近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
慧榮今天宣布,作為Intel的高級合作伙伴,慧榮多年來持續(xù)作為Intel SSD提供主控方案,而這次發(fā)布的SSD 670p、傲騰H20混合式SSD,用的也都是慧榮主控。
事實上,Intel上一代的SSD 660p/650p、傲騰H10也都是慧榮主控,而且都是慧榮SM2263。
這次的主控方案具體型號未公布,但參照慧榮產(chǎn)品線,大概率還是SM2263,因為它的后續(xù)產(chǎn)品已經(jīng)是支持PCIe 4.0規(guī)格的SM2264,而這兩款SSD并不支持PCIe 4.0。
慧榮SM2263均支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3,支持四個閃存通道,支持LDPC ECC糾錯、AES/TCG硬件加密,12×12毫米封裝。
責任編輯:pj
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
53866瀏覽量
463157 -
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1891瀏覽量
117145 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3508瀏覽量
190893
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
戴爾科技PowerStore如何釋放QLC閃存全部潛力
轉(zhuǎn)眼間,QLC SSD問世已有幾個年頭,從問世之初被質(zhì)疑的“短命鬼”,到如今市場的又一大主流選擇,QLC和它的前輩們一樣,在批判中前進,在螺旋中上升。
索尼展示三層堆疊圖像傳感器技術(shù),性能全方位提升
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近,索尼半導(dǎo)體解決方案(Sony Semiconductor Solutions, SSS)在投資者會議上討論了一種潛在的三層堆疊圖像傳感器技術(shù),該技術(shù)旨在顯著提升相機性能
發(fā)表于 08-15 09:53
?2117次閱讀
采用第九代QLC NAND的美光2600 NVMe SSD介紹
美光一直在QLC市場占有優(yōu)勢,采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢地位。
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱N
什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash
NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么?
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么?
簡
發(fā)表于 07-03 14:33
半導(dǎo)體存儲芯片核心解析
(FTL,磨損均衡,糾錯等),存在讀寫干擾問題。
結(jié)構(gòu)演進:
平面 NAND:傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu),工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND:將存儲單元垂直堆疊(幾十層到幾百
發(fā)表于 06-24 09:09
Flash閃存技術(shù)是什么?創(chuàng)世SD NAND Flash又有何獨特之處?#嵌入式開發(fā) #存儲芯片 #閃存
閃存
深圳市雷龍發(fā)展有限公司
發(fā)布于 :2025年06月05日 17:58:25
SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品
拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
NAND閃存價格預(yù)測:2025年將呈V型走勢
市場研究機構(gòu)TrendForce近日對2025年NAND閃存價格走勢進行了預(yù)測,預(yù)計全年價格將呈現(xiàn)V型波動。 據(jù)TrendForce分析,2025年一季度,NAND閃存價格預(yù)計將下滑1
三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線
近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-
DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化
近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖,市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒
評論