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解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

旺材芯片 ? 來源:快科技 ? 作者:快科技 ? 2020-12-11 09:52 ? 次閱讀
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作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進,引發(fā)普遍關注,尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個消費級SSD品牌"致鈦"。 今天,長江存儲產(chǎn)品工程與測試工程處副總裁陳軼做了一次官方科普,詳細解讀了致鈦SSD、3D NAND的故事。

首先值得一提的是,長江存儲公司注冊成立于2016年,但其實早在2014年,武漢新芯就已開始研發(fā)3D NAND,所以長江存儲的歷史已經(jīng)有六年。 產(chǎn)品方面,長江存儲的致鈦系列SSD首批有兩款產(chǎn)品,其中SC001寫入壽命170-680TBW不等,PC005則是200-640TBW不等。 從參數(shù)上看,致鈦系列的寫入壽命相比同類產(chǎn)品一點也不短,甚至比很多還要更長,而產(chǎn)品所做的測試認證也是完全基于行業(yè)標準進行。

SSD的寫入壽命取決于多個方面,比如閃存質(zhì)量、固件算法等。 致鈦系列的算法是業(yè)界通用的,不過寫入放大是需要顆粒來承載的,而長江存儲的Xtacking架構(gòu)確實可以間接幫助提高寫入壽命。 這是因為,Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝,壽命也相對會更長一些。 另外,長江存儲的磨損均衡管理同業(yè)界使用的方法是一致的,失效模型(defect modeling)同業(yè)界其他友商也是相當?shù)?,在有些方面甚至還可能更好一些。長江存儲會使用冗余度更低的方法來進行壞塊管理,而冗余度降低了,寫入壽命自然也就提高一些。 未來規(guī)劃方面,PCIe 4.0方興未艾,長江存儲也在積極籌備,不過因為PCle 4.0還比較新,長江存儲會考慮推出低中高端不同系列的產(chǎn)品,會有性能、價格上的分割,并盡量降低功耗。

說到3D NAND閃存,如今全球各大閃存廠商都在堆疊更多的層數(shù),美光最近就官宣了176層,長江存儲也做到了128層。 3D NAND的容量有幾個指標,一是看芯片里有多少塊(block),二是看每個塊里面有多少閃存晶體管,而層數(shù)多了,自然就能讓一個塊內(nèi)的容量變大。 不過,并不是層數(shù)多了,整體容量就一定變大,因為可以同時設計更多或者更少的塊。長江存儲每一個塊的容量就比業(yè)界其他產(chǎn)品多50%左右。 另外,每一層閃存的容量也沒有統(tǒng)一標準,只能說大致統(tǒng)一,所以不同廠商的堆疊層數(shù)沒有直接可比性。

其實,3D NAND層數(shù)的堆疊也面臨一些挑戰(zhàn),比如隨著層數(shù)的增加,越來越難以達到孔所需要的長寬比,早先預計只能到100層左右,現(xiàn)在已經(jīng)大大突破了這個僅限,但是難度也越來越高。 這就像半導體工藝,7nm、5nm在十多年前是幾乎不可想象的,但現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn),3nm、2nm也在不斷取得重大突破,但挑戰(zhàn)難度是指數(shù)級增加的。 利用更好的設備、更好的工藝調(diào)校能力,長江存儲最終達到了128層閃存,而未來達到256層、300層、500層都是有可能的。 當然,3D NAND也不可能進行無限堆疊,基于目前的堆疊方式,預計極限大概在500層左右,但屆時肯定能找到全新的方法、設備或是理論,突破到500層以上也是很有可能的。

責任編輯:lq

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原文標題:關注 | 長江存儲官方科普SSD、3D閃存:堆疊500層不是沒可能

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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