近日，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段濺度廠房實現(xiàn)主體結構封頂。這是該項目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房順利完成主體結構封頂之后，項目建設迎來的又一個重要時刻。

據(jù)介紹，濺鍍廠房位于該項目的東南角，占地面積5500平方米，總建筑面積約6000平方米，該廠房主要作用是通過濺鍍技術對芯片的各個表面進行濺鍍薄膜以保護芯片。該棟單體于10月5日開挖承臺，12月2日完成正負零結構施工，12月25日完成最后一塊屋面澆筑。

M4碳化硅長晶廠房單體占地面積8000平方米，建筑面積1.2萬平方米，為所有單體中建筑面積第四大單體，建筑結構為鋼筋混凝土結構。該單體于9月3日正式動土，于12月24日順利完成主體結構封頂。M4碳化硅長晶廠房結構封頂打通了湖南三安半導體項目全產(chǎn)業(yè)鏈全面封頂?shù)闹匾画h(huán)。

M3器件封裝廠房占地面積達1.1萬平方米，建筑面積達3.3萬平方米，為整個項目建筑最高、結構層數(shù)最多的單體。該單體自9月1日開工以來，于12月20日完成封頂施工，比原計劃整體提前7天。

據(jù)了解，這三棟單體實現(xiàn)結構封頂，標志著整個項目第二階段的主體施工接近尾聲，后續(xù)廢水站、M1A長晶、M2B芯片廠房將相繼在2021年1月中旬及下旬完成封頂，屆時，該半導體項目全產(chǎn)業(yè)鏈將全面打通。

來源：長沙高新區(qū)

原文標題：資訊 | 湖南三安第三代半導體項目3棟廠房主體相繼封頂

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