設備的設計越來越多地采用片上嵌入式內(nèi)存容量有限的微控制器，或者干脆完全避開閃存。原因之一是，盡管可以嵌入所需的任意大小容量的內(nèi)存，但是為了實現(xiàn)更高性能而逐漸縮小尺寸這個自然趨勢使得內(nèi)置或擴展嵌入式內(nèi)存的成本過高。

新型高性能控制器，例如無閃存NXP RT系列MCU，正在去掉嵌入式閃存，以滿足當今用于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）的設備設計的價格和性能要求。

這意味著外部SPI flash正逐漸成為被關(guān)注的焦點。隨之而來的挑戰(zhàn)是如何與MCU無縫操作，以確保其CPU性能不受影響，同時還要將功耗降至最低水平。

為了成為MCU的理想合作伙伴，外部閃存必須：

執(zhí)行低功耗且快速的讀寫操作；

提供超低功耗的睡眠模式；

減少擦除和存儲數(shù)據(jù)所需的CPU周期；

減少或消除確定狀態(tài)所需的MCU和閃存之間的總線事務；

修改閃存中存儲的數(shù)據(jù)時避免使用系統(tǒng)RAM緩沖區(qū)。

Dialog半導體公司的新型FusionHD NOR Flash中內(nèi)置了以上這些性能。FusionHD在將整體系統(tǒng)能耗降低多達70％的同時，運行速度還比競爭對手的閃存設備提高了5倍。

FusionHD通過利用具有一系列系統(tǒng)增強特性的低功耗架構(gòu)來實現(xiàn)此性能。這些功能包括：

小頁面擦除（page erase）架構(gòu)，提供更快速的寫入性能和更低的系統(tǒng)功耗；

易于實現(xiàn)的主動中斷功能，可阻止MCU浪費寶貴的CPU周期和功率來監(jiān)測閃存狀態(tài)；

單個讀取修改寫入（Read Modify Write）命令可簡化軟件，加快數(shù)據(jù)記錄速度，并減少CPU開銷。

此外，F(xiàn)usionHD還具有其他許多節(jié)能特性，使其非常適合需要代碼存儲、數(shù)據(jù)存儲或密集數(shù)據(jù)記錄的下一代功耗敏感或電池供電的電路設計。

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