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光子表面波促進(jìn)單層石墨烯的紅外完美吸收

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-12-26 01:31 ? 次閱讀
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引言

近年來,石墨烯由于其獨(dú)特的物理、光電機(jī)械優(yōu)勢(shì),在光子,光電子及相關(guān)領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注,例如:光電轉(zhuǎn)換/探測領(lǐng)域。然而,石墨烯的低吸收,特別是單層或少數(shù)層石墨烯,仍然是限制石墨烯基光電子系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素之一。單層石墨烯的吸收率僅為2.3%;對(duì)于強(qiáng)光照射,由于導(dǎo)帶被填滿(價(jià)帶被抽空),帶間躍遷被阻斷,石墨烯光吸收達(dá)到飽和。因此,提高石墨烯吸收率是其廣泛應(yīng)用的先決條件。另外,石墨烯可激發(fā)本征表面等離子體激元(SPPs),相比于金屬SPPs,其擁有更高的電磁場局域,更長的極化激元壽命以及可調(diào)諧的等離子體色散關(guān)系?;谑┍菊鱏PPs的光電探測器可以使光電流增強(qiáng)一個(gè)數(shù)量級(jí)。值得注意的是,針對(duì)石墨烯材料的陷光結(jié)構(gòu)大部分基于復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu),包括超材料、由幾十對(duì)介質(zhì)膜層組成的微腔結(jié)構(gòu)或利用納米圖案化金屬體系激發(fā)SPPs。此外,金屬的存在常常導(dǎo)致較高的寄生吸收,進(jìn)一步限制了石墨烯的吸收。因此,石墨烯光電應(yīng)用迫切需要結(jié)構(gòu)簡單且易制作的吸收增強(qiáng)方案,以促進(jìn)其發(fā)展。

成果簡介

近日,蘇州大學(xué)李孝峰(通訊作者)課題組在Nano Energy上發(fā)表了題為“Photonic surface waves enabled perfect infrared absorption by monolayer graphene”的文章。研究團(tuán)隊(duì)提出了基于純介質(zhì)平面系統(tǒng)的光子表面波輔助增強(qiáng)石墨烯光吸收,通過7層介質(zhì)薄膜及耦合棱鏡激發(fā)布洛赫表面波(BSW)并產(chǎn)生電場增強(qiáng),實(shí)現(xiàn)了厚度約為0.34 nm的單層石墨烯在紅外波段的完全光吸收(1310nm,工作波長可通過結(jié)構(gòu)參數(shù)調(diào)節(jié))。在詳細(xì)研究BSW激發(fā)條件的基礎(chǔ)上,發(fā)現(xiàn)基于非周期結(jié)構(gòu)的廣義表面波也可以實(shí)現(xiàn)石墨烯完美吸收。平面純介質(zhì)表面波系統(tǒng)為低成本和高性能的二維器件應(yīng)用提供了有價(jià)值的方案。

圖文導(dǎo)讀

圖1布洛赫面波的色散曲線和電場、磁場切向分量的分布

(a)布洛赫面波的色散曲線(紅線)?;疑ò咨﹨^(qū)域表示理想光子晶體的允帶(禁帶);

(b)1.31 μm入射波長、45°入射角下,BSW器件的電場和磁場切向分量分布,即|Ey|(紅線)和|Hx|(藍(lán)線)。

圖2 BSW輔助的石墨烯完美吸收器

(a) BSW輔助的石墨烯完美吸收體(B-SGPA)示意圖;

(b)45°入射角下B-SGPA的反射,透射和吸收光譜;

(c)電場和磁場切向分量的分布;

(d)器件吸收隨入射角和波長的變化。

圖3 B-SGPA導(dǎo)納軌跡

向前(a)和向后(c)光學(xué)傳輸矩陣法計(jì)算得到的導(dǎo)納軌跡。

其中插圖是放大視圖,相應(yīng)的圖層編號(hào)見圖2a;其中,紅色實(shí)線、黑色實(shí)線和灰色虛線分別對(duì)應(yīng)缺陷層、光子晶體MgF2層和光子晶體TiO2層內(nèi)的導(dǎo)納變化。

從導(dǎo)納軌跡提取的層與層之間界面處的導(dǎo)納實(shí)部(b)和虛部(d)。

圖4結(jié)構(gòu)及材料參數(shù)對(duì)石墨烯吸收的影響

(a)光子晶體對(duì)數(shù)Npair、(b)缺陷層厚度ddefect、(c)TiO2層厚度dTiO2、(d)MgF2層厚度dMgF2和(e)石墨烯費(fèi)米能級(jí)EF對(duì)吸收率的影響;(f)勢(shì)壘模型示意圖。

圖5 通過控制缺陷層和PC層的厚度,實(shí)現(xiàn)B-SGPA導(dǎo)納匹配

圖6 表面波輔助石墨烯完美吸收器(SGPA)

(a) SGPA的導(dǎo)納圖;

(b)電場和磁場切向分量的分布;

(c)入射角為45°時(shí)SGPA的吸收光譜;

圖7 B-SGPA的制造程序

小結(jié)

該設(shè)計(jì)從表面波的光學(xué)基礎(chǔ)、傳輸矩陣計(jì)算、導(dǎo)納軌跡控制、器件吸收性能到擴(kuò)展器件設(shè)計(jì)逐漸深入。使用導(dǎo)納圖/匹配以及虛擬腔和勢(shì)壘模型揭示BSW的物理和激發(fā)。BSW系統(tǒng)具有高度可調(diào)性,可輕易控制石墨烯吸收率及B-SGPA工作波長。此外,通過改變導(dǎo)納軌跡并調(diào)整器件參數(shù),該研究提出B-SGPA的導(dǎo)納設(shè)計(jì)方案,能夠更加靈活地實(shí)現(xiàn)導(dǎo)納匹配,從而可以采用非周期系統(tǒng)激發(fā)一般的表面電磁波,并實(shí)現(xiàn)石墨烯完美吸收。這項(xiàng)研究提供了一個(gè)全新的石墨烯吸收增強(qiáng)方案,通過使用簡單的薄膜系統(tǒng),而不是金屬或復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)極高的光學(xué)性能?;诒砻骐姶挪ǖ氖┩昝牢掌鞑粌H有助于降低制造成本,且擁有與現(xiàn)有光電系統(tǒng)更好的兼容性;B-SGPA的窄帶和高吸收響應(yīng)也可應(yīng)用于高效的光電轉(zhuǎn)換器件和超靈敏傳感器中。

審核編輯:符乾江
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