本周在SPIE高級光刻會議上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心IEMC與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造商ASML宣布了一項合作成果。在印刷24nm節(jié)距線方面取得突破，該節(jié)距對應(yīng)于3nm節(jié)點中關(guān)鍵后段金屬層節(jié)距。通過在IMEC潔凈室中將先進的成像方案，創(chuàng)新的光阻材料和ASML的NXE:3400B系統(tǒng)上的優(yōu)化設(shè)置相結(jié)合，使該系統(tǒng)能夠在單個曝光步驟中以24nm的節(jié)距打印圖形。

這種成像性能使IMEC的光阻和構(gòu)圖合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)能夠利用NXE:3400B作為早期工藝開發(fā)平臺，以用于未來工藝節(jié)點的早期材料開發(fā)。這些材料和工藝，將用于ASML的下一代EUV系統(tǒng)EXE:5000，該系統(tǒng)將于2022年首次交付。EXE:5000的數(shù)值孔徑為0．55，遠高于當(dāng)前EUV系統(tǒng)（如NXE:3400B）的0．33。

IMEC高級圖形化工藝和材料副總裁Steven Scheer補充道：

“IMEC和ASML在印刷24 nm節(jié)距線方面的創(chuàng)新將為IMEC圖形化工藝生態(tài)提供測試光阻材料和工藝能力的機會。敏感而穩(wěn)定的光阻材料的開發(fā)將支持ASML的下一代EXE:5000系統(tǒng)的導(dǎo)入。”

NXE:3400B允許在高入射角下對掩模進行照明。在標(biāo)準(zhǔn)照明下，EUV掩模在這些高入射角下往往會使最終圖像變形，從而產(chǎn)生較差的光阻輪廓。通過從IMEC/ ASML聯(lián)合研究中獲得的對EUV掩模效果的基本了解，團隊發(fā)現(xiàn)了一種創(chuàng)新的方式來補償不必要的圖像失真。再與照明優(yōu)化相結(jié)合，這使團隊能夠在單個EUV曝光步驟中以最小34 mJ/ cm2的最小曝光劑量打印小至24nm節(jié)距的圖形。

ASML的NXE:3400B于2019年第二季度安裝在IMEC的300mm無塵室中?，F(xiàn)在，這是IMEC研發(fā)活動的重要組成部分。

此外，2019年10月IMEC的阿秒（attosecond，1阿秒=1E-18秒）分析和干涉光刻實驗室進行了首次300mm晶片高NA光刻。AttoLab致力于在光阻劑暴露于EUV電離輻射的過程中以阿秒為單位探索其分子動力學(xué)，結(jié)合使用干涉光刻技術(shù)，提供了首個300mm高NA光阻成像能力，可打印低至8nm節(jié)距的圖形。AttoLab將加深我們對0．55NA光阻成像機理的理解，并作為NXE:3400B的補充，進一步支持供應(yīng)商生態(tài)系統(tǒng)在引入ASML的高NA EXE:5000之前加速開發(fā)與其兼容的材料。

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