chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-12-28 09:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。

慧榮今天宣布,作為Intel的高級合作伙伴,慧榮多年來持續(xù)作為Intel SSD提供主控方案,而這次發(fā)布的SSD 670p、傲騰H20混合式SSD,用的也都是慧榮主控。

事實上,Intel上一代的SSD 660p/650p、傲騰H10也都是慧榮主控,而且都是慧榮SM2263。

這次的主控方案具體型號未公布,但參照慧榮產(chǎn)品線,大概率還是SM2263,因為它的后續(xù)產(chǎn)品已經(jīng)是支持PCIe 4.0規(guī)格的SM2264,而這兩款SSD并不支持PCIe 4.0。

慧榮SM2263均支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3,支持四個閃存通道,支持LDPC ECC糾錯、AES/TCG硬件加密,12×12毫米封裝。
責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53195

    瀏覽量

    454172
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1869

    瀏覽量

    116775
  • intel
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3503

    瀏覽量

    190098
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    采用第九代QLC NAND的美光2600 NVMe SSD介紹

    美光一直在QLC市場占有優(yōu)勢,采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢地位。
    的頭像 發(fā)表于 08-05 11:09 ?1479次閱讀

    SK海力士3214D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存NAND Flash,以下簡稱N
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:37 ?1225次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、FLASH閃存是什么? 簡
    發(fā)表于 07-03 14:33

    SK海力士UFS 4.1來了,基于3211Tb TLC 4D NAND閃存

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高3211Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 05-23 01:04 ?8080次閱讀

    拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命

    隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
    的頭像 發(fā)表于 03-25 11:44 ?1946次閱讀
    拯救<b class='flag-5'>NAND</b>/eMMC:延長<b class='flag-5'>閃存</b>壽命

    NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中,具有高速讀寫和耐用性強的特點。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:21 ?3650次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

    近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-
    的頭像 發(fā)表于 02-14 13:43 ?901次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場合.   NAND閃存類型   按照每個單元可以存儲的位數(shù),可以將
    發(fā)表于 01-15 18:15

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球NAND
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?708次閱讀

    EMMC和NAND閃存的區(qū)別

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中,存儲技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲解決方案也在不斷進步,以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。EMMC(嵌入式多媒體卡)和NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲技術(shù),它們在
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:37 ?4057次閱讀

    3D NAND的發(fā)展方向是500到1000

    芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 增加到 800 或更多,利用額外的容量將有助于滿足對各種類型內(nèi)存的無休止需求。 這些額外的
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:00 ?1083次閱讀
    3D <b class='flag-5'>NAND</b>的發(fā)展方向是500到1000<b class='flag-5'>層</b>

    【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類   NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技
    發(fā)表于 12-17 17:34

    Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD

    全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導者Solidigm,近日宣布了一項重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤(SSD),即122TB的Solidigm D5-P5336數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:10 ?1095次閱讀

    3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴展性已達到極限。為了解決這一問題,3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運而生,通過在垂直方向上堆疊存儲單元,大幅提升了存儲密
    的頭像 發(fā)表于 11-06 18:09 ?3442次閱讀
    3D-<b class='flag-5'>NAND</b>浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    鎧俠量產(chǎn)四單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?3199次閱讀