臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)迎來突破
雖然2019年，5nm芯片開始大規(guī)模出貨，但是隨著隨著工藝的下探，芯片發(fā)熱、功耗等挑戰(zhàn)越發(fā)嚴(yán)峻，更高維度的芯片何時(shí)才能出貨已然成為了一個(gè)未知數(shù)。
近日，臺(tái)媒透露，臺(tái)積電的2nm制程芯片研發(fā)獲得了重大突破，根據(jù)臺(tái)積電的介紹，理想狀態(tài)下，2nm制程芯片將于2023年下半年進(jìn)行小規(guī)模試產(chǎn)，如無意外，2024年就可以大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時(shí)，臺(tái)積電還表示，在2nm之后，將繼續(xù)向1nm支撐挺進(jìn)。
雖然臺(tái)積電十分樂觀，但是根據(jù)物理定律，當(dāng)芯片的工藝下探到極點(diǎn)的時(shí)候，由于隧穿效應(yīng)，芯片內(nèi)的電子反而不能充分發(fā)揮全部的實(shí)力。與之相應(yīng)的，制造商的成本也會(huì)指數(shù)級(jí)上升。根據(jù)三星的介紹，其在5nm工藝研發(fā)上的投入就達(dá)到了4.8億美元。
因此，雖然臺(tái)積電在2nm芯片研發(fā)上獲重大突破，但是想必正式量產(chǎn)之前還需跨越很多的磨難。
責(zé)任編輯:tzh
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