半導(dǎo)體存儲器芯片中的只讀存儲器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。

這種存儲器電路結(jié)構(gòu)簡單，且存放的數(shù)據(jù)在斷電后不會丟失，特別適合于存儲永久性的、不變的程序代碼或數(shù)據(jù)，比如計(jì)算機(jī)中的自檢程序就是固化在ROM中的。

ROM的最大優(yōu)點(diǎn)是具有不易失性。

ROM有不可重寫只讀存儲器（MROM、PROM）和可重寫只讀存儲器（EPROM、EEPROM、閃速存儲器等）兩大類。

不可重寫只讀存儲器，也可分為兩類，包括掩模只讀存儲器（MROM）和可編程只讀存儲器（PROM）。

1、掩模只讀存儲器（MROM）

掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在制造時(shí)，生產(chǎn)商利用掩模（Mask）技術(shù)把信息寫入存儲器中，使用時(shí)用戶無法更改，適宜大批量生產(chǎn)。

MROM又可分為二極管ROM、雙極型三極管ROM和MOS管ROM三種類型。

2、可編程只讀存儲器（PROM）

可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。

PROM的缺點(diǎn)是用戶只能寫入一次數(shù)據(jù)，寫入后就不能再修改。

可重寫只讀存儲器

這類ROM由用戶寫入數(shù)據(jù)（程序），后期也可以操作修改，使用起來比較自由、方便。可重寫ROM又可分為紫外線擦除EPROM、電擦除EEPROM和閃速存儲器Flash ROM三種類型。

1、光擦可編程只讀存儲器（EPROM）

光擦可編程只讀存儲器（EPROM）的特點(diǎn)是內(nèi)容可以用特殊的方式擦除和重寫。EPROM出廠時(shí)，其存儲內(nèi)容為全「1」，用戶可根據(jù)需要將部分內(nèi)容改寫為「0」，需要修改存儲內(nèi)容時(shí)，可將原存儲內(nèi)容擦除（恢復(fù)為全「1」），以便寫入新的內(nèi)容。

EPROM一般是將芯片用紫外線照射15～20分鐘左右，以擦除其中的內(nèi)容，然后用專用的EPROM寫入器將信息重新寫入，一旦寫入則相對固定。在閃速存儲器大量應(yīng)用之前，EPROM常用于軟件開發(fā)過程中。

2、電擦可編程只讀存儲器（EEPROM或E2PROM）

EEPROM用電氣方法將芯片中存儲內(nèi)容擦除，擦除速度較快，甚至在聯(lián)機(jī)狀態(tài)下也可以操作。相對來說，EPROM用紫外線擦除內(nèi)容的操作就更復(fù)雜，速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用塊擦除方式，使用字擦除方式可擦除一個(gè)存儲單元，使用塊擦除方式可擦除數(shù)據(jù)塊中所有存儲單元。

3、閃速存儲器（Flash ROM）

閃速存儲器（Flash ROM）是20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的一種塊擦寫型存儲器，是一種高密度、非易失性的讀/寫半導(dǎo)體存儲器，F(xiàn)lash ROM突破了傳統(tǒng)的存儲器體系，改善了存儲器產(chǎn)品的特性。

Flash ROM中的內(nèi)容不像RAM一樣需要電源支持才能保存，但又像RAM一樣可重寫。在某種低電壓下，F(xiàn)lash ROM的內(nèi)部信息可讀不可寫，類似于ROM，而在較高的電壓下，其內(nèi)部信息可以更改和刪除，又類似于RAM。

Flash ROM可以用軟件在PC中改寫或在線寫入信息，一旦寫入則相對固定。因此，在PC中可用于存儲主板的BIOS程序。由于支持改寫，就便于用戶自行升級BIOS，但這也給病毒創(chuàng)造了良好環(huán)境，著名的CIH病毒正是利用這個(gè)特點(diǎn)來破壞BIOS，從而導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)癱瘓的。另外，由于單片存儲容量大，易于修改，F(xiàn)lash ROM也常用于數(shù)碼相機(jī)和U盤中，因其具有低功耗、高密度等特點(diǎn)，且沒有機(jī)電移動裝置，特別適合于便攜式設(shè)備。

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