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SiP封裝集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析

我快閉嘴 ? 來(lái)源:愛(ài)集微 ? 作者:圖圖 ? 2020-12-11 13:39 ? 次閱讀
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12月10日-11日,中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2020年會(huì)在重慶舉行。12月11月,在“先進(jìn)封裝與測(cè)試”專(zhuān)題論壇上,甬矽電子(寧波)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“甬矽電子”)副總經(jīng)理徐玉鵬發(fā)表了以《SiP封裝集成技術(shù)趨勢(shì)》為主題的演講。

徐玉鵬指出,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)(泛IoT)等的興起,SiP開(kāi)始真正大量應(yīng)用。目前,智能手機(jī)/智能穿戴設(shè)備、工業(yè)/農(nóng)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用已經(jīng)落地,部分芯片設(shè)計(jì)企業(yè)、方案提供商也開(kāi)始對(duì)IoT模塊、藍(lán)牙模塊、wifi 模塊,射頻模塊等提出更多需求。

市場(chǎng)預(yù)估,2020~2021全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.5~2萬(wàn)億美元,物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)達(dá)千億美元。

近幾年,芯片性能從單芯片發(fā)展成多芯片,從單工藝形式演變成混合封裝,從單面封裝變成雙面封裝(體積、尺寸更?。?,伴隨而來(lái)的是,SiP封裝結(jié)構(gòu)向著更高集成、性能/功能更強(qiáng)、更小面積/體積、深度客制化設(shè)計(jì)的演變。

徐玉鵬介紹,從封裝廠的角度來(lái)看,當(dāng)下,SiP 設(shè)計(jì)理念、結(jié)構(gòu)開(kāi)始不一樣,所用的封裝技術(shù)和方法有了一些特別。隨著SiP所需的密度、功能和需求越來(lái)越復(fù)雜,設(shè)計(jì)規(guī)則也將變得更加先進(jìn),需要考慮到熱學(xué)、力學(xué)等各個(gè)方面。

傳感器方面,徐玉鵬表示,傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)的窗口,是通過(guò)傳感器 感知、獲取與檢測(cè)信息,提供物數(shù)據(jù)以物聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行分析和處理和決策。目前,物聯(lián)網(wǎng)SiP 需求集成主要包括聲、光、電、熱、力、位置等傳感器,以實(shí)現(xiàn)智能化。

會(huì)上,徐玉鵬還介紹了甬矽電子。甬矽電子成立于2017年11月,致力中高端半導(dǎo)體芯片封裝和測(cè)試。公司當(dāng)前已有2700多名員工,核心團(tuán)隊(duì)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)超15年,具備完善的品質(zhì)系統(tǒng)、IT系統(tǒng)及生產(chǎn)自動(dòng)化能力。

據(jù)悉,甬矽電子項(xiàng)目一期計(jì)劃五年內(nèi)總投資30億元,達(dá)成年產(chǎn)50-60億顆通信用高密度集成電路及模塊封裝,預(yù)計(jì)年?duì)I收規(guī)模約30億元。一期廠房于2018年開(kāi)始量產(chǎn)運(yùn)營(yíng),當(dāng)前業(yè)務(wù)范圍包括:WB QFN/LGA/BGA; FC QFN/LGA;FCCSP/FCBGA; MEMS; SiP 等。截止2020年Q4,一期已建立封測(cè)產(chǎn)能達(dá)每月3億顆芯片。

截至目前,在WBBGA/FCCSP/FCBGA領(lǐng)域,甬矽電子擁有WB FBGA、HS-PBGA、FCCSP、ED FCCSP等;在SiP領(lǐng)域,擁有WB-LGA、FP LGA、MEMS、LGA-ED等;在QFN領(lǐng)域,擁有FCQFN、FP QFN、DR QFN等。

徐玉鵬透露,在2021年之后,甬矽電子還會(huì)轉(zhuǎn)向2.5D~3D等Fan-out技術(shù)。

此外,徐玉鵬還透露,甬矽電子二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2020年12月18日正式啟動(dòng)建設(shè),首期2* Building于2021年12月交付,主要布局Wafer Level 先進(jìn)封裝技術(shù)。

最后,徐玉鵬強(qiáng)調(diào),隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代帶來(lái)新契機(jī),SiP集成技術(shù)也迎來(lái)了市場(chǎng)巨量需求和快速發(fā)展機(jī)遇。目前,雙面SiP Module 、先進(jìn)的EMI Shield等技術(shù)的發(fā)展,也使SiP可實(shí)現(xiàn)更高集成度密度、更小封裝尺寸、更全面的性能。未來(lái),甬矽電子將緊跟封測(cè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),推出多方位/多封裝技術(shù)的甬矽方案。
責(zé)任編輯:tzh

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