時(shí)至今日，在全球手機(jī)芯片市場(chǎng)，華為、聯(lián)發(fā)科兩家中國(guó)企業(yè)順利搶下近半數(shù)份額，擁有了一定的話語權(quán)。

但在全球閃存芯片領(lǐng)域，中國(guó)卻仍被美日韓三國(guó)企業(yè)壟斷。

韓美日長(zhǎng)期壟斷

日前，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院公布了一份調(diào)查報(bào)告，根據(jù)報(bào)告中，2020年全球NAND閃存供給區(qū)域分布圖顯示，韓國(guó)占比為44%，位列全球第一。

在閃存行業(yè)，多年來一直是韓國(guó)企業(yè)占大頭，例如三星、SK海力士等，都是能夠壟斷一方的頭部供應(yīng)商。

在韓國(guó)之后，美國(guó)占比為33%。英特爾、美光科技和西部數(shù)據(jù)，都是美國(guó)知名NAND閃存領(lǐng)先企業(yè)。

第三名則是日本，而中國(guó)無緣前三。更值得一提的是，韓、美、日三國(guó)就占據(jù)全球閃存芯片市場(chǎng)高達(dá)91%的份額，留給中國(guó)的只剩2%。

資料顯示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)的發(fā)展其實(shí)只有數(shù)十年時(shí)間，NAND閃存業(yè)鏈目前可分為NAND Flash存儲(chǔ)芯片、存儲(chǔ)控制器芯片和存儲(chǔ)模組三大環(huán)節(jié)。

目前我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域沒有太多話語權(quán)，但國(guó)產(chǎn)廠商一直在堅(jiān)持追趕國(guó)際大廠。例如NAND Flash存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，還有存儲(chǔ)控制芯片領(lǐng)域的華為、國(guó)科微等等。

中國(guó)企業(yè)突出重圍

其中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功進(jìn)入全球市場(chǎng)，雖說市場(chǎng)占有率寥寥無幾，但終歸是全球范圍內(nèi)有希望的一股中國(guó)力量。

前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理的一組圖表顯示，在2018年到2021年間，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短幾年的時(shí)間，從32層推進(jìn)到128層，中間還直接越過96層。

如此激進(jìn)的跨越令人膽戰(zhàn)心驚，好在長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2020年第一季度，將128層3D NAND樣品移送給存儲(chǔ)控制器廠商。并于第三季度順利進(jìn)入投片、年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

令人驕傲的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND的發(fā)布時(shí)間，追平了SK海力士、美觀科技等巨頭。這意味著，該公司用短短數(shù)年時(shí)間，走完了海外大廠十幾年才走完的路。

自研架構(gòu)成殺手锏

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)之所以能追上國(guó)際巨頭，主要得益于該公司自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)。

Xtacking架構(gòu)，會(huì)令存儲(chǔ)單元和邏輯電路在兩片晶圓上分別加工，從而將研發(fā)周期縮短三個(gè)月、生產(chǎn)周期縮短20%。

重要的是，Xtacking架構(gòu)還能夠令64層的3D NAND閃存，在存儲(chǔ)密度上與其他廠商96層的閃存相差無幾。

由此可見，Xtacking架構(gòu)已然成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)彎道超車的利器。利用Xtacking架構(gòu)進(jìn)行不斷升級(jí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在較短時(shí)間內(nèi)躋身行業(yè)前列。
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