電磁場的邊界條件既可以理解為不同介質交界面電磁場服從的條件，也可理解為不同介質的交界面兩側電磁場滿足的方程或規(guī)律。

電磁場在兩種不同媒質分界面上，從一側過渡到另一側時，場矢量E、D、B、H一般都有一個躍變。電磁場的邊界條件就是指場矢量的這種躍變所遵從的條件，也就是兩側切向分量之間以及法向分量之間的關系。

在某些電動力學或電磁場理論的書中，為了與另一種邊界條件（在區(qū)域的表面上給定的有關場矢量的邊值）相區(qū)別，將本條所解釋的電磁場邊界條件稱為電磁場的邊值關系。

電磁場的邊界條件可以由麥克斯韋方程組的積分形式推出，它實際上是積分形式的極限結果。這些邊界條件是：

n·（D1－D2）＝ρs；

n×（E1－E2）＝0；

n·（B1－B2）＝0；

n×（H1－H2）＝J）s。

式中n為兩媒質分界面法線方向的單位矢量，場矢量E、D、B、H的下標1或2分別表示在媒質1或2內緊靠分界面的場矢量，ρs為分界面上的自由電荷面密度，Js為分界面上的傳導電流面密度。

式1表示在分界面兩側電位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由電荷面密度。當分界面上無自由電荷時，兩側電位移矢量的法向分量相等，即其法向分量是連續(xù)的。式2表示在分界面兩側電場強度E的切向分量是連續(xù)的。

式3表示在分界面兩側磁通密度B的法向分量是連續(xù)的。式4表示在分界面兩側磁場強度H的切向分量的差等于分界面上的表面?zhèn)鲗щ娏髅婷芏取?/p>

當分界面上無表面?zhèn)鲗щ娏鲿r，兩側磁場強度的切向分量相等，即其切向分量是連續(xù)的。

當媒質2為理想導體時，E2、D2、B2、H2等于零，式1表示D1的法向分量等于自由電荷面密度；式2表示E1無切向分量式3表示B1的法向分量為零；式4表示H1的切向分量等于表面?zhèn)鲗щ娏髅婷芏龋⑶遗c電流方向正交。

擴展資料：

電磁場有內在聯(lián)系、相互依存的電場和磁場的統(tǒng)一體的總稱，隨時間變化的電場產(chǎn)生磁場，隨時間變化的磁場產(chǎn)生電場，兩者互為因果，形成電磁場。

一種允許能量進入或導出幾何結構的邊界條件。 激勵端口中默認的電磁波平均功率為1瓦。使用這個邊界條件可以計算S參數(shù)，用sparametermatrix命令可以得到多端口的S參數(shù)。

電磁場可由變速運動的帶電粒子引起，也可由強弱變化的電流引起，不論原因如何，電磁場總是以光速向四周傳播，形成電磁波。

電磁場是電磁作用的媒介，具有能量和動量，是物質的一種存在形式。

隨時間變化著的電磁場時變電磁場與靜態(tài)的電場和磁場有顯著的差別，出現(xiàn)一些由于時變而產(chǎn)生的效應。

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