(dǎo)通電流下的飽和壓降,千萬(wàn)別用成了IGBT額定電流的飽和壓降。二極管同理。
對(duì)于SPWM逆變拓?fù)涞挠?jì)算方法,一般采用論文[D.Srajber, W. Lukasch: The calculation of the power dissipation for
the IGBT and the inverse diode in circuits with the sinusoidal output voltage; electronica ′92Proceedings, pp. 51-58] 中介紹的方法,我就直接貼公式了,大家下載IPOSIM離線(xiàn)版的壓縮包,里面有一個(gè)PDF文件介紹了這些計(jì)算公式。
上面是計(jì)算方法,而修正的辦法如上期視頻中所述,需要基于實(shí)測(cè)的Eon
、Eoff、Erec來(lái)選擇Rg,并輸入實(shí)測(cè)的散熱器熱阻(因?yàn)榻Y(jié)溫會(huì)影響損耗)。
2- 散熱系統(tǒng)的測(cè)試驗(yàn)證
IGBT模塊的散熱系統(tǒng)常見(jiàn)如下圖所示。
在上圖中,所有的熱阻Rth都對(duì)應(yīng)了一段溫升ΔT,溫升和熱阻的關(guān)系等同于歐姆定律。
環(huán)境溫度Ta是很容易準(zhǔn)確的測(cè)量出來(lái)的。
Rthjc是IGBT的datasheet里給出了的。
恒溫Tc和散熱器溫度Th也可以測(cè)量,但是測(cè)量的精確性不容易保證。
測(cè)量方法如下圖(截圖自英飛凌AN2015-10):
但是這種測(cè)量的準(zhǔn)確性不容易控制,需要多次反復(fù)測(cè)量來(lái)驗(yàn)證結(jié)果的可信性。為什么測(cè)不準(zhǔn)?因?yàn)闊犭娕嫉慕佑|不是那么靠譜,細(xì)節(jié)我會(huì)在以后的文章里介紹。
現(xiàn)在假設(shè)你已經(jīng)能夠較準(zhǔn)確的測(cè)出了Tc,根據(jù)公式Rth=ΔT/P,那還需要得到損耗功率P。
損耗功率P是通過(guò)計(jì)算得出的,但是在實(shí)際工作中IGBT會(huì)帶高壓,不容易直接測(cè)出IGBT模塊的發(fā)熱功率。如果對(duì)計(jì)算熱阻不放心,也可以用低壓直流或交流電源模擬出實(shí)際的損耗功率P,來(lái)驗(yàn)證計(jì)算的P準(zhǔn)不準(zhǔn)。
方法如下:
- 假設(shè)在額定工況下計(jì)算出的損耗功率是100W。
- 首先如上述方法在散熱器上開(kāi)槽或打孔埋入熱電偶(熱電偶的位置要在芯片正下方,芯片位置圖可以問(wèn)廠(chǎng)商)。
- 讓變流器工作在額定工況下,實(shí)測(cè)Tc或Th。
- 然后在此散熱器上給IGBT芯片持續(xù)導(dǎo)通低壓直流電源,控制電源的電流,使IGBT芯片的發(fā)熱功率等于100W,此時(shí)再次實(shí)測(cè)Tc或Th,通過(guò)對(duì)比測(cè)試結(jié)果可以判斷出仿真計(jì)算的準(zhǔn)確性。
- 注意:上述模擬發(fā)熱的測(cè)試Tc會(huì)略高于實(shí)際工況,因?yàn)榘l(fā)熱集中在IGBT芯片或二極管芯片,如果追求完美,可以用H橋來(lái)控制電流方向和占空比,以精確分配IGBT和二極管的發(fā)熱功率占比。
- 用(Tc-Ta)/P就等于底殼到環(huán)境的熱阻Rth_ca,此熱阻包含了散熱器的熱阻和安裝接觸面(導(dǎo)熱介質(zhì)層)的接觸熱阻。
有沒(méi)有覺(jué)得很簡(jiǎn)單?別高興太早,剛才有個(gè)坑還沒(méi)填上,就是Tc、Th測(cè)量準(zhǔn)確性的問(wèn)題。那有沒(méi)有什么辦法繞過(guò)這個(gè)坑?我想機(jī)智的你肯定發(fā)現(xiàn)了上圖中有塊奇怪的黑色不明物。
那其實(shí)是未灌膠噴黑的IGBT模塊,大圖如下:
當(dāng)我們給這個(gè)黑漆漆的IGBT模塊通上直流電源模擬損耗功率后,我們要用到一個(gè)神器~~~紅外成像儀!用來(lái)實(shí)拍IGBT的芯片結(jié)溫,如下圖:
為啥要噴黑漆?確切地說(shuō)是無(wú)反光黑漆,因?yàn)檫@樣符合成像儀默認(rèn)的紅外反射率,否則反射率不對(duì),測(cè)量結(jié)果就不準(zhǔn)了。
另外需要注意的是,紅外成像儀測(cè)出的芯片表面最高溫度也并不是我們通常所指的Tvj,如下圖所述,一般的定義是用非綁定線(xiàn)的最高溫與兩個(gè),邊緣點(diǎn)溫度求平均得到的溫度才是in-situ測(cè)試法中對(duì)應(yīng)的Tvj。(注:in-situ 是指電測(cè)結(jié)溫法,用小電流下的飽和壓降來(lái)推算出結(jié)溫)
測(cè)出了結(jié)溫Tj,直接用(Tj-Ta)/P,即得到整個(gè)熱阻Rthjc+Rthch+Rthha。
減去已知的Rthjc,就得到了我們接觸熱阻加散熱器熱阻了。
按這樣去套流程走一遍,散熱系統(tǒng)的熱阻就清楚得妥妥的了,這時(shí)候你可以用剛剛測(cè)出的熱阻值減去IPOSIM里默認(rèn)的Rthch,得到散熱器的熱阻Rthha,用這個(gè)熱阻輸入到IPOSIM里,那計(jì)算結(jié)果就妥妥得靠譜啦!
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