近年來(lái),手機(jī)快充的普及給人們工作和生活帶來(lái)了極大的方便,它可以大為減少便攜式電子設(shè)備的充電時(shí)間,提高人們工作和生活的效率。但隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,更快充電速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求。為了適應(yīng)這種需求,亞成微電子在近日推出了采用3D封裝技術(shù)的高集成度電源管理解決方案,這是一種全新的解決方案,該系列芯片集成PWM控制器、MOS、MOS驅(qū)動(dòng)器以及高壓啟動(dòng)管,最大輸出功率120W,具有高效率、高導(dǎo)熱率、高通流、高雪崩耐量等特點(diǎn)??捎行椭斐?a target="_blank">電源廠商實(shí)現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。
4合1
高集成電源芯片RM6620DS
功能特點(diǎn)
■支持CCM/QR混合模式
■內(nèi)置700V高壓?jiǎn)?dòng)
■集成X-CAP放電功能
■內(nèi)置650V 超結(jié)MOSFET
■專(zhuān)有的分段驅(qū)動(dòng)技術(shù),搭配超結(jié)MOSFET改善EMI設(shè)計(jì)
■支持最大130KHz工作頻率
■內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI
■Burst Mode去噪音
■低啟動(dòng)電流(2uA),低工作電流
■集成斜坡補(bǔ)償及高低壓功率補(bǔ)償
■集成AC輸入Brown out/in功能
■外置OVP保護(hù)
■具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù)
■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)
原理圖

氮化鎵(GaN)方案
3合1
高集成電源芯片RM6801SQ
功能特點(diǎn)
■支持CCM/QR混合模式
■專(zhuān)有ZVS技術(shù)
■內(nèi)置700V高壓?jiǎn)?dòng)
■專(zhuān)有驅(qū)動(dòng)技術(shù),易于搭配E-mode GaN功率器件改善EMI設(shè)計(jì)
■集成X-CAP放電功能
■支持最大130KHz工作頻率
■內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI
■Burst Mode去噪音
■低啟動(dòng)電流(2uA),低工作電流
■集成斜坡補(bǔ)償及ZVS高低壓補(bǔ)償
■集成AC輸入Brown out/in功能
■外置OVP保護(hù)
■具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù)
■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)
原理圖

產(chǎn)品系列

原文標(biāo)題:支持120W快充|亞成微推出3D封裝技術(shù)高集成電源芯片,助力大功率、高密度快充量產(chǎn)
文章出處:【微信公眾號(hào):亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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評(píng)論