chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

蘋(píng)果第三代iPhone SE或明年發(fā)布

我快閉嘴 ? 來(lái)源:天極網(wǎng) ? 作者:天極網(wǎng) ? 2021-03-02 17:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

都說(shuō)小屏旗艦手機(jī)已經(jīng)不吃香,但是iPhone SE(第二代)發(fā)布之后依然引發(fā)消費(fèi)者爭(zhēng)相購(gòu)買(mǎi),這證明小屏旗艦手機(jī)依然是有較大受眾數(shù)量的?,F(xiàn)在就有不少蘋(píng)果粉絲熱切期盼第三代iPhone SE的到來(lái)。

天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤發(fā)布了對(duì)于2021-2023年iPhone產(chǎn)品線與關(guān)鍵規(guī)格的預(yù)測(cè)報(bào)告,其中特別提到了第三代iPhone SE的相關(guān)信息。

郭明錤預(yù)測(cè),第三代iPhone SE不會(huì)在今年上半年發(fā)布,而是要等到明年上半年。他認(rèn)為,新款iPhone SE依然保持4.7英寸,這對(duì)于小屏黨來(lái)說(shuō),無(wú)疑是一個(gè)好消息。

第三代iPhone SE最大變化應(yīng)該還是升級(jí)處理器,并且支持5G網(wǎng)絡(luò)。不過(guò)按照此前第二代iPhone SE的配置,第三代iPhone SE也有可能采用最新款的處理器,也就是A14仿生處理器。

此前也有爆料稱,蘋(píng)果今年還會(huì)發(fā)布一款iPhone SE Plus,外觀借鑒iPhone 11,搭載A14處理器、6.1英寸屏幕,甚至還加入了側(cè)面指紋識(shí)別,但是不支持5G網(wǎng)絡(luò)。小編認(rèn)為,這個(gè)爆料的真實(shí)性值得商榷,畢竟蘋(píng)果已經(jīng)發(fā)布了差不多定位的iPhone 12 mini和iPhone 12。

說(shuō)到iPhone 12 mini,這雖然也是一款小屏旗艦手機(jī)(5.4英寸),但是受歡迎程度明顯不如iPhone SE。最近調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示,iPhone 12全年銷量為2330萬(wàn)部,而iPhone 12 mini的銷量?jī)H為1450萬(wàn)部,成為iPhone 12系列四款中銷量最差的一款。這也讓不少外媒將iPhone 12 mini評(píng)價(jià)為一款“失敗”的產(chǎn)品。

具體數(shù)據(jù)顯示,iPhone 11成為2020年最暢銷智能手機(jī),銷量達(dá)6480萬(wàn)部。小屏手機(jī)iPhone SE成為第二暢銷智能手機(jī),銷量達(dá)到2420萬(wàn)部。

為什么同樣是小屏手機(jī),iPhone 12 mini如此不受歡迎?小編認(rèn)為,問(wèn)題主要出在價(jià)格方面。

蘋(píng)果iPhone 12 mini在用戶體驗(yàn)上與iPhone SE沒(méi)有拉開(kāi)太大的差距,但是價(jià)格相差不少。iPhone 12 mini官方售價(jià)5999元起,即使在第三方平臺(tái)補(bǔ)貼后,價(jià)格也維持在5000元左右。而iPhone SE官方售價(jià)3299元起,第三方平臺(tái)補(bǔ)貼后甚至一度出現(xiàn)2500元左右的“神價(jià)”。

小屏手機(jī)由于機(jī)身有限,散熱差、續(xù)航低等缺點(diǎn)明顯,想讓小屏手機(jī)繼續(xù)受到歡迎,或許價(jià)格才是唯一出路。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20214

    瀏覽量

    249943
  • iPhone
    +關(guān)注

    關(guān)注

    28

    文章

    13520

    瀏覽量

    215707
  • 蘋(píng)果
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    24593

    瀏覽量

    207936
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1367

    文章

    49126

    瀏覽量

    608195
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?194次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?248次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?80次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣鳌R?、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1319次閱讀

    開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?597次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1039次閱讀
    上海貝嶺<b class='flag-5'>發(fā)布</b><b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?601次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2166次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?787次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

    近日,英飛凌的磁傳感器門(mén)類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:33 ?1409次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>發(fā)布</b><b class='flag-5'>第三代</b>3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲(chǔ)存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋(píng)果星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3011次閱讀

    拆了星鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

    一談起低軌衛(wèi)星,大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:34 ?6899次閱讀
    拆了星鏈終端<b class='flag-5'>第三代</b>,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái),第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1699次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存