消息稱臺(tái)積電將于今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝
近日，有消息稱，臺(tái)積電將于今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，并可能于明年進(jìn)行量產(chǎn)，這對(duì)于芯片行業(yè)有重要意義。
據(jù)悉，3nm將繼續(xù)使用FinFET晶體管，但是相較于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。在初期月產(chǎn)能大概為3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年即可實(shí)現(xiàn)10．5萬(wàn)塊晶圓，達(dá)到目前5nm水平。
有消息稱，蘋(píng)果將是臺(tái)積電3nm的核心用戶，預(yù)計(jì)將用至A17處理器中，也就是2023年發(fā)布的iPhone中，同時(shí)AMD、聯(lián)發(fā)科、高通等企業(yè)也將跟進(jìn)。值得注意的是，著名牙膏廠“英特爾”也有3nm處理器的計(jì)劃，可能將部分處理器外包給臺(tái)積電，進(jìn)行3nm工藝代工。
此外，作為全球前二的代工廠的三星也正在籌劃3nm工藝，可能將采用GAA環(huán)繞柵極晶體管，其提升幅度更大，難度更高，或?qū)⒂诿髂暾酵懂a(chǎn)。
責(zé)任編輯：haq
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