日前根據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電為了趕進(jìn)度、要求建造商加班趕工，在春節(jié)期間支付額外的獎(jiǎng)金，用于激勵(lì)3nm新建工程的建設(shè)。據(jù)了解，這是由于臺(tái)積電有3nm進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，月產(chǎn)12英寸晶圓超60萬(wàn)片的目標(biāo)。

此外，臺(tái)積電還計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)工廠。同時(shí)臺(tái)積電更是透露出，準(zhǔn)備在日本設(shè)立全資子公司的計(jì)劃，并為此斥資1.86億美元。

由此可見，臺(tái)積電正在想方設(shè)法提升產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)接下來(lái)全球范圍內(nèi)愈發(fā)嚴(yán)重的晶圓緊缺狀況。值得一提的是，在臺(tái)積電努力擴(kuò)大產(chǎn)能、提升自身實(shí)力的同時(shí)，一位臺(tái)積電的老對(duì)手也沒有閑著。

美國(guó)得克薩斯州官方文件顯示，韓國(guó)科技巨頭——三星電子，正在考慮將晶圓工廠建在奧斯汀市。

此外，該文件還顯示，三星電子此次在美國(guó)建設(shè)的工廠，總投入約為170億美元，并將為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造1800個(gè)工作崗位。

而在2020年，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)的晶圓廠，總投資為120億美元。這座新工廠計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

而三星在美國(guó)建設(shè)的新晶圓廠，投入比臺(tái)積電美國(guó)工廠多了50億美元。據(jù)文件透露，三星電子的美國(guó)工廠計(jì)劃2021年第二季度破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)2023年第三季度就能投入運(yùn)營(yíng)。

顯然，同為世界級(jí)巨頭的三星，并不甘心屈居臺(tái)積電之后，做一個(gè)“萬(wàn)年老二”。

自2020年以來(lái)，三星電子就一直在實(shí)施趕超臺(tái)積電的計(jì)劃。公司先是官宣3nm工藝將于2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在工藝研發(fā)進(jìn)度上追平臺(tái)積電；然后又追隨臺(tái)積電的步伐，盡可能提升產(chǎn)能。

據(jù)筆者了解，為了追上臺(tái)積電，三星甚至曾“威脅”ASML，要求后者必須向三星電子供應(yīng)一定數(shù)量的EUV光刻機(jī)。

眾所周知，隨著芯片制程的萎縮，晶圓代工廠需要的高端光刻機(jī)數(shù)量也越來(lái)越多。但荷蘭巨頭ASML的年產(chǎn)能有限，這就導(dǎo)致臺(tái)積電和三星勢(shì)必要斥巨資爭(zhēng)奪稀有的EUV光刻機(jī)。

相比之下，計(jì)劃在3nm工藝上使用GAA新技術(shù)的三星電子，更需要數(shù)量充足的EUV光刻機(jī)。

但就目前來(lái)看，臺(tái)積電方面獲得的EUV光刻機(jī)數(shù)量更多。而且，臺(tái)積電在3nm工藝上，依舊保守采用FinFET工藝。

在你看來(lái)，三星能否成功在2022的時(shí)間節(jié)點(diǎn)上超越臺(tái)積電？
責(zé)任編輯:tzh