本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇。

論壇上，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術細節(jié)。

至少就目前而言，ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。

據(jù)稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設備，2nm之后需要更高分辨率的曝光設備，也就是NA=0.55。好在ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設備的基本設計（即NXE：5000系列），預計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。

至于上文提到的尺寸為何大幅增加就是光學器件增大所致，潔凈室指標也達到天花板。

阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計劃明年年中出貨，生產(chǎn)效率將提升18%。

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