chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

特斯拉第三代家用充電樁正式在國內(nèi)推出

lhl545545 ? 來源:智車派 ? 作者:林雨晨 ? 2021-01-14 15:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

今日,智車派從特斯拉官方獲悉,特斯拉第三代家用充電樁正式在國內(nèi)推出。新一代充電樁外觀更加小巧精致,表面采用鋼化玻璃面板,重量僅為5.5千克。此外,該充電樁還具備Wi-Fi聯(lián)網(wǎng)和OTA功能。據(jù)悉,此次推出的充電樁價格為8000元。

特斯拉第三代家用充電樁

第三代家充樁支持220V單相以及380V三相電供電。使用單相電的充電功率為7KW;使用三相電的Model 3/Model Y功率為11KW;Model S/Model X功率為16KW。此外,該充電樁還支持Wi-Fi聯(lián)網(wǎng),并具備OTA遠程固件升級功能。第三代家充樁工作溫度為-30~50℃,滿足大多數(shù)地區(qū)。

特斯拉第三代家用充電樁

第三代家充樁包括Tesla家用充電器一臺、80m內(nèi)線纜材料及基礎施工費用、一個空氣開關和漏電保護器及安裝、送電調(diào)試、電纜施工過程中必要的輔材。值得一提的是,該樁的充電線達到7.4米,能夠應對車位距離充電樁較遠的環(huán)境。質(zhì)保方面,該充電樁質(zhì)保期為4年,安裝工程的質(zhì)保為2年。
責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 特斯拉
    +關注

    關注

    66

    文章

    6411

    瀏覽量

    131200
  • wi-fi
    +關注

    關注

    15

    文章

    2400

    瀏覽量

    129129
  • 充電樁
    +關注

    關注

    155

    文章

    3004

    瀏覽量

    89180
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?189次閱讀
    龍騰半導體<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?247次閱讀

    高頻交直流探頭第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?76次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    :Neway定位中高端市場,通過技術差異化(如高頻化、高可靠性)獲取溢價,部分抵消成本壓力。例如,其第三代模塊價格較同規(guī)格國際品牌低40%,但仍高于普通硅基方案。成本傳導機制:原材料價格上漲時,Neway
    發(fā)表于 12-25 09:12

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?594次閱讀
    基本半導體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1036次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準電壓源

    電鏡技術第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?599次閱讀
    電鏡技術<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>第三代</b>半導體中的關鍵應用

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    )和碳化硅(SiC),它們電力電子、射頻和光電子等領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2159次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?786次閱讀
    瑞能半導體<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲電能力顯著增強,能量密度提升 15%。相同體積下,它能儲存更多電能,為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3009次閱讀

    金升陽推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動電源

    隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 17:25 ?1011次閱讀
    金升陽<b class='flag-5'>推出</b>高性能<b class='flag-5'>第三代</b>插件式單路驅(qū)動電源

    拆了星鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請留言!

    一談起低軌衛(wèi)星,大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣,一眾企業(yè)模仿,試圖實現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:34 ?6886次閱讀
    拆了星鏈終端<b class='flag-5'>第三代</b>,明白這相控陣天線的請留言!

    SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應用新突破

    SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎上實現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-03 11:43 ?1528次閱讀
    SemiQ<b class='flag-5'>第三代</b>SiC MOSFET:車充與工業(yè)應用新突破

    第三代半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導體器件電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1694次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存