存儲(chǔ)產(chǎn)品幾乎是任何電子產(chǎn)品必不可少的組成部分。隨著5G的到來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)/工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)及消費(fèi)電子將爆發(fā)式增長(zhǎng)，會(huì)出現(xiàn)更多的新產(chǎn)品及應(yīng)用，云數(shù)據(jù)的強(qiáng)大能力將使得產(chǎn)品端的應(yīng)用更便捷、快速。
電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到近50位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的中小容量存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司，東芯半導(dǎo)體對(duì)于今年國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體形式如何看待？對(duì)于明年的相關(guān)技術(shù)趨勢(shì)又有哪些見(jiàn)解？為此，電子發(fā)燒友帶著疑問(wèn)，采訪到了東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊。

中小容量存儲(chǔ)產(chǎn)品仍有廣闊市場(chǎng)

陳磊表示，未來(lái)中小容量的存儲(chǔ)產(chǎn)品仍然具有非常廣闊的市場(chǎng)空間，東芯半導(dǎo)體正是立足于此，并逐步涉及中大容量，以便滿足網(wǎng)絡(luò)流量提升對(duì)空間需求的增長(zhǎng)。

5G時(shí)代將會(huì)出現(xiàn)更多的移動(dòng)場(chǎng)景，對(duì)功耗及待機(jī)時(shí)長(zhǎng)具有較高要求，東芯的各系列產(chǎn)品均具有3.3V/1.8V兩種電壓及多種封裝方式等不同選擇，不僅可以滿足常規(guī)對(duì)功耗不敏感的有源器件，也使其在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)中有足夠的發(fā)揮空間，再加以提供適配應(yīng)用端的高效可靠的存儲(chǔ)解決方案，使得東芯的產(chǎn)品能夠最大可能地發(fā)揮出自己的產(chǎn)品價(jià)值，另外公司已在相關(guān)領(lǐng)域提前布局，其產(chǎn)品已應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信，安防監(jiān)控及消費(fèi)電子中的多個(gè)領(lǐng)域，并打入相關(guān)行業(yè)主要企業(yè)的供應(yīng)鏈，在光貓，IP Camera，機(jī)頂盒，智能音箱，Wi-Fi6路由器，5G CPE，企業(yè)網(wǎng)關(guān)，共享單車(chē)，智能手表，TWS耳機(jī)等多種產(chǎn)品廣泛應(yīng)用中。

東芯半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)覆蓋NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP等多元化產(chǎn)品系列，這在國(guó)內(nèi)企業(yè)里是極少有的。東芯專注于中小容量，不斷提高工藝制程，目前NAND FLASH產(chǎn)品已從3xnm進(jìn)階到2xnm，并同時(shí)在開(kāi)發(fā)1xnm，NOR FLASH也從6xnm提高到4xnm，已處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí)存儲(chǔ)容量也在不斷提升，8Gb SLC NAND FLASH已成熟供貨，512Mb/1Gb NOR FLASH也即將完成，多種組合的NAND+LPDDR使MCP產(chǎn)品更加豐富。

對(duì)于5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興帶來(lái)的海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，東芯半導(dǎo)體認(rèn)為這是一個(gè)千載難逢的好機(jī)遇。以5G、AI和大數(shù)據(jù)中心等為重點(diǎn)的新基建應(yīng)用，都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)芯片作為各種大大小小的數(shù)據(jù)站點(diǎn)，且數(shù)據(jù)站點(diǎn)的需求在不斷擴(kuò)大，為云端大數(shù)據(jù)或者終端點(diǎn)應(yīng)用的基礎(chǔ)儲(chǔ)存?zhèn)}庫(kù)。

東芯半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)中小容量存儲(chǔ)芯片企業(yè)，目前代工廠中芯國(guó)際的生產(chǎn)線上，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了38nm跟24nmNAND FLASH的量產(chǎn)，同時(shí)也在努力開(kāi)發(fā)1x納米NAND FLASH工藝技術(shù)。

作為本土設(shè)計(jì)企業(yè)，東芯積極開(kāi)展自主研發(fā)設(shè)計(jì)，有著十分充足的專利技術(shù)儲(chǔ)備，可以完全作為中小容量存儲(chǔ)芯片的國(guó)產(chǎn)替代方案。對(duì)于東芯而言，所面臨的挑戰(zhàn)將是將產(chǎn)品從消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)帶入到工業(yè)級(jí)市場(chǎng)的使用場(chǎng)景，提供更高可靠性要求的產(chǎn)品，去滿足電信通訊產(chǎn)品、工業(yè)級(jí)寬溫（105度，甚至以上溫度工作要求）、車(chē)規(guī)類技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，跟隨科技不斷發(fā)展的勢(shì)頭，滿足在5G和AI未來(lái)時(shí)代趨勢(shì)下即將普及的自動(dòng)駕駛和智能工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用。

需要承認(rèn)的是，在大容量存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)供應(yīng)商和境外大廠相比，在技術(shù)和生產(chǎn)工藝端還是有著不少的差距。例如3D NAND，國(guó)內(nèi)目前能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品跟國(guó)外知名企業(yè)可能還存在1~2代的技術(shù)差距。未來(lái)的挑戰(zhàn)可能更偏重在存儲(chǔ)容量的提升和制造工藝技術(shù)的累積。

需求激增加速國(guó)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)自主化

而在2020年，由于半導(dǎo)體的整個(gè)供應(yīng)鏈因?yàn)樾鹿谝咔?、需求波?dòng)等因素出現(xiàn)了或漲或跌的現(xiàn)象。陳磊表示，疫情對(duì)東芯整個(gè)供應(yīng)鏈造成了一定的影響。半導(dǎo)體的制造供應(yīng)鏈從晶圓廠生產(chǎn)到封測(cè)在年初都有開(kāi)工不足的影響，所幸的是，由于半導(dǎo)體晶圓廠本身的生產(chǎn)特點(diǎn):自動(dòng)化程度高，潔凈度要求高，人員中沒(méi)有發(fā)生大規(guī)模的疫情。

東芯半導(dǎo)體從一開(kāi)始就堅(jiān)持供應(yīng)鏈的平衡，并且在晶圓廠的合作上不僅有中國(guó)大陸的SMIC，也有臺(tái)灣地區(qū)的力晶，在封測(cè)廠的合作上也有國(guó)內(nèi)和國(guó)外的合作伙伴，不僅可以保證產(chǎn)能，也可以降低供應(yīng)鏈的風(fēng)險(xiǎn)。

東芯和合作伙伴目前的庫(kù)存水位應(yīng)該還是維持在一個(gè)正常運(yùn)營(yíng)水平。對(duì)于產(chǎn)品漲價(jià)，我們是這么理解的，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片現(xiàn)在還是處于一個(gè)比較起步的階段，那對(duì)于市場(chǎng)的價(jià)格并不能有明顯的影響作用，反觀主流大廠的一些庫(kù)存水位確實(shí)會(huì)對(duì)于市場(chǎng)價(jià)格有明顯的一個(gè)調(diào)整的作用，所以我們東芯還沒(méi)有能力去主動(dòng)調(diào)價(jià)從而試圖引領(lǐng)市場(chǎng)，目前我們的策略還是緊跟著市場(chǎng)波動(dòng)而調(diào)整。

如果庫(kù)存水位有下降的趨勢(shì)的話，主要原因可能一個(gè)是主力大廠的供給在短時(shí)間之內(nèi)出現(xiàn)緊缺。另外一個(gè)原因可能就是市場(chǎng)的需求行情由于新興的應(yīng)用爆發(fā)而導(dǎo)致有一波激增。

2021年國(guó)家大力建設(shè)的新興領(lǐng)域也正在蓬勃發(fā)展，陳磊相信在國(guó)家不斷地大力扶持下，供應(yīng)鏈上下游共同的努力下，中國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展之路將會(huì)越來(lái)越好。東芯半導(dǎo)體也會(huì)通過(guò)不斷的努力助力芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，加速產(chǎn)業(yè)自主化。