英偉達(dá)GPU供應(yīng)緊張,是因商三星8nm的工藝良品率較低
12月14日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，英偉達(dá)新的GPU推出之后，基本都會出現(xiàn)供應(yīng)緊張的狀況，GeForce RTX 30系列也不例外，這一系列GPU目前的供應(yīng)也比較緊張。
而產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，英偉達(dá)GeForce RTX 30系列GPU目前供應(yīng)緊張，是因?yàn)榇ど?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/三星/" target="_blank">三星的8nm工藝良品率較低。
從外媒的報(bào)道來看，在目前的GeForce RTX 30系列GPU中，獲得RTX 3090和RTX 3080非常困難。中端的RTX 3070和RTX 3060 Ti有時會有庫存，但由于需求增加，他們也很快就會售罄。
外媒在報(bào)道中表示，英偉達(dá)此前的GPU在推出之后供應(yīng)緊張，有多方面的原因，但主要是來自諸如臺積電和三星這些代工商方面。
英偉達(dá)新推出的GeForce RTX 30系列GPU，雖然采用的是三星的8nm工藝，并不是三星和行業(yè)內(nèi)目前最先進(jìn)的工藝，但在良品率方面還是出現(xiàn)了問題，目前也還不清楚良品率會以怎樣的速度提升，因而英偉達(dá)GeForce RTX 30系列GPU供應(yīng)緊張的狀況會持續(xù)多久目前也還不得而知。
責(zé)任編輯：YYX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182707 -
gpu
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
5036瀏覽量
133739 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
4015瀏覽量
96800
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證，量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測試，將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉
英偉達(dá)被傳暫停生產(chǎn)H20芯片 外交部回應(yīng)
韓國三星電子、美國安靠科技、富士康等關(guān)鍵零部件供應(yīng)商。 據(jù)悉，美國安靠科技（Amkor）負(fù)責(zé)H20芯片的封裝，而三星電子負(fù)責(zé)提供高帶寬的內(nèi)存芯片。 業(yè)界人士分析稱，一方面英偉
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?20
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
三星與英偉達(dá)高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
英偉達(dá)、高通或轉(zhuǎn)單三星2納米工藝
近日，據(jù)SamMobile的最新消息，英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說，這兩家公司正在評估將部分原計(jì)劃在臺積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲芯片
正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達(dá)若能夠成功引入這款芯片，無疑將為其AI產(chǎn)品提供更為強(qiáng)勁的動力
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
芯片。作為當(dāng)前市場上最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達(dá)正在對三星提供的兩種不同堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存進(jìn)行評估，分別是
三星電子OLED面板需求激增,攜手天馬微電子填補(bǔ)供應(yīng)缺口
11月8日，據(jù)最新報(bào)道，三星電子今年對其智能手機(jī)產(chǎn)品線中的OLED面板需求預(yù)計(jì)將達(dá)到驚人的1.632億塊。然而，一個挑戰(zhàn)也隨之而來：三星顯示當(dāng)前的產(chǎn)能僅能滿足三星電子97%的需求，即1
銳成芯微推出基于8nm工藝的PVT Sensor IP
近日，銳成芯微基于8nm工藝的工藝、電壓、溫度傳感IP（PVT Sensor IP，下同）完成硅測試，驗(yàn)證結(jié)果展現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能，未來將為客戶在先進(jìn)工藝平臺的IP需求提供更多的、具有
三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉達(dá)供應(yīng)
三星透露HBM3E芯片英偉達(dá)認(rèn)證取得進(jìn)展,預(yù)計(jì)Q4向客戶供應(yīng)
據(jù)一位高級管理人員透露，三星電子在英偉達(dá)AI內(nèi)存芯片認(rèn)證方面取得了新進(jìn)展，這一消息促使這家韓國科技巨頭的股價攀升了3.6%。
三星正積極爭取其最新芯片獲得
三星或重獲英偉達(dá)游戲芯片訂單
據(jù)外媒最新報(bào)道，三星電子有望重新獲得英偉達(dá)的未來新款游戲芯片（GPU）制造訂單，這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論