半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory,ROM),是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器,在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù),不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。
這種存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)簡單,且存放的數(shù)據(jù)在斷電后不會(huì)丟失,特別適合于存儲(chǔ)永久性的、不變的程序代碼或數(shù)據(jù),比如計(jì)算機(jī)中的自檢程序就是固化在ROM中的。
ROM的最大優(yōu)點(diǎn)是具有不易失性。
ROM有不可重寫只讀存儲(chǔ)器(MROM、PROM)和可重寫只讀存儲(chǔ)器(EPROM、EEPROM、閃速存儲(chǔ)器等)兩大類。
不可重寫只讀存儲(chǔ)器,也可分為兩類,包括掩模只讀存儲(chǔ)器(MROM)和可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)。
1、掩模只讀存儲(chǔ)器(MROM)
掩模只讀存儲(chǔ)器,又稱固定ROM。這種ROM在制造時(shí),生產(chǎn)商利用掩模(Mask)技術(shù)把信息寫入存儲(chǔ)器中,使用時(shí)用戶無法更改,適宜大批量生產(chǎn)。
MROM又可分為二極管ROM、雙極型三極管ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)
可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM,簡稱PROM),是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲(chǔ)器,是在MROM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。
PROM的缺點(diǎn)是用戶只能寫入一次數(shù)據(jù),寫入后就不能再修改。
可重寫只讀存儲(chǔ)器
這類ROM由用戶寫入數(shù)據(jù)(程序),后期也可以操作修改,使用起來比較自由、方便。可重寫ROM又可分為紫外線擦除EPROM、電擦除EEPROM和閃速存儲(chǔ)器Flash ROM三種類型。
1、光擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)
光擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)的特點(diǎn)是內(nèi)容可以用特殊的方式擦除和重寫。EPROM出廠時(shí),其存儲(chǔ)內(nèi)容為全「1」,用戶可根據(jù)需要將部分內(nèi)容改寫為「0」,需要修改存儲(chǔ)內(nèi)容時(shí),可將原存儲(chǔ)內(nèi)容擦除(恢復(fù)為全「1」),以便寫入新的內(nèi)容。
EPROM一般是將芯片用紫外線照射15~20分鐘左右,以擦除其中的內(nèi)容,然后用專用的EPROM寫入器將信息重新寫入,一旦寫入則相對固定。在閃速存儲(chǔ)器大量應(yīng)用之前,EPROM常用于軟件開發(fā)過程中。
2、電擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM或E2PROM)
EEPROM用電氣方法將芯片中存儲(chǔ)內(nèi)容擦除,擦除速度較快,甚至在聯(lián)機(jī)狀態(tài)下也可以操作。相對來說,EPROM用紫外線擦除內(nèi)容的操作就更復(fù)雜,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用塊擦除方式,使用字擦除方式可擦除一個(gè)存儲(chǔ)單元,使用塊擦除方式可擦除數(shù)據(jù)塊中所有存儲(chǔ)單元。
3、閃速存儲(chǔ)器(Flash ROM)
閃速存儲(chǔ)器(Flash ROM)是20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的一種塊擦寫型存儲(chǔ)器,是一種高密度、非易失性的讀/寫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,F(xiàn)lash ROM突破了傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器體系,改善了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的特性。
Flash ROM中的內(nèi)容不像RAM一樣需要電源支持才能保存,但又像RAM一樣可重寫。在某種低電壓下,F(xiàn)lash ROM的內(nèi)部信息可讀不可寫,類似于ROM,而在較高的電壓下,其內(nèi)部信息可以更改和刪除,又類似于RAM。
Flash ROM可以用軟件在PC中改寫或在線寫入信息,一旦寫入則相對固定。因此,在PC中可用于存儲(chǔ)主板的BIOS程序。由于支持改寫,就便于用戶自行升級BIOS,但這也給病毒創(chuàng)造了良好環(huán)境,著名的CIH病毒正是利用這個(gè)特點(diǎn)來破壞BIOS,從而導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)癱瘓的。另外,由于單片存儲(chǔ)容量大,易于修改,F(xiàn)lash ROM也常用于數(shù)碼相機(jī)和U盤中,因其具有低功耗、高密度等特點(diǎn),且沒有機(jī)電移動(dòng)裝置,特別適合于便攜式設(shè)備。
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